Physica status solidi : Volume 45, Number 2: February 16
Frontmatter -- Classification Scheme -- Contents -- Systematic List -- Original Papers -- The Effect of Implantation Temperature on the Mechanism of Misfit Dislocation Formation -- Measurement of the Electron Drift Velocity in InSb up to Fields of 800 V/cm in the Presence of Impact Ionization -- Str...
Ausführliche Beschreibung
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| Autor*in: |
Aleksandrov, L. N [mitwirkender] Alekseeva, O. K [mitwirkender] Ali, A. R [mitwirkender] Amelinckx, S [mitwirkender] Asmat, H [mitwirkender] Astie, B [mitwirkender] Babeṣ, V [mitwirkender] Barros, F. De S [mitwirkender] Barton, J [mitwirkender] Barua, A. K [mitwirkender] Batev, P. M [mitwirkender] Bińczycka, H [mitwirkender] Bloor, D [mitwirkender] Bordure, G [mitwirkender] Boswell, F. W [mitwirkender] Boudreaux, D. S [mitwirkender] Boulesteix, C [mitwirkender] Braillon, P [mitwirkender] Brossard, L [mitwirkender] Brümmer, O [mitwirkender] Bublik, V. T [mitwirkender] Burzo, E [mitwirkender] Bzinkovskaya, I. S [mitwirkender] Carstanjen, H. D [mitwirkender] Chopra, K. L [mitwirkender] Cohkelis, J [mitwirkender] Collongues, R [mitwirkender] Corbett, J. M [mitwirkender] Cristea, V [mitwirkender] Dabgys, A [mitwirkender] Das, S. R [mitwirkender] De Menezes, J.V [mitwirkender] Degauque, J [mitwirkender] Dlubek, G [mitwirkender] Dolocan, V [mitwirkender] Dutt, M. B [mitwirkender] Dünstl, J [mitwirkender] Eichleb, H. J [mitwirkender] Ejder, E [mitwirkender] Farid, Z [mitwirkender] Feder, R [mitwirkender] Filippov, G. A [mitwirkender] Fischer, A [mitwirkender] Frtuchart, D [mitwirkender] Fruchart, R [mitwirkender] Fujimoto, F [mitwirkender] Fujimuba, T [mitwirkender] Fujita, H [mitwirkender] Gbabski, M. W [mitwirkender] Gerasimenko, N. N [mitwirkender] Gignoux, D [mitwirkender] Glinchuk, K.D [mitwirkender] Gotô, T [mitwirkender] Gourier, D [mitwirkender] Greenberg, B. A [mitwirkender] Görlich [herausgeberIn] Habtig, Ch [mitwirkender] Hellborg, R [mitwirkender] Hirose, M [mitwirkender] Ivanov, M. A [mitwirkender] Ivanovitch, M. D [mitwirkender] Jacobsen, G [mitwirkender] Jacquemin, J. L [mitwirkender] Kafediiska, E. I [mitwirkender] Kalinin, V. V [mitwirkender] Kamel, R [mitwirkender] Kamiyoshi, K [mitwirkender] Karekar, R. N [mitwirkender] Khachaturyan, A. G [mitwirkender] Kieu, V. C [mitwirkender] Kirschner, J [mitwirkender] Knof, J [mitwirkender] Koóka, J [mitwirkender] Kristofik, J [mitwirkender] Krupski, M [mitwirkender] Kubin, L. P [mitwirkender] Landgraf-Dietz, D [mitwirkender] Lazǎr, D. P [mitwirkender] Lindén, M [mitwirkender] Livage, J [mitwirkender] Lochmann, W [mitwirkender] Lojkowski, W [mitwirkender] Lovyagin, R. N [mitwirkender] Löbl, G [mitwirkender] Maeda, H [mitwirkender] Maenhout-Van Deb Voest, W [mitwirkender] Marais, A [mitwirkender] Matsuura, E [mitwirkender] Medvedkin, G.A [mitwirkender] Mende, G [mitwirkender] Mercebon, T [mitwirkender] Moish, U. V [mitwirkender] Nakayan, J [mitwirkender] Nath, Prem [mitwirkender] Nihoul, J [mitwirkender] Nihoul-Boutang, G [mitwirkender] Niziol, S [mitwirkender] Ochiai, Y [mitwirkender] O’Handley, R . C [mitwirkender] Palii, L [mitwirkender] Phadke, S. D [mitwirkender] Pielaszek, J [mitwirkender] Pillay, R. G [mitwirkender] Pipinys, P [mitwirkender] Pismennyi, Yu. G [mitwirkender] Ploog, K [mitwirkender] Porte, M [mitwirkender] Prodan, A [mitwirkender] Prokhorovich, A.V [mitwirkender] Rao, A. Ranga [mitwirkender] Rimeika, A [mitwirkender] Roggen, J [mitwirkender] Roy, M. K [mitwirkender] Rubin, L [mitwirkender] Rud, Yu.V [mitwirkender] Rumynina, A. F [mitwirkender] Runge, H [mitwirkender] Samartsev, V. V [mitwirkender] Sarrak, V.I [mitwirkender] Schnittler, Ch [mitwirkender] Sen, S. K [mitwirkender] Senateur, J. P [mitwirkender] Serttghetti, J [mitwirkender] Shantarovich, V. P [mitwirkender] Shtyrkov, E. I [mitwirkender] Siethoff, H [mitwirkender] Simeonov, S. S [mitwirkender] Simonov, P. A [mitwirkender] Sizmann, R [mitwirkender] Smektenko, P. S [mitwirkender] Sodomka, L [mitwirkender] Sokolova, V.I [mitwirkender] Stals, L [mitwirkender] Stankowski, J [mitwirkender] Stenin, S. I [mitwirkender] Stevens, G. C [mitwirkender] Strocka, B [mitwirkender] Sumida, N [mitwirkender] Suryanarayana, C [mitwirkender] Svechnikov, S. V [mitwirkender] Szytuła, A [mitwirkender] Tandon, P. N [mitwirkender] Theby, J [mitwirkender] Todoković, J [mitwirkender] Uchida, Y [mitwirkender] Valov, Yu.A [mitwirkender] Van Landuyt, J [mitwirkender] Van Sande, M [mitwirkender] Van Tendeloo, G [mitwirkender] Vankak, V. D [mitwirkender] Varin, R. A [mitwirkender] Vaughan, W. R [mitwirkender] Vivien, D [mitwirkender] Wieser, E [mitwirkender] Worl, H [mitwirkender] Wyrzykowski, J. W [mitwirkender] Yangui, B [mitwirkender] Zaręba, A [mitwirkender] Zyuganov, A. N [mitwirkender] |
|---|
| Format: |
E-Book |
|---|---|
| Sprache: |
Deutsch |
| Erschienen: |
Berlin Boston: De Gruyter ; 2021 |
|---|---|
| Ausgabe: |
Reprint 2021 |
| Rechteinformationen: |
Restricted Access |
|---|
| Schlagwörter: |
|---|
| Umfang: |
1 Online-Ressource (432 p) |
|---|---|
| Beschreibung: |
Mode of access: Internet via World Wide Web. |
| Reproduktion: |
[Online-Ausgabe] |
|---|
| Reihe: |
Physica status solidi ; A ; Volume 45, Number 2 |
|---|
| Links: | |
|---|---|
| ISBN: |
978-3-11-248072-4 |
| DOI / URN: |
10.1515/9783112480724 |
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| Katalog-ID: |
1785759620 |
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| 520 | |a Frontmatter -- Classification Scheme -- Contents -- Systematic List -- Original Papers -- The Effect of Implantation Temperature on the Mechanism of Misfit Dislocation Formation -- Measurement of the Electron Drift Velocity in InSb up to Fields of 800 V/cm in the Presence of Impact Ionization -- Strain Energy Controlled Shape of Crystals Forming Due to a Martensite Transformation or Decomposition -- On the Theory of Plastic Deformation with an Account of Dislocation Transformations of Several Types -- Electron Channeling in <111> Direction of Tungsten Crystals II. Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles | ||
| 533 | |a [Online-Ausgabe] | ||
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Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In German SCIENCE / General Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Alekseeva, O. K mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Asmat, H mitwirkender ctb Astie, B mitwirkender ctb Babeṣ, V mitwirkender ctb Barros, F. De S mitwirkender ctb Barton, J mitwirkender ctb Barua, A. K mitwirkender ctb Batev, P. M mitwirkender ctb Bińczycka, H mitwirkender ctb Bloor, D mitwirkender ctb Bordure, G mitwirkender ctb Boswell, F. W mitwirkender ctb Boudreaux, D. S mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braillon, P mitwirkender ctb Brossard, L mitwirkender ctb Brümmer, O mitwirkender ctb Bublik, V. T mitwirkender ctb Burzo, E mitwirkender ctb Bzinkovskaya, I. S mitwirkender ctb Carstanjen, H. D mitwirkender ctb Chopra, K. L mitwirkender ctb Cohkelis, J mitwirkender ctb Collongues, R mitwirkender ctb Corbett, J. M mitwirkender ctb Cristea, V mitwirkender ctb Dabgys, A mitwirkender ctb Das, S. 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Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In German SCIENCE / General Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Alekseeva, O. K mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Asmat, H mitwirkender ctb Astie, B mitwirkender ctb Babeṣ, V mitwirkender ctb Barros, F. De S mitwirkender ctb Barton, J mitwirkender ctb Barua, A. K mitwirkender ctb Batev, P. M mitwirkender ctb Bińczycka, H mitwirkender ctb Bloor, D mitwirkender ctb Bordure, G mitwirkender ctb Boswell, F. W mitwirkender ctb Boudreaux, D. S mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braillon, P mitwirkender ctb Brossard, L mitwirkender ctb Brümmer, O mitwirkender ctb Bublik, V. T mitwirkender ctb Burzo, E mitwirkender ctb Bzinkovskaya, I. S mitwirkender ctb Carstanjen, H. D mitwirkender ctb Chopra, K. L mitwirkender ctb Cohkelis, J mitwirkender ctb Collongues, R mitwirkender ctb Corbett, J. M mitwirkender ctb Cristea, V mitwirkender ctb Dabgys, A mitwirkender ctb Das, S. 