Physica status solidi : Volume 71, Number 1: May 16
Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Dr. sc. nat. HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Therm...
Ausführliche Beschreibung
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Abdullaev, G. B [mitwirkender] Abrikosov, N. Kh [mitwirkender] Ahmed, A. S [mitwirkender] Akulovich, N. I [mitwirkender] Amelinckx, S [mitwirkender] Ammer, C [mitwirkender] Arefev, K. P [mitwirkender] Atobe, K [mitwirkender] Ayroles, R [mitwirkender] Azizov, T. Kh [mitwirkender] Bagirzade, E. F [mitwirkender] Balachandran, U [mitwirkender] Baźela, W [mitwirkender] Berezin, A. A [mitwirkender] Bertrandt-Źytkowiak, M [mitwirkender] Bewilogua, K [mitwirkender] Bhan, S [mitwirkender] Bilbé, R. M [mitwirkender] Birkholz, U [mitwirkender] Birks, E. H [mitwirkender] Breitenstein, O [mitwirkender] Bullot, J [mitwirkender] Campbell, S. J [mitwirkender] Chalupa, B [mitwirkender] Chimczak, E [mitwirkender] Chizhevskaya, S. N [mitwirkender] Chovet, A [mitwirkender] Cocks, F. H [mitwirkender] Czajka, R [mitwirkender] Derochette, J.-M [mitwirkender] Didrikhsons, G. T [mitwirkender] Dietrich, D [mitwirkender] Edgar, A [mitwirkender] Eror, N. G [mitwirkender] Fahrner, W. R [mitwirkender] Fleury, G [mitwirkender] Freidenfeld, E. Zh [mitwirkender] Gallais, O [mitwirkender] Gauthier, M [mitwirkender] Georgiev, M [mitwirkender] Glinchuk, K. D [mitwirkender] Gordon, W. S [mitwirkender] Gupta, S. K [mitwirkender] Görlich [herausgeberIn] Haefner, H [mitwirkender] Hafiz, M. M [mitwirkender] Handschuh, M [mitwirkender] Heidemann, K [mitwirkender] Herrmann, K .H [mitwirkender] Holzhüter, G [mitwirkender] Howes, M. J [mitwirkender] Hutton, D. R [mitwirkender] Ibrahim, M. M [mitwirkender] Ishioka, S [mitwirkender] Jarzȩbski, Z. M [mitwirkender] Joachim, F [mitwirkender] Jones, P. L [mitwirkender] Kaito, C [mitwirkender] Kalyuzhnaya, G. A [mitwirkender] Kazakevich, L. A [mitwirkender] Kazakova, L. P [mitwirkender] Khvostantsev, L. G [mitwirkender] Klabes, R [mitwirkender] Koifman, A. I [mitwirkender] Koiwa, M [mitwirkender] Kozielski, M [mitwirkender] Kuzminikh, V. A [mitwirkender] Lalinský, T [mitwirkender] Lefaucheux, F [mitwirkender] Lind, J. H [mitwirkender] Litovchenko, N. M [mitwirkender] Livage, J [mitwirkender] Lorenz, W [mitwirkender] Lugakov, P. F [mitwirkender] Lukat, K [mitwirkender] Lunn, B [mitwirkender] Malosovskii, Yu. M [mitwirkender] Malyutenko, V. K [mitwirkender] Mamedov, G. M [mitwirkender] Matsui, H [mitwirkender] Matthews, R. J [mitwirkender] Minonishi, Y [mitwirkender] Misiak, J. A [mitwirkender] Morgan, D. V [mitwirkender] Morozumi, S [mitwirkender] Muminov, R . A [mitwirkender] Möllmann, K.-P [mitwirkender] Nakamura, N [mitwirkender] Nicholls, J. E [mitwirkender] Nidaev, E. V [mitwirkender] Niftiev, G. M [mitwirkender] Oelgart, G [mitwirkender] Okada, K [mitwirkender] Onengut, D [mitwirkender] Orlov, A. I [mitwirkender] Osipyan, V. G [mitwirkender] Padam, G. K [mitwirkender] Pasemann, M [mitwirkender] Peretti, P [mitwirkender] Petrov, V. V [mitwirkender] Pfeiffer, H [mitwirkender] Phakey, P. P [mitwirkender] Pogrebnyak, A. D [mitwirkender] Polewska, W [mitwirkender] Popescu, I. M [mitwirkender] Prokhorovich, A. V [mitwirkender] Ranson, P [mitwirkender] Ratishvili, I. G [mitwirkender] Reulke, R [mitwirkender] Ribet, M [mitwirkender] Ritter, G [mitwirkender] Robert, M. C [mitwirkender] Rosenzweig, J [mitwirkender] Roucau, C [mitwirkender] Rousset, Y [mitwirkender] Rozhanski, V. N [mitwirkender] Salnik, Z. A [mitwirkender] Sanchez