Physica status solidi : Volume 86, Number 1: November 16

Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- A Survey of Domains and Domain Walls Generated by Crystallographic Phase Transitions Causing a Change of the Lattice -- Original Papers and Short Notes -- A New Method of Evaluation oi the Structure of Molten Sodium Chloride -- Phase Information in Transmission Electron-Microscope Investigation of Defects. Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Autor*in:	Afanasiev, A. M [mitwirkender] Aladashvili, D. I [mitwirkender] Aldzhanov, M. A [mitwirkender] Aleksandrov, P. A [mitwirkender] Alekseevskii, N. E [mitwirkender] Anh, T. K [mitwirkender] Aristov, V. V [mitwirkender] Arkhipov, V. E [mitwirkender] Baranskii, P. I [mitwirkender] Barthel, C [mitwirkender] Barthel, U [mitwirkender] Basu, P. K [mitwirkender] Bazan, C [mitwirkender] Belokoneva, E. L [mitwirkender] Bender, H [mitwirkender] Bich, V. T [mitwirkender] Blanchin, M. G [mitwirkender] Blau, W [mitwirkender] Borgabdt, N. I [mitwirkender] Bose, M. S. C [mitwirkender] Boulesteix, C [mitwirkender] Braatz, U [mitwirkender] Braune, W [mitwirkender] Bursill, L. A [mitwirkender] Butashin, A. V [mitwirkender] Capelletti, R [mitwirkender] Chaudhuri, D. Ray [mitwirkender] Chen, C. C [mitwirkender] Chot, Tran [mitwirkender] Davies, G. J [mitwirkender] Dinh, N. N [mitwirkender] Duval, P [mitwirkender] Dvurechenskh, A. V [mitwirkender] D’Amico, A [mitwirkender] Eissa, H. M [mitwirkender] El-Oker, M. M [mitwirkender] Evstigneev, A. M [mitwirkender] Evtushenko, A. A [mitwirkender] Fainbekg, V. I [mitwirkender] Fasold, D [mitwirkender] Feigelman, V. A [mitwirkender] Fernandez, J. Rodriguez [mitwirkender] Fortunato, G [mitwirkender] Fujii, H [mitwirkender] Garrard, B. J [mitwirkender] Gerasimenko, N. N [mitwirkender] Ghosh, B [mitwirkender] Gignoux, D [mitwirkender] Gilewski, A [mitwirkender] Golikova, O. A [mitwirkender] Gomez-Sal, J. C [mitwirkender] Gonzalez, H. C [mitwirkender] Goshchitskii, B. N [mitwirkender] Gren, B [mitwirkender] Grishchenko, T. G [mitwirkender] Grusha, S. A [mitwirkender] Guile, A. E [mitwirkender] Guseinov, D. A [mitwirkender] Gusev, A. I [mitwirkender] Görlich [herausgeberIn] Hartmann, E [mitwirkender] Hashimoto, H [mitwirkender] Hashimoto, I [mitwirkender] Hehl, K [mitwirkender] Herrmann, Karin [mitwirkender] Herrmann, R [mitwirkender] Hidaka, M [mitwirkender] Hoche, H.-R [mitwirkender] Ikari, T [mitwirkender] Imamov, R. M [mitwirkender] Ishio, S [mitwirkender] Ismailov, K. A [mitwirkender] Janich, J [mitwirkender] Jetschke, S [mitwirkender] Kalinin, V. V [mitwirkender] Kameswari, N [mitwirkender] Kaminskii, A. A [mitwirkender] Karkin, A. E [mitwirkender] Kashnikov, B . P [mitwirkender] Kathuria, S. P [mitwirkender] Katovic, Z [mitwirkender] Khatko, V. V [mitwirkender] Khlybov, E. P [mitwirkender] Khodzhabagyan, G. G [mitwirkender] Kirsanov, V. V [mitwirkender] Kislitsin, S. B [mitwirkender] Kislitsina, E. M [mitwirkender] Kleinstück, K [mitwirkender] Koga, Y [mitwirkender] Kokhanchik, L. S [mitwirkender] Kolk, J [mitwirkender] Kolomiets, B. T [mitwirkender] Konakova, R. V [mitwirkender] Konczewicz, L [mitwirkender] Konin, A. M [mitwirkender] Kostial, P [mitwirkender] Kovacs, L [mitwirkender] Kozanecki, A [mitwirkender] Kozhanov, V. N [mitwirkender] Kozlov, M. A [mitwirkender] Kramar, G. P [mitwirkender] Krasiko, A. N [mitwirkender] Kubicki, N [mitwirkender] Lavrentev, F. 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Format:	E-Book
Sprache:	Englisch

Erschienen:	Berlin Boston: De Gruyter ; 2022
Ausgabe:	Reprint 2021

Rechteinformationen:	Restricted Access

Schlagwörter:	SCIENCE / General

Umfang:	1 Online-Ressource (568 p)
Beschreibung:	Mode of access: Internet via World Wide Web.