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Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In German SCIENCE / General Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Alekseeva, O. K mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Asmat, H mitwirkender ctb Astie, B mitwirkender ctb Babeṣ, V mitwirkender ctb Barros, F. De S mitwirkender ctb Barton, J mitwirkender ctb Barua, A. K mitwirkender ctb Batev, P. M mitwirkender ctb Bińczycka, H mitwirkender ctb Bloor, D mitwirkender ctb Bordure, G mitwirkender ctb Boswell, F. W mitwirkender ctb Boudreaux, D. S mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braillon, P mitwirkender ctb Brossard, L mitwirkender ctb Brümmer, O mitwirkender ctb Bublik, V. T mitwirkender ctb Burzo, E mitwirkender ctb Bzinkovskaya, I. S mitwirkender ctb Carstanjen, H. D mitwirkender ctb Chopra, K. L mitwirkender ctb Cohkelis, J mitwirkender ctb Collongues, R mitwirkender ctb Corbett, J. M mitwirkender ctb Cristea, V mitwirkender ctb Dabgys, A mitwirkender ctb Das, S. 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N mitwirkender ctb 9783112480717 Erscheint auch als print 9783112480717 https://doi.org/10.1515/9783112480724 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112480724 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112480724/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBKALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 045F 530.41 20 01 0084 4035440426 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 14-01-22 21 01 0046 4043882777 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-01-22 22 01 0018 4110522765 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 02-04-22 23 01 0830 4036959603 olr-degruyter3 i z 17-01-22 24 01 0008 4037143216 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In German SCIENCE / General Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Alekseeva, O. K mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Asmat, H mitwirkender ctb Astie, B mitwirkender ctb Babeṣ, V mitwirkender ctb Barros, F. De S mitwirkender ctb Barton, J mitwirkender ctb Barua, A. K mitwirkender ctb Batev, P. M mitwirkender ctb Bińczycka, H mitwirkender ctb Bloor, D mitwirkender ctb Bordure, G mitwirkender ctb Boswell, F. W mitwirkender ctb Boudreaux, D. S mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braillon, P mitwirkender ctb Brossard, L mitwirkender ctb Brümmer, O mitwirkender ctb Bublik, V. T mitwirkender ctb Burzo, E mitwirkender ctb Bzinkovskaya, I. S mitwirkender ctb Carstanjen, H. D mitwirkender ctb Chopra, K. L mitwirkender ctb Cohkelis, J mitwirkender ctb Collongues, R mitwirkender ctb Corbett, J. M mitwirkender ctb Cristea, V mitwirkender ctb Dabgys, A mitwirkender ctb Das, S. R mitwirkender ctb De Menezes, J.V mitwirkender ctb Degauque, J mitwirkender ctb Dlubek, G mitwirkender ctb Dolocan, V mitwirkender ctb Dutt, M. B mitwirkender ctb Dünstl, J mitwirkender ctb Eichleb, H. J mitwirkender ctb Ejder, E mitwirkender ctb Farid, Z mitwirkender ctb Feder, R mitwirkender ctb Filippov, G. A mitwirkender ctb Fischer, A mitwirkender ctb Frtuchart, D mitwirkender ctb Fruchart, R mitwirkender ctb Fujimoto, F mitwirkender ctb Fujimuba, T mitwirkender ctb Fujita, H mitwirkender ctb Gbabski, M. W mitwirkender ctb Gerasimenko, N. N mitwirkender ctb Gignoux, D mitwirkender ctb Glinchuk, K.D mitwirkender ctb Gotô, T mitwirkender ctb Gourier, D mitwirkender ctb Greenberg, B. A mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Habtig, Ch mitwirkender ctb Hellborg, R mitwirkender ctb Hirose, M mitwirkender ctb Ivanov, M. A mitwirkender ctb Ivanovitch, M. D mitwirkender ctb Jacobsen, G mitwirkender ctb Jacquemin, J. L mitwirkender ctb Kafediiska, E. I mitwirkender ctb Kalinin, V. 