Porras, G [mitwirkender] Sashchuk, A. P [mitwirkender] Sauvage, M [mitwirkender] Schaffer, J. P [mitwirkender] Schryvers, D [mitwirkender] Schröder, K [mitwirkender] Schöttle, P [mitwirkender] Sekimoto, S [mitwirkender] Shebanov, L. A [mitwirkender] Shiojiri, M [mitwirkender] Singh, B [mitwirkender] Smirnov, L. S [mitwirkender] Sood, B. R [mitwirkender] Sootha, G. D [mitwirkender] Stanciu, G. A [mitwirkender] Stewart, A. M [mitwirkender] Stoebe, T. G [mitwirkender] Stoichița, C. M [mitwirkender] Suzuki, I [mitwirkender] Svechnikova, T. E [mitwirkender] Szott, I [mitwirkender] Szuba, S [mitwirkender] Szytuła, A [mitwirkender] Tagiev, B. G [mitwirkender] Tagiev, O. B [mitwirkender] Taguyrdzhanov, M. A [mitwirkender] Tamaki, M [mitwirkender] Tendeloo, G. van [mitwirkender] Teranishi, K [mitwirkender] Thurzo, I [mitwirkender] Tomaszewski, P. E [mitwirkender] Tomlinson, R. D [mitwirkender] Torrès, J [mitwirkender] Totterdell, D. H. J [mitwirkender] Troup, G. J [mitwirkender] Tóth, L [mitwirkender] Utenko, V. I [mitwirkender] Van Landuyt, J [mitwirkender] Van Tendeloo, G [mitwirkender] Viger, C [mitwirkender] Voelskow, M [mitwirkender] Vrána, M [mitwirkender] Wasim, S. M [mitwirkender] Weichman, F. L [mitwirkender] Weidner, M [mitwirkender] Weissmantel, Ch [mitwirkender] Wendt, M [mitwirkender] Whittle, G. L [mitwirkender] Woittennek, H [mitwirkender] Wood, J [mitwirkender] Yafasov, A. Ya [mitwirkender] Zakharov, N. D [mitwirkender] Łukaszewicz, K [mitwirkender] |
|---|
| Format: |
E-Book |
|---|---|
| Sprache: |
Englisch |
| Erschienen: |
Berlin Boston: De Gruyter ; 2022 |
|---|---|
| Ausgabe: |
Reprint 2021 |
| Rechteinformationen: |
Restricted Access |
|---|
| Schlagwörter: |
|---|
| Umfang: |
1 Online-Ressource (436 p) |
|---|---|
| Beschreibung: |
Mode of access: Internet via World Wide Web. |
| Reproduktion: |
[Online-Ausgabe] |
|---|
| Reihe: |
Physica status solidi ; A ; Volume 71, Number 1 |
|---|
| Links: | |
|---|---|
| ISBN: |
978-3-11-249498-1 |
| DOI / URN: |
10.1515/9783112494981 |
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| Katalog-ID: |
1788542045 |
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| 520 | |a Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Dr. sc. nat. HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles | ||
| 533 | |a [Online-Ausgabe] | ||
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HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abdullaev, G. B mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. S mitwirkender ctb Akulovich, N. I mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Ammer, C mitwirkender ctb Arefev, K. P mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Ayroles, R mitwirkender ctb Azizov, T. Kh mitwirkender ctb Bagirzade, E. F mitwirkender ctb Balachandran, U mitwirkender ctb Baźela, W mitwirkender ctb Berezin, A. A mitwirkender ctb Bertrandt-Źytkowiak, M mitwirkender ctb Bewilogua, K mitwirkender ctb Bhan, S mitwirkender ctb Bilbé, R. M mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Birks, E. H mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Bullot, J mitwirkender ctb Campbell, S. J mitwirkender ctb Chalupa, B mitwirkender ctb Chimczak, E mitwirkender ctb Chizhevskaya, S. N mitwirkender ctb Chovet, A mitwirkender ctb Cocks, F. H mitwirkender ctb Czajka, R mitwirkender ctb Derochette, J.-M mitwirkender ctb Didrikhsons, G. 