Physica status solidi : Volume 87, Number 2: February 16

Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Structure -- On the Ordering Mechanism of Ni2Mo -- An X-Ray Wave Theory for Heavily Distorted Crystals -- Ruby Structure Peculiarities Derived from X-Ray Diffraction Data -- Properties and Structure of Silicon Oxynitride Films Obtained in a Hydrazine Plasma -- Void Swelling of Ferritic Steel during 1 MeV Electron Irradiation -- Measurements of the Backscattering of 20 to 60 keV Electrons from Double Layers at Various Angles of Incidence -- Determination of Long-Range Order Parameter in Alloys by Means of Electron Diffraction in the Electron Microscope -- Local Tetragonality and Atomic Structure in Nb3Sn Superconductor Studied by High Resolution Electron Microscopy -- On the Influence of Crystal Orientation on the High Resolution Image Contrast of Polytypes -- A New Method for the Interpretation of Energy Distributions Measured on Secondary Ions -- Contrast Investigations of Surface Acoustic Waves by Stroboscopic Topography -- Observation of Domain Structure in a (111) Oriented Grain oi Fe (Si) by X-Ray White Beam Topography -- Twinning of the Hexagonal (A) Structure of Rare Earth Sesquioxides -- A New Method for Measuring the Mixed Splay-Bend Elasticity and the Anchoring Strength in a Nematic Film -- Lattice properties -- Thermal Conductivity and Specific Heat of an Epoxy Resin/Epoxy Resin Composite Material at Low Temperatures -- Defects, atomistic aspects -- Strength, Plasticity, and Fracture of Ribbons of Fe5Co70Si15B10 Amorphous Alloy -- Effect of Normal Stresses on Yield Stress of Molybdenum Single Crystals at Slip on the Plane (211) -- Analysis of Kic and Its Temperature Dependence of Metals by a Simplified Dislocation Model -- The Superposition of Thermal Activation in Dislocation Movement -- Diffuse X-Ray Scattering from Neutron-Irradiated Silicon Doped with Boron -- Investigation of Lattice Strain in Proton-Irradiated GaP by a Modified Auleytner Technique -- The Integrated Intensities of the Laue-Diffracted X-Rays for Monocrystals Containing Macroscopically Homogeneously Distributed Defects -- Magnetism -- Changes of the Magnetic Properties of the Nearly Non-Magnetostrictive Amorphous Alloy CossFesNiioSinBie by Annealing under Tensile Stress -- Magnetic and Dielectric Eelaxations of Fe3O4 and Some Ferrites -- Localized electronic states and transitions -- Optically Induced Photomemory by 1 to 1.35 eV Photons in the Near-Intrinsic Spectral Eegion on Semiinsulating Bulk GaAs -- Hole-Induced Exoelectron Emission and Luminescence of Corundum Doped with Mg -- The Influence of Coulomb Screening and of NNi-Pairs on the Recombination of Bound Excitons in GraAs 1-X Px Mixed Crystals -- On the Dominant Recombination Level of Platinum in Silicon -- Electric transport -- The Effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conduction in Silicon -- The Criteria of Diffusionless Solution Validity in the Theory of Exclusion in "Super-Pure" Semiconductors -- On the Determination of the Carrier Concentration in Large-Grain