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N mitwirkender ctb 9783112480717 Erscheint auch als print 9783112480717 https://doi.org/10.1515/9783112480724 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112480724 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112480724/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBKALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 045F 530.41 20 01 0084 4035440426 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 14-01-22 21 01 0046 4043882777 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-01-22 22 01 0018 4110522765 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 02-04-22 23 01 0830 4036959603 olr-degruyter3 i z 17-01-22 24 01 0008 4037143216 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In German SCIENCE / General Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Alekseeva, O. K mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Asmat, H mitwirkender ctb Astie, B mitwirkender ctb Babeṣ, V mitwirkender ctb Barros, F. De S mitwirkender ctb Barton, J mitwirkender ctb Barua, A. K mitwirkender ctb Batev, P. M mitwirkender ctb Bińczycka, H mitwirkender ctb Bloor, D mitwirkender ctb Bordure, G mitwirkender ctb Boswell, F. W mitwirkender ctb Boudreaux, D. S mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braillon, P mitwirkender ctb Brossard, L mitwirkender ctb Brümmer, O mitwirkender ctb Bublik, V. T mitwirkender ctb Burzo, E mitwirkender ctb Bzinkovskaya, I. S mitwirkender ctb Carstanjen, H. D mitwirkender ctb Chopra, K. L mitwirkender ctb Cohkelis, J mitwirkender ctb Collongues, R mitwirkender ctb Corbett, J. M mitwirkender ctb Cristea, V mitwirkender ctb Dabgys, A mitwirkender ctb Das, S. 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N mitwirkender ctb 9783112480717 Erscheint auch als print 9783112480717 https://doi.org/10.1515/9783112480724 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112480724 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112480724/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBKALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 045F 530.41 20 01 0084 4035440426 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 14-01-22 21 01 0046 4043882777 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-01-22 22 01 0018 4110522765 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 02-04-22 23 01 0830 4036959603 olr-degruyter3 i z 17-01-22 24 01 0008 4037143216 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 11-03-22 736 01 4736 4493921439 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4035130893 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 13-01-22 2006 01 DE-14 4427020968 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426565243 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438838096 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 16-12-23 2027 01 DE-105 4460450003 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586411872 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. Bitte beachten Sie die Nutzungshinweise auf unserer Homepage (de Gruyter) l01 02-10-24 2045 01 DE-Mit1 4490241887 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Volltext - Campuslizenz l01 22-02-24 2050 01 DE-Zi4 443883810X 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Zugriff im HSZG-Campusnetz. 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Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In German</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Aleksandrov, L. 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Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz).</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">31</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0027</subfield><subfield code="b">4036904353</subfield><subfield code="h">OLR-DeGruyterEBS</subfield><subfield code="k">Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen.</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">4080638523</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">05-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">4230811292</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">14-12-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4420291524</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">DeGruyter-EBA</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">14-12-23</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4037022117</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4043633696</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">90</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3090</subfield><subfield code="b">4037080958</subfield><subfield code="h">OLR-HILdegruyter</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4044160260</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Volltextzugriff nur für berechtigte Personen über das Campusnetz</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">26-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">120</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0715</subfield><subfield code="b">4034416092</subfield><subfield code="c">00</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">--%%--</subfield><subfield code="e">g</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">alma</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">13-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">122</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0897</subfield><subfield code="b">4043696884</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">130</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0700</subfield><subfield code="b">4037207249</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBA-EBKALL</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">140</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0839</subfield><subfield code="b">4043757883</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">147</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3528</subfield><subfield code="b">403735280X</subfield><subfield code="h">OLR-EBS-DG</subfield><subfield code="k">Multiuser | freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">264</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3264</subfield><subfield code="b">4043820496</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Physica status solidi Volume 45, Number 2: February 16 |
| abstract |
Frontmatter -- Classification Scheme -- Contents -- Systematic List -- Original Papers -- The Effect of Implantation Temperature on the Mechanism of Misfit Dislocation Formation -- Measurement of the Electron Drift Velocity in InSb up to Fields of 800 V/cm in the Presence of Impact Ionization -- Strain Energy Controlled Shape of Crystals Forming Due to a Martensite Transformation or Decomposition -- On the Theory of Plastic Deformation with an Account of Dislocation Transformations of Several Types -- Electron Channeling in <111> Direction of Tungsten Crystals II. Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles |
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Frontmatter -- Classification Scheme -- Contents -- Systematic List -- Original Papers -- The Effect of Implantation Temperature on the Mechanism of Misfit Dislocation Formation -- Measurement of the Electron Drift Velocity in InSb up to Fields of 800 V/cm in the Presence of Impact Ionization -- Strain Energy Controlled Shape of Crystals Forming Due to a Martensite Transformation or Decomposition -- On the Theory of Plastic Deformation with an Account of Dislocation Transformations of Several Types -- Electron Channeling in <111> Direction of Tungsten Crystals II. Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles |
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Frontmatter -- Classification Scheme -- Contents -- Systematic List -- Original Papers -- The Effect of Implantation Temperature on the Mechanism of Misfit Dislocation Formation -- Measurement of the Electron Drift Velocity in InSb up to Fields of 800 V/cm in the Presence of Impact Ionization -- Strain Energy Controlled Shape of Crystals Forming Due to a Martensite Transformation or Decomposition -- On the Theory of Plastic Deformation with an Account of Dislocation Transformations of Several Types -- Electron Channeling in <111> Direction of Tungsten Crystals II. Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles |
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Aleksandrov, L. N Alekseeva, O. K Ali, A. R Amelinckx, S Asmat, H Astie, B Babeṣ, V Barros, F. De S Barton, J Barua, A. K Batev, P. M Bińczycka, H Bloor, D Bordure, G Boswell, F. W Boudreaux, D. S Boulesteix, C Braillon, P Brossard, L Brümmer, O Bublik, V. T Burzo, E Bzinkovskaya, I. S Carstanjen, H. D Chopra, K. L Cohkelis, J Collongues, R Corbett, J. M Cristea, V Dabgys, A Das, S. R De Menezes, J.V Degauque, J Dlubek, G Dolocan, V Dutt, M. B Dünstl, J Eichleb, H. J Ejder, E Farid, Z Feder, R Filippov, G. A Fischer, A Frtuchart, D Fruchart, R Fujimoto, F Fujimuba, T Fujita, H Gbabski, M. W Gerasimenko, N. N Gignoux, D Glinchuk, K.D Gotô, T Gourier, D Greenberg, B. A Görlich Habtig, Ch Hellborg, R Hirose, M Ivanov, M. A Ivanovitch, M. D Jacobsen, G Jacquemin, J. L Kafediiska, E. I Kalinin, V. V Kamel, R Kamiyoshi, K Karekar, R. N Khachaturyan, A. G Kieu, V. C Kirschner, J Knof, J Koóka, J Kristofik, J Krupski, M Kubin, L. P Landgraf-Dietz, D Lazǎr, D. P Lindén, M Livage, J Lochmann, W Lojkowski, W Lovyagin, R. N Löbl, G Maeda, H Maenhout-Van Deb Voest, W Marais, A Matsuura, E Medvedkin, G.A Mende, G Mercebon, T Moish, U. V Nakayan, J Nath, Prem Nihoul, J Nihoul-Boutang, G Niziol, S Ochiai, Y O’Handley, R . C Palii, L Phadke, S. D Pielaszek, J Pillay, R. G Pipinys, P Pismennyi, Yu. G Ploog, K Porte, M Prodan, A Prokhorovich, A.V Rao, A. Ranga Rimeika, A Roggen, J Roy, M. K Rubin, L Rud, Yu.V Rumynina, A. F Runge, H Samartsev, V. V Sarrak, V.I Schnittler, Ch Sen, S. K Senateur, J. P Serttghetti, J Shantarovich, V. P Shtyrkov, E. I Siethoff, H Simeonov, S. S Simonov, P. A Sizmann, R Smektenko, P. S Sodomka, L Sokolova, V.I Stals, L Stankowski, J Stenin, S. I Stevens, G. C Strocka, B Sumida, N Suryanarayana, C Svechnikov, S. V Szytuła, A Tandon, P. N Theby, J Todoković, J Uchida, Y Valov, Yu.A Van Landuyt, J Van Sande, M Van Tendeloo, G Vankak, V. D Varin, R. A Vaughan, W. R Vivien, D Wieser, E Worl, H Wyrzykowski, J. W Yangui, B Zaręba, A Zyuganov, A. N |
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Energy Range of 1000 to 2000 keV2) -- Annealing Spectrum of Cold-Worked Dilute Al-Li Alloys -- Phonon-Assisted Auger Recombination in Indirect Gap Semiconductors -- Laser Induced Gratings in CdS -- α-Particle Irradiation Damage and Stage I Recovery in Zinc2) -- Magnetocrystalline Anisotropy of Pr(Co1_xCux)5 Compounds Experiment and Theoretical Analysis -- Plastic Deformation of Calcite Single Crystals Deformed in Compression Parallel to [111] -- Photoconductivity and the Negative Differential Photo-Effect in Sulfur-Annealed ZnS Single Crystals -- On the Ordering of Fe Atoms in FexNbS2 -- ESR Studies of a Diacetylene Polymer I. Partially Crystalline Polymer Extracts -- Evidence for the Interaction between Magnetic Domain Walls and Dislocations in High-Purity Iron from Magnetomechanical Damping Experiments -- Etude au moyen de l'ordre directionnel d'une série de ferrites de manganèse à excès de manganèse Valence des cations et répartition de ces ions sur les sites A et B -- Autoradiographic Detection of Getter Effect of Argon-Implanted Layers in Silicon -- Ultrasonic Investigation of the Phase Transitions in NH4Cl 1-x Brx Mixed Crystals -- p-n Junctions in the Surface Region of Silicon Obtained by Evaporation of Silicon in Ultrahigh Vacuum -- Lattice Location and Determination of Thermal Amplitudes of Deuterium in a-PdD0.007by Channeling -- Optical Properties of PbxSn 1-x O2Films2) -- The Mean Square Atomic