Reproduktion:	[Online-Ausgabe]

Reihe:	Physica status solidi ; A ; Volume 86, Number 1

Links:	Link aufrufen Link aufrufen Link aufrufen Cover
ISBN:	978-3-11-250148-1

DOI / URN:	10.1515/9783112501481

Katalog-ID:	1788540085

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Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter
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Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Afanasiev, A. M mitwirkender ctb Aladashvili, D. I mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, P. A mitwirkender ctb Alekseevskii, N. E mitwirkender ctb Anh, T. K mitwirkender ctb Aristov, V. V mitwirkender ctb Arkhipov, V. E mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barthel, C mitwirkender ctb Barthel, U mitwirkender ctb Basu, P. K mitwirkender ctb Bazan, C mitwirkender ctb Belokoneva, E. L mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Bich, V. T mitwirkender ctb Blanchin, M. G mitwirkender ctb Blau, W mitwirkender ctb Borgabdt, N. I mitwirkender ctb Bose, M. S. C mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braatz, U mitwirkender ctb Braune, W mitwirkender ctb Bursill, L. A mitwirkender ctb Butashin, A. V mitwirkender ctb Capelletti, R mitwirkender ctb Chaudhuri, D. Ray mitwirkender ctb Chen, C. C mitwirkender ctb Chot, Tran mitwirkender ctb Davies, G. J mitwirkender ctb Dinh, N. 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Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz). z 17-02-22 31 01 0027 4062680688 OLR-DeGruyterEBS Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen. Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 34 01 3551 408069914X OLR-EBAKALL-EBS Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg z 05-03-22 60 01 0705 406298749X DeGruyterArchiv Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 147 01 3528 4062912929 OLR-EBS-DG Multiuser \| freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 264 01 3264 4073730959 OLR-deGruyter-EBS Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 285 01 0517 4590319896 OLR-GRUY-TEST Zugriff zeitlich begrenzt (EBS) Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 10-10-24 370 01 4370 4087760138 EBS deGruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 11-03-22 736 01 4736 4493979631 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4051849015 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 07-02-22 2006 01 DE-14 4426957672 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426507464 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438693853 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460371758 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586382406 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. 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Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Afanasiev, A. M mitwirkender ctb Aladashvili, D. I mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, P. A mitwirkender ctb Alekseevskii, N. E mitwirkender ctb Anh, T. K mitwirkender ctb Aristov, V. V mitwirkender ctb Arkhipov, V. E mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barthel, C mitwirkender ctb Barthel, U mitwirkender ctb Basu, P. K mitwirkender ctb Bazan, C mitwirkender ctb Belokoneva, E. L mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Bich, V. T mitwirkender ctb Blanchin, M. G mitwirkender ctb Blau, W mitwirkender ctb Borgabdt, N. I mitwirkender ctb Bose, M. S. C mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braatz, U mitwirkender ctb Braune, W mitwirkender ctb Bursill, L. A mitwirkender ctb Butashin, A. V mitwirkender ctb Capelletti, R mitwirkender ctb Chaudhuri, D. Ray mitwirkender ctb Chen, C. C mitwirkender ctb Chot, Tran mitwirkender ctb Davies, G. J mitwirkender ctb Dinh, N. N mitwirkender ctb Duval, P mitwirkender ctb Dvurechenskh, A. V mitwirkender ctb D’Amico, A mitwirkender ctb Eissa, H. M mitwirkender ctb El-Oker, M. M mitwirkender ctb Evstigneev, A. M mitwirkender ctb Evtushenko, A. A mitwirkender ctb Fainbekg, V. I mitwirkender ctb Fasold, D mitwirkender ctb Feigelman, V. A mitwirkender ctb Fernandez, J. Rodriguez mitwirkender ctb Fortunato, G mitwirkender ctb Fujii, H mitwirkender ctb Garrard, B. J mitwirkender ctb Gerasimenko, N. N mitwirkender ctb Ghosh, B mitwirkender ctb Gignoux, D mitwirkender ctb Gilewski, A mitwirkender ctb Golikova, O. A mitwirkender ctb Gomez-Sal, J. C mitwirkender ctb Gonzalez, H. C mitwirkender ctb Goshchitskii, B. N mitwirkender ctb Gren, B mitwirkender ctb Grishchenko, T. G mitwirkender ctb Grusha, S. A mitwirkender ctb Guile, A. E mitwirkender ctb Guseinov, D. A mitwirkender ctb Gusev, A. 