Polycrystalline InP, GaAs, and GaP by Hall Effect Measurements -- Analysis of Gralvanomagnetic Parameters in Semi-Insulating GaAs with Respect to the Three-Band Model -- Device-related phenomena -- Study of Degradation of Diode Structures by the Use of Probes -- The MISS Device -- A Regeneration Model for Conducting Filaments in MIM Diodes -- Current-Voltage Characteristics of Diodes with and without Light -- Comparing Furnace to Laser Annealing in Ion Implanted Surface Passivated MINP Solar Cells -- Erratum -- Fraunhofer Diffraction of X - Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Autor*in:	Akonov, D. A [mitwirkender] Akselrod, M. S [mitwirkender] Amelinckx, S [mitwirkender] Anderson, W. A [mitwirkender] Antipin, M. Yu [mitwirkender] Azimov, S. A [mitwirkender] Bagratishvili, G. D [mitwirkender] Baszyiński, J [mitwirkender] Bender, H [mitwirkender] Besscwova, T. S [mitwirkender] Betko, J [mitwirkender] Bhat, K. N [mitwirkender] Blasse, G [mitwirkender] Boer, K. W [mitwirkender] Bologa, A. P [mitwirkender] Bonnafe, J [mitwirkender] Boulesteix, C [mitwirkender] Cerva, H [mitwirkender] Coene, W [mitwirkender] Datsenko, L. I [mitwirkender] Daugs, R [mitwirkender] De Mattos, A. C. Fiore [mitwirkender] De Saja, J. A [mitwirkender] Dirksen, G. J [mitwirkender] Dobiášová, L [mitwirkender] Dobkomyslov, A. V [mitwirkender] Dolgikh, G. V [mitwirkender] Dzhanelidze, R. B [mitwirkender] Düsterhöft, H [mitwirkender] Enakshi, D [mitwirkender] Eterashvili, T. V [mitwirkender] Fedotov, I. B [mitwirkender] Fernengel, W [mitwirkender] Filippov, A. A [mitwirkender] Filippov, Yu. 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V [mitwirkender] Kühnel, G [mitwirkender] Kŏstial, F [mitwirkender] Lapraz, D [mitwirkender] Leiderman, A. Yu [mitwirkender] Lisyajstskii, M. I [mitwirkender] Litovchenko, N. M [mitwirkender] Little, E. A [mitwirkender] Litvinov, V. L [mitwirkender] Lovey, F. C [mitwirkender] Luciński, T [mitwirkender] Lukyanchikova, N. B [mitwirkender] Lung, C. W [mitwirkender] Lysenko, V. S [mitwirkender] Maixner, J [mitwirkender] Malgbange, C [mitwirkender] Mamatkulov, R [mitwirkender] Massé, G [mitwirkender] Mayeb, W [mitwirkender] Milman, I. I [mitwirkender] Mojzes, I [mitwirkender] Molodkin, V. B [mitwirkender] Měřinský, K [mitwirkender] Neubert, G [mitwirkender] Nizkova, A. I [mitwirkender] Noskova, N. I [mitwirkender] Obodnikov, V [mitwirkender] Oelgart, G [mitwirkender] Ogurtsov, V. V [mitwirkender] Ohkawa, T [mitwirkender] Ohshima, H [mitwirkender] Olikh, Yu. A [mitwirkender] Olikhovskii, S. I [mitwirkender] Osipyan, Yu. A [mitwirkender] Osiyuk, I. N [mitwirkender] Osmovskii, M. 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F [mitwirkender] Zimenko, V. I [mitwirkender] Zolotukhik, M. N [mitwirkender] Zólomy, I [mitwirkender] Čapková, P [mitwirkender]

Format:	E-Book
Sprache:	Englisch

Erschienen:	Berlin Boston: De Gruyter ; 2022
Ausgabe:	Reprint 2021

Rechteinformationen:	Restricted Access

Schlagwörter:	SCIENCE / General

Umfang:	1 Online-Ressource (476 p)
Beschreibung:	Mode of access: Internet via World Wide Web.