Displacements and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors -- Coupling of Surface Acoustic Waves Propagating in Two Separated Piezoelectric Media -- A Study by Transmission Electron Microscopy and Diffraction of the Ternary Alloy System Cu2AuPd2 -- AC Conductivity of CdAs2-Based Glasses1 -- Spreading of Extrinsic Grain Boundary Dislocations in Plastically Deformed Aluminium -- Current Controlled Negative Resistance in GaAs at Low Temperatures -- Numerical Simulation of the AC Electrical Properties of Random Inhomogeneous Systems Application to Heat-Treated Polymers -- New High-Pressure Phase in [Ni(NH3)6] (CLO4)2 Detected by EPR -- Structure magnétique des MnCoSi -- ESR of Copper-Doped β-Alumina Localization of Cu 2+ and Linewidth Effect -- Magnetic Properties of Transition Metal-Metalloid Glasses A Charge Transfer Model -- The Seebeck Effect on Nb-Doped Ti02 Rutile -- α <100> Dislocation Loops in Magnesium Oxide -- Regime of Contact Emission Limited Current with Weak Harmonic Distortion of Steady Bias -- Influence of Upper Laue Areas on Fine Structure of Bend Contours near a High Symmetry Axis -- Dynamic Holograms on the Superposition States of Atoms -- The Diffusion of Iron in Copper and of Nickel in Silver -- Structure of Vacuum Evaporated CdxZn 1-x S Thin Films -- Schottky Barrier on W-GUAs Contact -- Figure -- Short Notes -- Imaging of Photorefractive Effects in LiNbO3 by Double Crystal X-Ray Reflection Topography -- Comparison of Positron Annihilation and X-Ray Estimations of the Dislocation Density and Depth of Dislocation Profiles in Nickel T ransformed into Hydride and Decomposed -- The Role of Different Local Centres in the Determination of the Concentration Dependence of the Intrinsic Emission Intensity in n-Type GaAs -- Photoconductivity of p-Type CdSnP2 Single Crystals -- Spin-Lattice Relaxation at High Temperatures in Heavily Doped n-Type Silicon -- Investigation of Magnetic Preferred Directions in an Fe-Mn Base Alloy -- Hyperfine Magnetic Field at Sn in Heusler Alloys Rh2MnSn and Rh2NiSn -- Current Pulses in ZnS;Cu Crystals Stimulated by Electric Field at Low Temperatures -- Surface Structure Determination via LEED Rotation Diagrams and the Relaxation of W (001) -- A Comparison of Calculated Arsenic Implantation Profiles in Silicon with Experimental Results -- A Simple Method for the Determination of Parameters of Ion Implanted Doping Profiles by Means of Threshold Voltage Measurements of MOSFET's -- Solute-Vacancy Binding Energies in Magnesium Alloys -- On the Creep of Germanium and Silicon -- On the Mossbauer Spectrum of FeC2O4·2H2O -- Paramagnetic Behaviour of Gd(FexCo 1-x)2 Compounds -- Magnetic Properties and Structures of TbAlGa and HoAlGa -- Some Electrical Properties of Bi2O3 Thin Films -- Positron Annihilation for Martensite Defect Identification -- Photocurrents through Polythiourea and Polymalononitrile Thin Films -- Channeling Studies of As-Grown GaN -- Mechanoluminescent Spectra of Silicon Carbide Powders -- Growth of AL2O3 Layer on MBE GaAs -- Some New Aspects of the SCLC Characteristic of Homogeneous Insulators with Traps -- Piezoconductivity of ft-Rhombohedral Boron -- Pre-printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In German</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Aleksandrov, L. 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Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">14-12-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4420291524</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">DeGruyter-EBA</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">14-12-23</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4037022117</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4043633696</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-01-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4044160260</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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