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P mitwirkender ctb 9783112501474 Erscheint auch als print 9783112501474 https://doi.org/10.1515/9783112501481 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112501481 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112501481/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 045F 530.41 20 01 0084 4077054052 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 4073758918 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 4112637616 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062705346 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062777088 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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allfields_unstemmed	9783112501481 978-3-11-250148-1 10.1515/9783112501481 doi (DE-627)1788540085 (DE-599)KEP074823493 (DE-B1597)597971 (EBP)074823493 DE-627 eng DE-627 rda eng XA-DE SCI000000 bisacsh Physica status solidi Volume 86, Number 1: November 16 A ; ed. by Görlich Reprint 2021 Berlin Boston De Gruyter [2022] 1 Online-Ressource (568 p) Text txt rdacontent Computermedien c rdamedia Online-Ressource cr rdacarrier Physica status solidi Volume 86, Number 1 A Restricted Access Controlled Vocabulary for Access Rights http://purl.org/coar/access_right/c_16ec online access with authorization star Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- A Survey of Domains and Domain Walls Generated by Crystallographic Phase Transitions Causing a Change of the Lattice -- Original Papers and Short Notes -- A New Method of Evaluation oi the Structure of Molten Sodium Chloride -- Phase Information in Transmission Electron-Microscope Investigation of Defects. Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Afanasiev, A. M mitwirkender ctb Aladashvili, D. I mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, P. A mitwirkender ctb Alekseevskii, N. E mitwirkender ctb Anh, T. K mitwirkender ctb Aristov, V. V mitwirkender ctb Arkhipov, V. E mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barthel, C mitwirkender ctb Barthel, U mitwirkender ctb Basu, P. K mitwirkender ctb Bazan, C mitwirkender ctb Belokoneva, E. L mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Bich, V. T mitwirkender ctb Blanchin, M. G mitwirkender ctb Blau, W mitwirkender ctb Borgabdt, N. I mitwirkender ctb Bose, M. S. C mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braatz, U mitwirkender ctb Braune, W mitwirkender ctb Bursill, L. A mitwirkender ctb Butashin, A. V mitwirkender ctb Capelletti, R mitwirkender ctb Chaudhuri, D. Ray mitwirkender ctb Chen, C. C mitwirkender ctb Chot, Tran mitwirkender ctb Davies, G. J mitwirkender ctb Dinh, N. N mitwirkender ctb Duval, P mitwirkender ctb Dvurechenskh, A. V mitwirkender ctb D’Amico, A mitwirkender ctb Eissa, H. M mitwirkender ctb El-Oker, M. M mitwirkender ctb Evstigneev, A. M mitwirkender ctb Evtushenko, A. A mitwirkender ctb Fainbekg, V. I mitwirkender ctb Fasold, D mitwirkender ctb Feigelman, V. A mitwirkender ctb Fernandez, J. Rodriguez mitwirkender ctb Fortunato, G mitwirkender ctb Fujii, H mitwirkender ctb Garrard, B. J mitwirkender ctb Gerasimenko, N. N mitwirkender ctb Ghosh, B mitwirkender ctb Gignoux, D mitwirkender ctb Gilewski, A mitwirkender ctb Golikova, O. A mitwirkender ctb Gomez-Sal, J. C mitwirkender ctb Gonzalez, H. C mitwirkender ctb Goshchitskii, B. N mitwirkender ctb Gren, B mitwirkender ctb Grishchenko, T. G mitwirkender ctb Grusha, S. A mitwirkender ctb Guile, A. E mitwirkender ctb Guseinov, D. A mitwirkender ctb Gusev, A. I mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Hartmann, E mitwirkender ctb Hashimoto, H mitwirkender ctb Hashimoto, I mitwirkender ctb Hehl, K mitwirkender ctb Herrmann, Karin mitwirkender ctb Herrmann, R mitwirkender ctb Hidaka, M mitwirkender ctb Hoche, H.