Reproduktion:	[Online-Ausgabe]

Reihe:	Physica status solidi ; A ; Volume 87, Number 2

Links:	Link aufrufen Link aufrufen Link aufrufen Cover
ISBN:	978-3-11-249758-6

DOI / URN:	10.1515/9783112497586

Katalog-ID:	1788541227

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Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Akonov, D. A mitwirkender ctb Akselrod, M. S mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Anderson, W. A mitwirkender ctb Antipin, M. Yu mitwirkender ctb Azimov, S. A mitwirkender ctb Bagratishvili, G. D mitwirkender ctb Baszyiński, J mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Besscwova, T. S mitwirkender ctb Betko, J mitwirkender ctb Bhat, K. N mitwirkender ctb Blasse, G mitwirkender ctb Boer, K. W mitwirkender ctb Bologa, A. P mitwirkender ctb Bonnafe, J mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Cerva, H mitwirkender ctb Coene, W mitwirkender ctb Datsenko, L. I mitwirkender ctb Daugs, R mitwirkender ctb De Mattos, A. C. Fiore mitwirkender ctb De Saja, J. A mitwirkender ctb Dirksen, G. J mitwirkender ctb Dobiášová, L mitwirkender ctb Dobkomyslov, A. V mitwirkender ctb Dolgikh, G. V mitwirkender ctb Dzhanelidze, R. B mitwirkender ctb Düsterhöft, H mitwirkender ctb Enakshi, D mitwirkender ctb Eterashvili, T. V mitwirkender ctb Fedotov, I. 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Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Akonov, D. A mitwirkender ctb Akselrod, M. S mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Anderson, W. A mitwirkender ctb Antipin, M. Yu mitwirkender ctb Azimov, S. A mitwirkender ctb Bagratishvili, G. D mitwirkender ctb Baszyiński, J mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Besscwova, T. S mitwirkender ctb Betko, J mitwirkender ctb Bhat, K. N mitwirkender ctb Blasse, G mitwirkender ctb Boer, K. W mitwirkender ctb Bologa, A. P mitwirkender ctb Bonnafe, J mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Cerva, H mitwirkender ctb Coene, W mitwirkender ctb Datsenko, L. I mitwirkender ctb Daugs, R mitwirkender ctb De Mattos, A. C. Fiore mitwirkender ctb De Saja, J. A mitwirkender ctb Dirksen, G. J mitwirkender ctb Dobiášová, L mitwirkender ctb Dobkomyslov, A. V mitwirkender ctb Dolgikh, G. V mitwirkender ctb Dzhanelidze, R. B mitwirkender ctb Düsterhöft, H mitwirkender ctb Enakshi, D mitwirkender ctb Eterashvili, T. V mitwirkender ctb Fedotov, I. 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N mitwirkender ctb Zólomy, I mitwirkender ctb Čapková, P mitwirkender ctb 9783112497579 Erscheint auch als print 9783112497579 https://doi.org/10.1515/9783112497586 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112497586 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112497586/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 045F 530.41 20 01 0084 4077054818 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 4073760025 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 4112638574 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062706024 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 406277819X 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 407362878X OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062753685 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073790501 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Akonov, D. A mitwirkender ctb Akselrod, M. S mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Anderson, W. A mitwirkender ctb Antipin, M. Yu mitwirkender ctb Azimov, S. A mitwirkender ctb Bagratishvili, G. D mitwirkender ctb Baszyiński, J mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Besscwova, T. S mitwirkender ctb Betko, J mitwirkender ctb Bhat, K. N mitwirkender ctb Blasse, G mitwirkender ctb Boer, K. W mitwirkender ctb Bologa, A. P mitwirkender ctb Bonnafe, J mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Cerva, H mitwirkender ctb Coene, W mitwirkender ctb Datsenko, L. I mitwirkender ctb Daugs, R mitwirkender ctb De Mattos, A. C. Fiore mitwirkender ctb De Saja, J. A mitwirkender ctb Dirksen, G. J mitwirkender ctb Dobiášová, L mitwirkender ctb Dobkomyslov, A. V mitwirkender ctb Dolgikh, G. V mitwirkender ctb Dzhanelidze, R. B mitwirkender ctb Düsterhöft, H mitwirkender ctb Enakshi, D mitwirkender ctb Eterashvili, T. V mitwirkender ctb Fedotov, I. 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Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Akonov, D. A mitwirkender ctb Akselrod, M. S mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Anderson, W. A mitwirkender ctb Antipin, M. Yu mitwirkender ctb Azimov, S. A mitwirkender ctb Bagratishvili, G. D mitwirkender ctb Baszyiński, J mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Besscwova, T. S mitwirkender ctb Betko, J mitwirkender ctb Bhat, K. N mitwirkender ctb Blasse, G mitwirkender ctb Boer, K. W mitwirkender ctb Bologa, A. P mitwirkender ctb Bonnafe, J mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Cerva, H mitwirkender ctb Coene, W mitwirkender ctb Datsenko, L. I mitwirkender ctb Daugs, R mitwirkender ctb De Mattos, A. C. Fiore mitwirkender ctb De Saja, J. A mitwirkender ctb Dirksen, G. J mitwirkender ctb Dobiášová, L mitwirkender ctb Dobkomyslov, A. V mitwirkender ctb Dolgikh, G. V mitwirkender ctb Dzhanelidze, R. B mitwirkender ctb Düsterhöft, H mitwirkender ctb Enakshi, D mitwirkender ctb Eterashvili, T. V mitwirkender ctb Fedotov, I. 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Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Akonov, D. A mitwirkender ctb Akselrod, M. S mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Anderson, W. A mitwirkender ctb Antipin, M. Yu mitwirkender ctb Azimov, S. A mitwirkender ctb Bagratishvili, G. D mitwirkender ctb Baszyiński, J mitwirkender ctb Bender, H mitwirkender ctb Besscwova, T. S mitwirkender ctb Betko, J mitwirkender ctb Bhat, K. N mitwirkender ctb Blasse, G mitwirkender ctb Boer, K. W mitwirkender ctb Bologa, A. P mitwirkender ctb Bonnafe, J mitwirkender ctb Boulesteix, C mitwirkender ctb Cerva, H mitwirkender ctb Coene, W mitwirkender ctb Datsenko, L. I mitwirkender ctb Daugs, R mitwirkender ctb De Mattos, A. C. Fiore mitwirkender ctb De Saja, J. A mitwirkender ctb Dirksen, G. J mitwirkender ctb Dobiášová, L mitwirkender ctb Dobkomyslov, A. V mitwirkender ctb Dolgikh, G. V mitwirkender ctb Dzhanelidze, R. B mitwirkender ctb Düsterhöft, H mitwirkender ctb Enakshi, D mitwirkender ctb Eterashvili, T. V mitwirkender ctb Fedotov, I. 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Studied by High Resolution Electron Microscopy -- On the Influence of Crystal Orientation on the High Resolution Image Contrast of Polytypes -- A New Method for the Interpretation of Energy Distributions Measured on Secondary Ions -- Contrast Investigations of Surface Acoustic Waves by Stroboscopic Topography -- Observation of Domain Structure in a (111) Oriented Grain oi Fe (Si) by X-Ray White Beam Topography -- Twinning of the Hexagonal (A) Structure of Rare Earth Sesquioxides -- A New Method for Measuring the Mixed Splay-Bend Elasticity and the Anchoring Strength in a Nematic Film -- Lattice properties -- Thermal Conductivity and Specific Heat of an Epoxy Resin/Epoxy Resin Composite Material at Low Temperatures -- Defects, atomistic aspects -- Strength, Plasticity, and Fracture of Ribbons of Fe5Co70Si15B10 Amorphous Alloy -- Effect of Normal Stresses on Yield Stress of Molybdenum Single Crystals at Slip on the Plane (211) -- Analysis of Kic and Its Temperature Dependence of Metals by a Simplified Dislocation Model -- The Superposition of Thermal Activation in Dislocation Movement -- Diffuse X-Ray Scattering from Neutron-Irradiated Silicon Doped with Boron -- Investigation of Lattice Strain in Proton-Irradiated GaP by a Modified Auleytner Technique -- The Integrated Intensities of the Laue-Diffracted X-Rays for Monocrystals Containing Macroscopically Homogeneously Distributed Defects -- Magnetism -- Changes of the Magnetic Properties of the Nearly Non-Magnetostrictive Amorphous Alloy CossFesNiioSinBie by Annealing under Tensile Stress -- Magnetic and Dielectric Eelaxations of Fe3O4 and Some Ferrites -- Localized electronic states and transitions -- Optically Induced Photomemory by 1 to 1.35 eV Photons in the Near-Intrinsic Spectral Eegion on Semiinsulating Bulk GaAs -- Hole-Induced Exoelectron Emission and Luminescence of Corundum Doped with Mg -- The Influence of Coulomb Screening and of NNi-Pairs on the Recombination of Bound Excitons in GraAs 1-X Px Mixed Crystals -- On the Dominant Recombination Level of Platinum in Silicon -- Electric transport -- The Effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conduction in Silicon -- The Criteria of Diffusionless Solution Validity in the Theory of Exclusion in "Super-Pure" Semiconductors -- On the Determination of the Carrier Concentration in Large-Grain Polycrystalline InP, GaAs, and GaP by Hall Effect Measurements -- Analysis of Gralvanomagnetic Parameters in Semi-Insulating GaAs with Respect to the Three-Band Model -- Device-related phenomena -- Study of Degradation of Diode Structures by the Use of Probes -- The MISS Device -- A Regeneration Model for Conducting Filaments in MIM Diodes -- Current-Voltage