-R mitwirkender ctb Ikari, T mitwirkender ctb Imamov, R. M mitwirkender ctb Ishio, S mitwirkender ctb Ismailov, K. A mitwirkender ctb Janich, J mitwirkender ctb Jetschke, S mitwirkender ctb Kalinin, V. V mitwirkender ctb Kameswari, N mitwirkender ctb Kaminskii, A. A mitwirkender ctb Karkin, A. E mitwirkender ctb Kashnikov, B . P mitwirkender ctb Kathuria, S. P mitwirkender ctb Katovic, Z mitwirkender ctb Khatko, V. V mitwirkender ctb Khlybov, E. P mitwirkender ctb Khodzhabagyan, G. G mitwirkender ctb Kirsanov, V. V mitwirkender ctb Kislitsin, S. B mitwirkender ctb Kislitsina, E. M mitwirkender ctb Kleinstück, K mitwirkender ctb Koga, Y mitwirkender ctb Kokhanchik, L. S mitwirkender ctb Kolk, J mitwirkender ctb Kolomiets, B. T mitwirkender ctb Konakova, R. V mitwirkender ctb Konczewicz, L mitwirkender ctb Konin, A. M mitwirkender ctb Kostial, P mitwirkender ctb Kovacs, L mitwirkender ctb Kozanecki, A mitwirkender ctb Kozhanov, V. N mitwirkender ctb Kozlov, M. A mitwirkender ctb Kramar, G. P mitwirkender ctb Krasiko, A. N mitwirkender ctb Kubicki, N mitwirkender ctb Lavrentev, F. F mitwirkender ctb Lemke, H mitwirkender ctb Long, P mitwirkender ctb Lugakov, P. F mitwirkender ctb Lushchik, A mitwirkender ctb Lushchik, Ch mitwirkender ctb Lushchik, N mitwirkender ctb Lyubin, V. M mitwirkender ctb Mager, S mitwirkender ctb Maksimov, S. K mitwirkender ctb Malétras, P mitwirkender ctb Manfredi, M mitwirkender ctb Marcinkowski, M. J mitwirkender ctb Mazen, S. A mitwirkender ctb Mill, B. V mitwirkender ctb Mirmelshtein, A. V mitwirkender ctb Mitin, A. V mitwirkender ctb Mogus-Milankovic, A mitwirkender ctb Morais, P. C mitwirkender ctb Morgan, D. V mitwirkender ctb Muhammad, A. J mitwirkender ctb Nazarova, S. Z mitwirkender ctb Neto, K. Skeff mitwirkender ctb Ngoc, T mitwirkender ctb Ohtaki, S mitwirkender ctb Ohtani, Y mitwirkender ctb Olszyna, A mitwirkender ctb Oskin, V. E mitwirkender ctb Paitz, J mitwirkender ctb Pal, S. Kumar mitwirkender ctb Panova, Ya. I mitwirkender ctb Pashaev, E. M mitwirkender ctb Pawelek, A mitwirkender ctb Petrenko, V. F mitwirkender ctb Pisarevskii, Yu. V mitwirkender ctb Piskunov, D. I mitwirkender ctb Plotnikov, V. N mitwirkender ctb Pogrebnyak, A. D mitwirkender ctb Porowski, S mitwirkender ctb Quan, Dang Tran mitwirkender ctb Ramanujachari, K. V mitwirkender ctb Rao, R. V. G mitwirkender ctb Rempel, A. A mitwirkender ctb Romanov, E. P mitwirkender ctb Rosa, J mitwirkender ctb Roy, J. B mitwirkender ctb Rumak, N. V mitwirkender ctb Ryzhkin, I. A mitwirkender ctb Rzewuski, H mitwirkender ctb Sabharwal, S. C mitwirkender ctb Saenko, V. S mitwirkender ctb Salita, O. P mitwirkender ctb Sarkisov, S. E mitwirkender ctb Sasaki, Y mitwirkender ctb Sasciuk, A. P mitwirkender ctb Savyak, V. V mitwirkender ctb Schnürer, M mitwirkender ctb Schreiber, J mitwirkender ctb Shah, M. B mitwirkender ctb Shchagina, N. M mitwirkender ctb Sheromov, M. A mitwirkender ctb Shigetomi, S mitwirkender ctb Shusha, V. V mitwirkender ctb Shuvalov, L. A mitwirkender ctb Silvestrova, I. M mitwirkender ctb Simonenko, Yu. V mitwirkender ctb Sinishchuk, I. K mitwirkender ctb Sobczynska, D mitwirkender ctb Sokolskii, S. V mitwirkender ctb Solovev, N. E mitwirkender ctb Sorge, G mitwirkender ctb Stepanov, S. A mitwirkender ctb Sundaram, A. Meenakshi mitwirkender ctb Suprunchik, V . V mitwirkender ctb Swamy, C. S mitwirkender ctb Taguyrdzhanov, M. A mitwirkender ctb Takahashi, M mitwirkender ctb Takeda, M mitwirkender ctb Tale, I mitwirkender ctb Tkhoeik, Yu. A mitwirkender ctb Tognato, R mitwirkender ctb Tomm, J. W mitwirkender ctb Topic, M mitwirkender ctb Torbicz, W mitwirkender ctb Tronconi, A. L mitwirkender ctb Tse, W. 