Characteristics of Diodes with and without Light -- Comparing Furnace to Laser Annealing in Ion Implanted Surface Passivated MINP Solar Cells -- Erratum -- Fraunhofer Diffraction of X - Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield 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Lande Bremen</subfield><subfield code="y">zza</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">22</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0018</subfield><subfield code="b">4112638574</subfield><subfield code="c">00</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">--%%--</subfield><subfield code="e">s</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">SUBedegebs</subfield><subfield code="y">zu</subfield><subfield code="z">06-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">23</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0830</subfield><subfield code="b">4062706024</subfield><subfield code="h">olr-degruyter3</subfield><subfield code="u">i</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">24</subfield><subfield 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Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz).</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">31</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0027</subfield><subfield code="b">4062681366</subfield><subfield code="h">OLR-DeGruyterEBS</subfield><subfield code="k">Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen.</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">4080700253</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">05-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">4062988259</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">62</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0028</subfield><subfield code="b">4063019454</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118620251</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062729261</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">407362878X</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">90</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3090</subfield><subfield code="b">4062753685</subfield><subfield code="h">OLR-HILdegruyter</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4073790501</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Volltextzugriff nur für berechtigte Personen über das Campusnetz</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">120</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0715</subfield><subfield code="b">4082692061</subfield><subfield code="c">00</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">--%%--</subfield><subfield code="e">g</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">alma</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">08-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">122</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0897</subfield><subfield code="b">4073669427</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">130</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0700</subfield><subfield code="b">4062802694</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBA-EBKALL</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">140</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0839</subfield><subfield code="b">4073702165</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">147</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3528</subfield><subfield code="b">4062915154</subfield><subfield code="h">OLR-EBS-DG</subfield><subfield code="k">Multiuser \| freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">264</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3264</subfield><subfield code="b">4073732064</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">10-10-24</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">370</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">4370</subfield><subfield code="b">408776124X</subfield><subfield code="h">EBS deGruyter</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. 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abstract	Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Structure -- On the Ordering Mechanism of Ni2Mo -- An X-Ray Wave Theory for Heavily Distorted Crystals -- Ruby Structure Peculiarities Derived from X-Ray Diffraction Data -- Properties and Structure of Silicon Oxynitride Films Obtained in a Hydrazine Plasma -- Void Swelling of Ferritic Steel during 1 MeV Electron Irradiation -- Measurements of the Backscattering of 20 to 60 keV Electrons from Double Layers at Various Angles of Incidence -- Determination of Long-Range Order Parameter in Alloys by Means of Electron Diffraction in the Electron Microscope -- Local Tetragonality and Atomic Structure in Nb3Sn Superconductor Studied by High Resolution Electron Microscopy -- On the Influence of Crystal Orientation on the High Resolution Image Contrast of Polytypes -- A New Method for the Interpretation of Energy Distributions Measured on Secondary Ions -- Contrast Investigations of Surface Acoustic Waves by Stroboscopic Topography -- Observation of Domain Structure in a (111) Oriented Grain oi Fe (Si) by X-Ray White Beam Topography -- Twinning of the Hexagonal (A) Structure of Rare Earth Sesquioxides -- A New Method for Measuring the Mixed Splay-Bend Elasticity and the Anchoring Strength in a Nematic Film -- Lattice properties -- Thermal Conductivity and Specific Heat of an Epoxy Resin/Epoxy Resin Composite Material at Low Temperatures -- Defects, atomistic aspects -- Strength, Plasticity, and Fracture of Ribbons of Fe5Co70Si15B10 Amorphous Alloy -- Effect of Normal Stresses on Yield Stress of Molybdenum Single Crystals at Slip on the Plane (211) -- Analysis of Kic and Its Temperature Dependence of Metals by a Simplified Dislocation Model -- The Superposition of Thermal Activation in Dislocation Movement -- Diffuse X-Ray Scattering from Neutron-Irradiated Silicon Doped with Boron -- Investigation of Lattice Strain in Proton-Irradiated GaP by a Modified Auleytner Technique -- The Integrated Intensities of the Laue-Diffracted X-Rays for Monocrystals Containing Macroscopically Homogeneously Distributed Defects -- Magnetism -- Changes of the Magnetic Properties of the Nearly Non-Magnetostrictive Amorphous Alloy CossFesNiioSinBie by Annealing under Tensile Stress -- Magnetic and Dielectric Eelaxations of Fe3O4 and Some Ferrites -- Localized electronic states and transitions -- Optically Induced Photomemory by 1 to 1.35 eV Photons in the Near-Intrinsic Spectral Eegion on Semiinsulating Bulk GaAs -- Hole-Induced Exoelectron Emission and Luminescence of Corundum Doped with Mg -- The Influence of Coulomb Screening and of NNi-Pairs on the Recombination of Bound Excitons in GraAs 1-X Px Mixed Crystals -- On the Dominant Recombination Level of Platinum in Silicon -- Electric transport -- The Effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conduction in Silicon -- The Criteria of Diffusionless Solution Validity in the Theory of Exclusion in "Super-Pure" Semiconductors -- On the Determination of the Carrier Concentration in Large-Grain Polycrystalline InP, GaAs, and GaP by Hall Effect Measurements -- Analysis of Gralvanomagnetic Parameters in Semi-Insulating GaAs with Respect to the Three-Band Model -- Device-related phenomena -- Study of Degradation of Diode Structures by the Use of Probes -- The MISS Device -- A Regeneration Model for Conducting Filaments in MIM Diodes -- Current-Voltage Characteristics of Diodes with and without Light -- Comparing Furnace to Laser Annealing in Ion Implanted Surface Passivated MINP Solar Cells -- Erratum -- Fraunhofer Diffraction of X - Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles
abstractGer	Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Structure -- On the Ordering Mechanism of Ni2Mo -- An X-Ray Wave Theory for Heavily Distorted Crystals -- Ruby Structure Peculiarities Derived from X-Ray Diffraction Data -- Properties and Structure of Silicon Oxynitride Films Obtained in a Hydrazine Plasma -- Void Swelling of Ferritic Steel during 1 MeV Electron Irradiation -- Measurements of the Backscattering of 20 to 60 keV Electrons from Double Layers at Various Angles of Incidence -- Determination of Long-Range Order Parameter in Alloys by Means of Electron Diffraction in the Electron Microscope -- Local Tetragonality and Atomic Structure in Nb3Sn Superconductor Studied by High Resolution Electron Microscopy -- On the Influence of Crystal Orientation on the High Resolution Image Contrast of Polytypes -- A New Method for the Interpretation of Energy Distributions Measured on Secondary Ions -- Contrast Investigations of Surface Acoustic Waves by Stroboscopic Topography -- Observation of Domain Structure in a (111) Oriented Grain oi Fe (Si) by X-Ray White Beam Topography -- Twinning of the Hexagonal (A) Structure of Rare Earth Sesquioxides -- A New Method for Measuring the Mixed Splay-Bend Elasticity and the Anchoring Strength in a Nematic Film -- Lattice properties -- Thermal Conductivity and Specific Heat of an Epoxy Resin/Epoxy Resin Composite Material at Low Temperatures -- Defects, atomistic aspects -- Strength, Plasticity, and Fracture of Ribbons of