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P mitwirkender ctb 9783112501474 Erscheint auch als print 9783112501474 https://doi.org/10.1515/9783112501481 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112501481 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112501481/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 045F 530.41 20 01 0084 4077054052 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 4073758918 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 4112637616 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062705346 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062777088 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 4073628097 OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062752573 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073789392 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Afanasiev, A. M mitwirkender ctb Aladashvili, D. I mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, P. A mitwirkender ctb Alekseevskii, N. E mitwirkender ctb Anh, T. K mitwirkender ctb Aristov, V. V mitwirkender ctb Arkhipov, V. E mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barthel, C mitwirkender ctb Barthel, U mitwirkender ctb Basu, P. K mitwirkender ctb Bazan, C mitwirkender ctb Belokoneva, E. L mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Bich, V. T mitwirkender ctb Blanchin, M. G mitwirkender ctb Blau, W mitwirkender ctb Borgabdt, N. I mitwirkender ctb Bose, M. S. C mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braatz, U mitwirkender ctb Braune, W mitwirkender ctb Bursill, L. A mitwirkender ctb Butashin, A. V mitwirkender ctb Capelletti, R mitwirkender ctb Chaudhuri, D. Ray mitwirkender ctb Chen, C. C mitwirkender ctb Chot, Tran mitwirkender ctb Davies, G. J mitwirkender ctb Dinh, N. N mitwirkender ctb Duval, P mitwirkender ctb Dvurechenskh, A. V mitwirkender ctb D’Amico, A mitwirkender ctb Eissa, H. M mitwirkender ctb El-Oker, M. M mitwirkender ctb Evstigneev, A. M mitwirkender ctb Evtushenko, A. A mitwirkender ctb Fainbekg, V. I mitwirkender ctb Fasold, D mitwirkender ctb Feigelman, V. A mitwirkender ctb Fernandez, J. Rodriguez mitwirkender ctb Fortunato, G mitwirkender ctb Fujii, H mitwirkender ctb Garrard, B. J mitwirkender ctb Gerasimenko, N. N mitwirkender ctb Ghosh, B mitwirkender ctb Gignoux, D mitwirkender ctb Gilewski, A mitwirkender ctb Golikova, O. A mitwirkender ctb Gomez-Sal, J. C mitwirkender ctb Gonzalez, H. C mitwirkender ctb Goshchitskii, B. N mitwirkender ctb Gren, B mitwirkender ctb Grishchenko, T. G mitwirkender ctb Grusha, S. A mitwirkender ctb Guile, A. E mitwirkender ctb Guseinov, D. A mitwirkender ctb Gusev, A. I mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Hartmann, E mitwirkender ctb Hashimoto, H mitwirkender ctb Hashimoto, I mitwirkender ctb Hehl, K mitwirkender ctb Herrmann, Karin mitwirkender ctb Herrmann, R mitwirkender ctb Hidaka, M mitwirkender ctb Hoche, H.-R mitwirkender ctb Ikari, T mitwirkender ctb Imamov, R. M mitwirkender ctb Ishio, S mitwirkender ctb Ismailov, K. A mitwirkender ctb Janich, J mitwirkender ctb Jetschke, S mitwirkender ctb Kalinin, V. V mitwirkender ctb Kameswari, N mitwirkender ctb Kaminskii, A. A mitwirkender ctb Karkin, A. E mitwirkender ctb Kashnikov, B . P mitwirkender ctb Kathuria, S. P mitwirkender ctb Katovic, Z mitwirkender ctb Khatko, V. V mitwirkender ctb Khlybov, E. P mitwirkender ctb Khodzhabagyan, G. G mitwirkender ctb Kirsanov, V. V mitwirkender ctb Kislitsin, S. B mitwirkender ctb Kislitsina, E. M mitwirkender ctb Kleinstück, K mitwirkender ctb Koga, Y mitwirkender ctb Kokhanchik, L. S mitwirkender ctb Kolk, J mitwirkender ctb Kolomiets, B. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 4073628097 OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062752573 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073789392 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Afanasiev, A. M mitwirkender ctb Aladashvili, D. I mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, P. A mitwirkender ctb Alekseevskii, N. E mitwirkender ctb Anh, T. K mitwirkender ctb Aristov, V. V mitwirkender ctb Arkhipov, V. E mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barthel, C mitwirkender ctb Barthel, U mitwirkender ctb Basu, P. K mitwirkender ctb Bazan, C mitwirkender ctb Belokoneva, E. L mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Bich, V. T mitwirkender ctb Blanchin, M. G mitwirkender ctb Blau, W mitwirkender ctb Borgabdt, N. I mitwirkender ctb Bose, M. S. C mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Braatz, U mitwirkender ctb Braune, W mitwirkender ctb Bursill, L. A mitwirkender ctb Butashin, A. V mitwirkender ctb Capelletti, R mitwirkender ctb Chaudhuri, D. Ray mitwirkender ctb Chen, C. C mitwirkender ctb Chot, Tran mitwirkender ctb Davies, G. J mitwirkender ctb Dinh, N. N mitwirkender ctb Duval, P mitwirkender ctb Dvurechenskh, A. V mitwirkender ctb D’Amico, A mitwirkender ctb Eissa, H. M mitwirkender ctb El-Oker, M. M mitwirkender ctb Evstigneev, A. M mitwirkender ctb Evtushenko, A. A mitwirkender ctb Fainbekg, V. I mitwirkender ctb Fasold, D mitwirkender ctb Feigelman, V. A mitwirkender ctb Fernandez, J. Rodriguez mitwirkender ctb Fortunato, G mitwirkender ctb Fujii, H mitwirkender ctb Garrard, B. J mitwirkender ctb Gerasimenko, N. N mitwirkender ctb Ghosh, B mitwirkender ctb Gignoux, D mitwirkender ctb Gilewski, A mitwirkender ctb Golikova, O. A mitwirkender ctb Gomez-Sal, J. C mitwirkender ctb Gonzalez, H. C mitwirkender ctb Goshchitskii, B. N mitwirkender ctb Gren, B mitwirkender ctb Grishchenko, T. G mitwirkender ctb Grusha, S. A mitwirkender ctb Guile, A. E mitwirkender ctb Guseinov, D. A mitwirkender ctb Gusev, A. 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Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Afanasiev, A. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118619490</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">406272815X</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4073628097</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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abstract	Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- A Survey of Domains and Domain Walls Generated by Crystallographic Phase Transitions Causing a Change of the Lattice -- Original Papers and Short Notes -- A New Method of Evaluation oi the Structure of Molten Sodium Chloride -- Phase Information in Transmission Electron-Microscope Investigation of Defects. Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter
abstractGer	Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- A Survey of Domains and Domain Walls Generated by Crystallographic Phase Transitions Causing a Change of the Lattice -- Original Papers and Short Notes -- A New Method of Evaluation oi the Structure of Molten Sodium Chloride -- Phase Information in Transmission Electron-Microscope Investigation of Defects. Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter
abstract_unstemmed	Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- A Survey of Domains and Domain Walls Generated by Crystallographic Phase Transitions Causing a Change of the Lattice -- Original Papers and Short Notes -- A New Method of Evaluation oi the Structure of Molten Sodium Chloride -- Phase Information in Transmission Electron-Microscope Investigation of Defects. Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. 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author2	Afanasiev, A. M Aladashvili, D. I Aldzhanov, M. A Aleksandrov, P. A Alekseevskii, N. E Anh, T. K Aristov, V. V Arkhipov, V. E Baranskii, P. I Barthel, C Barthel, U Basu, P. K Bazan, C Belokoneva, E. L Bender, H Bich, V. T Blanchin, M. G Blau, W Borgabdt, N. I Bose, M. S. C Boulesteix, C Braatz, U Braune, W Bursill, L. A Butashin, A. V Capelletti, R Chaudhuri, D. Ray Chen, C. C Chot, Tran Davies, G. J Dinh, N. N Duval, P Dvurechenskh, A. V D’Amico, A Eissa, H. M El-Oker, M. M Evstigneev, A. M Evtushenko, A. A Fainbekg, V. I Fasold, D Feigelman, V. A Fernandez, J. Rodriguez Fortunato, G Fujii, H Garrard, B. J Gerasimenko, N. N Ghosh, B Gignoux, D Gilewski, A Golikova, O. A Gomez-Sal, J. C Gonzalez, H. C Goshchitskii, B. N Gren, B Grishchenko, T. G Grusha, S. A Guile, A. E Guseinov, D. A Gusev, A. I Görlich Hartmann, E Hashimoto, H Hashimoto, I Hehl, K Herrmann, Karin Herrmann, R Hidaka, M Hoche, H.