Fe5Co70Si15B10 Amorphous Alloy -- Effect of Normal Stresses on Yield Stress of Molybdenum Single Crystals at Slip on the Plane (211) -- Analysis of Kic and Its Temperature Dependence of Metals by a Simplified Dislocation Model -- The Superposition of Thermal Activation in Dislocation Movement -- Diffuse X-Ray Scattering from Neutron-Irradiated Silicon Doped with Boron -- Investigation of Lattice Strain in Proton-Irradiated GaP by a Modified Auleytner Technique -- The Integrated Intensities of the Laue-Diffracted X-Rays for Monocrystals Containing Macroscopically Homogeneously Distributed Defects -- Magnetism -- Changes of the Magnetic Properties of the Nearly Non-Magnetostrictive Amorphous Alloy CossFesNiioSinBie by Annealing under Tensile Stress -- Magnetic and Dielectric Eelaxations of Fe3O4 and Some Ferrites -- Localized electronic states and transitions -- Optically Induced Photomemory by 1 to 1.35 eV Photons in the Near-Intrinsic Spectral Eegion on Semiinsulating Bulk GaAs -- Hole-Induced Exoelectron Emission and Luminescence of Corundum Doped with Mg -- The Influence of Coulomb Screening and of NNi-Pairs on the Recombination of Bound Excitons in GraAs 1-X Px Mixed Crystals -- On the Dominant Recombination Level of Platinum in Silicon -- Electric transport -- The Effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conduction in Silicon -- The Criteria of Diffusionless Solution Validity in the Theory of Exclusion in "Super-Pure" Semiconductors -- On the Determination of the Carrier Concentration in Large-Grain Polycrystalline InP, GaAs, and GaP by Hall Effect Measurements -- Analysis of Gralvanomagnetic Parameters in Semi-Insulating GaAs with Respect to the Three-Band Model -- Device-related phenomena -- Study of Degradation of Diode Structures by the Use of Probes -- The MISS Device -- A Regeneration Model for Conducting Filaments in MIM Diodes -- Current-Voltage Characteristics of Diodes with and without Light -- Comparing Furnace to Laser Annealing in Ion Implanted Surface Passivated MINP Solar Cells -- Erratum -- Fraunhofer Diffraction of X - 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abstract_unstemmed	Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Structure -- On the Ordering Mechanism of Ni2Mo -- An X-Ray Wave Theory for Heavily Distorted Crystals -- Ruby Structure Peculiarities Derived from X-Ray Diffraction Data -- Properties and Structure of Silicon Oxynitride Films Obtained in a Hydrazine Plasma -- Void Swelling of Ferritic Steel during 1 MeV Electron Irradiation -- Measurements of the Backscattering of 20 to 60 keV Electrons from Double Layers at Various Angles of Incidence -- Determination of Long-Range Order Parameter in Alloys by Means of Electron Diffraction in the Electron Microscope -- Local Tetragonality and Atomic Structure in Nb3Sn Superconductor Studied by High Resolution Electron Microscopy -- On the Influence of Crystal Orientation on the High Resolution Image Contrast of Polytypes -- A New Method for the Interpretation of Energy Distributions Measured on Secondary Ions -- Contrast Investigations of Surface Acoustic Waves by Stroboscopic Topography -- Observation of Domain Structure in a (111) Oriented Grain oi Fe (Si) by X-Ray White Beam Topography -- Twinning of the Hexagonal (A) Structure of Rare Earth Sesquioxides -- A New Method for Measuring the Mixed Splay-Bend Elasticity and the Anchoring Strength in a Nematic Film -- Lattice properties -- Thermal Conductivity and Specific Heat of an Epoxy Resin/Epoxy Resin Composite Material at Low Temperatures -- Defects, atomistic aspects -- Strength, Plasticity, and Fracture of Ribbons of Fe5Co70Si15B10 Amorphous Alloy -- Effect of Normal Stresses on Yield Stress of Molybdenum Single Crystals at Slip on the Plane (211) -- Analysis of Kic and Its Temperature Dependence of Metals by a Simplified Dislocation Model -- The Superposition of Thermal Activation in Dislocation Movement -- Diffuse X-Ray Scattering from Neutron-Irradiated Silicon Doped with Boron -- Investigation of Lattice Strain in Proton-Irradiated GaP by a Modified Auleytner Technique -- The Integrated Intensities of the Laue-Diffracted X-Rays for Monocrystals Containing Macroscopically Homogeneously Distributed Defects -- Magnetism -- Changes of the Magnetic Properties of the Nearly Non-Magnetostrictive Amorphous Alloy CossFesNiioSinBie by Annealing under Tensile Stress -- Magnetic and Dielectric Eelaxations of Fe3O4 and Some Ferrites -- Localized electronic states and transitions -- Optically Induced Photomemory by 1 to 1.35 eV Photons in the Near-Intrinsic Spectral Eegion on Semiinsulating