-R Ikari, T Imamov, R. M Ishio, S Ismailov, K. A Janich, J Jetschke, S Kalinin, V. V Kameswari, N Kaminskii, A. A Karkin, A. E Kashnikov, B . P Kathuria, S. P Katovic, Z Khatko, V. V Khlybov, E. P Khodzhabagyan, G. G Kirsanov, V. V Kislitsin, S. B Kislitsina, E. M Kleinstück, K Koga, Y Kokhanchik, L. S Kolk, J Kolomiets, B. T Konakova, R. V Konczewicz, L Konin, A. M Kostial, P Kovacs, L Kozanecki, A Kozhanov, V. N Kozlov, M. A Kramar, G. P Krasiko, A. N Kubicki, N Lavrentev, F. F Lemke, H Long, P Lugakov, P. F Lushchik, A Lushchik, Ch Lushchik, N Lyubin, V. M Mager, S Maksimov, S. K Malétras, P Manfredi, M Marcinkowski, M. J Mazen, S. A Mill, B. V Mirmelshtein, A. V Mitin, A. V Mogus-Milankovic, A Morais, P. C Morgan, D. V Muhammad, A. J Nazarova, S. Z Neto, K. Skeff Ngoc, T Ohtaki, S Ohtani, Y Olszyna, A Oskin, V. E Paitz, J Pal, S. Kumar Panova, Ya. I Pashaev, E. M Pawelek, A Petrenko, V. F Pisarevskii, Yu. V Piskunov, D. I Plotnikov, V. N Pogrebnyak, A. D Porowski, S Quan, Dang Tran Ramanujachari, K. V Rao, R. V. G Rempel, A. A Romanov, E. P Rosa, J Roy, J. B Rumak, N. V Ryzhkin, I. A Rzewuski, H Sabharwal, S. C Saenko, V. S Salita, O. P Sarkisov, S. E Sasaki, Y Sasciuk, A. P Savyak, V. V Schnürer, M Schreiber, J Shah, M. B Shchagina, N. M Sheromov, M. A Shigetomi, S Shusha, V. V Shuvalov, L. A Silvestrova, I. M Simonenko, Yu. V Sinishchuk, I. K Sobczynska, D Sokolskii, S. V Solovev, N. E Sorge, G Stepanov, S. A Sundaram, A. Meenakshi Suprunchik, V . V Swamy, C. S Taguyrdzhanov, M. A Takahashi, M Takeda, M Tale, I Tkhoeik, Yu. A Tognato, R Tomm, J. W Topic, M Torbicz, W Tronconi, A. L Tse, W. S Tsuchida, T Tyutnev, A. P Ugai, Ya. A Vannikov, A. V Vega, H Veliev, R. K Voronin, V. I Voronovskii, Yu. I Wafik, A. A Wanklyn, B. M Yamaguchi, H Zappe, D Zentai, G Zhen, Shu Zschech, E Zvyagin, I. P
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Dynamic Images with a Weak Amplitude Contrast -- A High Resolution Electron Microscopy Study of Domain Structure in CuAul -- Structural Phase Transitions of RbVF4 -- Evolution comparée d'alliages Cu-Al trempés revenus avant et après amincissement -- Structure and Properties of Silicon Dioxide Thermal Films (I) -- Extended versus Small Defect Equilibria in Non-Stoichiometric Rutile (I) -- The Influence of an Electric DC Field on the New Intermediate Phase between the a- and b- Phases of NaH3(SeO3)2 Crystals -- EXAFS and X-Ray Diffractional Investigation of the Heusler-Type Alloys Co2MnSi and Fe2.4Mn0.6Al. Determination of the Ordering Probabilities -- Optical Reflection and Transmission through a Flat System with a Thick Fluctuating Layer -- Voltage Contrast of Ferroelectric Domains of Lithium Niobate in SEM -- Bragg-Laue Diffraction in Inclined Geometry -- Lattice properties -- Calculation of Potential Energy Parameters for Some Intermetallic Compounds -- Photoacoustic Signal Behavior near the Ferromagnetic Resonance Field -- Defects, atomistic aspects -- Hardening of Single Crystals of Magnesium by Low Neutron Doses at 77 K -- Jump-Like Deformation and Stability of the Hardened and Structural States of Zinc Single Crystals with Forest Dislocations in the Temperature Range 293 to 4.2 K -- On the Effect of Doping Impurities on the Formation of Rod-Like Defects in Silicon -- Positron and Positronium States in Semiconductors Irradiated by Supercurrent Beams of Charged Particles -- Interstitial Migration in a Stress Gradient -- The Interaction of Straight Dislocations with Dislocation Loops in an Anisotropic Material (Zinc) -- Radiational Creation of Frenkel Defects in KC1-T1 -- Anisotropic Deformation Behaviour of GaAs -- Stage II Recovery of Defects in Cold-Worked Aluminum -- Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defects in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques -- Distant DAP Bands in Electron-Irradiated and Ion-Implanted CdSe -- Magnetism -- Barkhausen Jumps and Resistivity of Cu-Cd Ferrites -- Magnetic NDT Technique to Evaluate Fatigue Damage -- The Permeability Dispersion in Ferrites at Different Levels of Direct Current Magnetic Biasing -- Magnetic Freezing in Solution-Quenched Dilute Fe-Cu Alloys -- Magnetic Structure of the Er2Pt Antiferromagnet -- Localized electronic states and transitions -- Studies of the Deep Levels in p-Type InSb under Pressure -- A Model of Nonequilibrium Charge-Carrier Recombination in Semiconductors Containing Nonuniformities -- New EPR Defects in Si<Al> -- Fractional Glow Technique Spectroscopy of Traps in Heavily Doped AlN:O -- Kinetics of Thermoluminescence in y-Irradiated Nal(Tl) -- The Role of Eu++ Aggregation on Optical Absorption, Emission, Luminescence Time Decay, and ITC Plots in NaCl:Eu++ -- Pure and Nd3+-Doped Ca3Ga2Ge4O14 and Sr3Ga2Ge4O14 Single Crystals, Their Structure, Optical, Spectral Luminescence, Electromechanical Properties, and Stimulated Emission -- Electric transport -- Radiation Induced Dielectric Effect in Polymers -- Planar Conduction in Inhomogeneous Films. Application to Amorphous Silicon -- A Comparative Study of Photoconductivity in Vitreous As2Se3 and a-Si: H Thin Films -- The Influence of Alloying on the Properties of Superconducting Molybdenum Sulphides -- Electrical Conductivity of Gadolinium-Gallium Garnet (GGG) Crystals -- Investigation of Space Charge Limited, Poole-Frenkel, and Isothermal Currents on Hgl2 Single Crystals -- Thermally Stimulated Depolarization Current Study in Novolac Phenol-Formaldehyde Resin -- Electrical Properties and Optical Absorption of SnSe Evaporated Thin Films -- Device-related phenomena -- C-U Measurements of Anodized InSb MOS Structures at 77 and 4.2 K -- On the Dispersion of the Refractive Index in Active Layers of Lead-Salt Injection Lasers -- The Effect of Overlap of Ohmic Contacts on the Characteristics of a MIM Structure Having a Single Discrete Shallow Trap Level -- A Stable Pd-BN-Si3N4-SiO2-Si FET for Hydrogen Detection -- Erratum -- Erratum to: The Mechanism of Cell Wall Formation -- Short Notes -- Grazing Bragg-Laue Diffraction for Studying the Crystal Structure of Thin Films -- The Influence of Heating on the Attenuation of Surface Waves in Electrographic Se Layer -- Effect of Atomic Ordering on Heat Capacity of Non-Stoichiometric Niobium Carbide -- Synthesis and Structural Characteristics of La2Cu1-xCoxO4 (x = 0.2, 0.4, and 0.5) -- Low-Temperature Heat Capacity of CdGa2S4 -- Lattice Vibrations of Crystalline Silicon and Germanium Tetrachlorides -- On the Thermodynamic Criterion for the Unstable Motion of a Source Generated Dislocation Group -- Electric Polarization of Ice at Nonuniform Elastic Strains -- Overheating in Semiconductors with a Diamond-Like Structure -- Über die mögliche Existenz „repulsiver" Zentren mit großen Einfangquerschnitten in Silizium -- Kinetics of Luminescence Quenching in Neodymium-Doped Fluorophosphate Glasses -- Electrophysical Properties of a-Rhombohedral Boron -- Thermogradient Magnetoconcentration Effect -- The Structure, Superconducting Properties and Electrical Resistivity of V2Zr and V2Hf Irradiated with Fast Neutrons -- Temperature Dependence of the Thermoelectric Characteristic of n-Si Elastically Strained in the [100] Direction -- Annealing Behaviour of Electrical Properties of n-InSe Single Crystals -- Effect of Vacuum Annealing on Electrical Characteristics of Ni-Si Schottky Diodes -- Density of the 2D Electron Gas in Modulation Doped GalnAs/AlInAs Layers from a Charge Control Analysis -- Electric Field Effect on Radiation-Induced Gettering of Defects in n+-n-n++ GaAs -- Pre-Printed Titles -- Pre-Printed Titles of papers to be published in the next issues of physica status solidi (a) and physica status solidi (b) -- Classification Scheme —Continued -- Backmatter</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Afanasiev, A. 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Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">62</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0028</subfield><subfield code="b">4063018695</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118619490</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">406272815X</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4073628097</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4073789392</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Physica status solidi : Volume 86, Number 1: November 16

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