Bulk GaAs -- Hole-Induced Exoelectron Emission and Luminescence of Corundum Doped with Mg -- The Influence of Coulomb Screening and of NNi-Pairs on the Recombination of Bound Excitons in GraAs 1-X Px Mixed Crystals -- On the Dominant Recombination Level of Platinum in Silicon -- Electric transport -- The Effect of Annealing and Hydrogenation on the Dislocation Conduction in Silicon -- The Criteria of Diffusionless Solution Validity in the Theory of Exclusion in "Super-Pure" Semiconductors -- On the Determination of the Carrier Concentration in Large-Grain Polycrystalline InP, GaAs, and GaP by Hall Effect Measurements -- Analysis of Gralvanomagnetic Parameters in Semi-Insulating GaAs with Respect to the Three-Band Model -- Device-related phenomena -- Study of Degradation of Diode Structures by the Use of Probes -- The MISS Device -- A Regeneration Model for Conducting Filaments in MIM Diodes -- Current-Voltage Characteristics of Diodes with and without Light -- Comparing Furnace to Laser Annealing in Ion Implanted Surface Passivated MINP Solar Cells -- Erratum -- Fraunhofer Diffraction of X - Bay Beams at Bragg Incidence in Distorted Crystals -- Short Notes -- The Determination of the Distribution Function of Activation Energies of Structural Changes in Amorphous Se -- Theoretical Evidence for Opposite Moving Phase Fronts during Ultrafast Solidification Processes -- Structure and Chemical Composition of RF-Sputtered Boron Nitride Films -- Phase Diagram of the ZnP2-ZnAs2 System -- Spatial Distribution of the Components in the Au/GaAs System after Scanning Laser Annealing -- Calculation of the Ga-Al-Sb Phase Diagram Using the Redlich-Kister Expression -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- The Effect of Non-Stoichiometry on Thermal Vibrations in TiCx -- The Effect of Doping on the Motion of Partial Dislocations in Silicon -- Effect of Carbon on the Minority Carrier Lifetime in Heat-Treated Oxygen-Containing Silicon -- Change of Magnetic Resonance Parameters in FeBOgiNiO Induced by Radiation ( λ = 1.06 μm) -- Reorientation of Domain Walls in a Garnet Film under the Action of an AC Magnetic Field -- Difference between Domain Wall Motion in Single Ciystal and Polycrystalline YIG Observed by Pulsed NMR -- Photo-Induced Thermoluminescence of X-Irradiated α-Al2O3 -- Time Resolved Spectra in CuGaS2 -- Flash-Lamp Annealing of Si-SiO2 Transition Layer Defects -- The Influence of the Phase Transformation on the Luminescence oi NbPO5 -- Dielectric Properties of Tourmaline -- Thermopower in Amorphous Fe 1-x Six Films -- Change in the Hall Coefficient with Magnetic Field in Silicon, Irradiated by Neutrons -- The Physical and Geometrical Magnetoresistance of n-Si Irradiated by Neutrons -- On the Properties of Amorphous Silicon Films and Amorphous Si-Crystalline Si Heterojunction -- Saturation and Oscillation of Current in Semiconductors Subjected to Uniaxial Deformation -- Metal-(Tunnel) Insulator-Semiconductor Switch (MISS) with Negative Resistances both in Forward and Reverse Directions -- Pre-Printed Titles
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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">4080700253</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">05-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">4062988259</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">62</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0028</subfield><subfield code="b">4063019454</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118620251</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062729261</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">407362878X</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4073790501</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Volltextzugriff nur für berechtigte Personen über das Campusnetz</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">120</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0715</subfield><subfield code="b">4082692061</subfield><subfield code="c">00</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">--%%--</subfield><subfield code="e">g</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">alma</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">08-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">122</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0897</subfield><subfield code="b">4073669427</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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Physica status solidi : Volume 87, Number 2: February 16

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