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HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abdullaev, G. B mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. S mitwirkender ctb Akulovich, N. I mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Ammer, C mitwirkender ctb Arefev, K. P mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Ayroles, R mitwirkender ctb Azizov, T. Kh mitwirkender ctb Bagirzade, E. F mitwirkender ctb Balachandran, U mitwirkender ctb Baźela, W mitwirkender ctb Berezin, A. A mitwirkender ctb Bertrandt-Źytkowiak, M mitwirkender ctb Bewilogua, K mitwirkender ctb Bhan, S mitwirkender ctb Bilbé, R. M mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Birks, E. H mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Bullot, J mitwirkender ctb Campbell, S. J mitwirkender ctb Chalupa, B mitwirkender ctb Chimczak, E mitwirkender ctb Chizhevskaya, S. N mitwirkender ctb Chovet, A mitwirkender ctb Cocks, F. H mitwirkender ctb Czajka, R mitwirkender ctb Derochette, J.-M mitwirkender ctb Didrikhsons, G. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 4073629476 OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062754495 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073791311 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 10-10-24 370 01 4370 408776205X EBS deGruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 11-03-22 736 01 4736 4493981415 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4051877787 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 07-02-22 2006 01 DE-14 4426963222 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426512263 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438690013 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460367068 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586384352 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. 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HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abdullaev, G. B mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. S mitwirkender ctb Akulovich, N. I mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Ammer, C mitwirkender ctb Arefev, K. P mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Ayroles, R mitwirkender ctb Azizov, T. Kh mitwirkender ctb Bagirzade, E. F mitwirkender ctb Balachandran, U mitwirkender ctb Baźela, W mitwirkender ctb Berezin, A. A mitwirkender ctb Bertrandt-Źytkowiak, M mitwirkender ctb Bewilogua, K mitwirkender ctb Bhan, S mitwirkender ctb Bilbé, R. M mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Birks, E. H mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Bullot, J mitwirkender ctb Campbell, S. J mitwirkender ctb Chalupa, B mitwirkender ctb Chimczak, E mitwirkender ctb Chizhevskaya, S. N mitwirkender ctb Chovet, A mitwirkender ctb Cocks, F. H mitwirkender ctb Czajka, R mitwirkender ctb Derochette, J.-M mitwirkender ctb Didrikhsons, G. T mitwirkender ctb Dietrich, D mitwirkender ctb Edgar, A mitwirkender ctb Eror, N. G mitwirkender ctb Fahrner, W. R mitwirkender ctb Fleury, G mitwirkender ctb Freidenfeld, E. Zh mitwirkender ctb Gallais, O mitwirkender ctb Gauthier, M mitwirkender ctb Georgiev, M mitwirkender ctb Glinchuk, K. D mitwirkender ctb Gordon, W. S mitwirkender ctb Gupta, S. K mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Haefner, H mitwirkender ctb Hafiz, M. M mitwirkender ctb Handschuh, M mitwirkender ctb Heidemann, K mitwirkender ctb Herrmann, K .H mitwirkender ctb Holzhüter, G mitwirkender ctb Howes, M. J mitwirkender ctb Hutton, D. R mitwirkender ctb Ibrahim, M. M mitwirkender ctb Ishioka, S mitwirkender ctb Jarzȩbski, Z. M mitwirkender ctb Joachim, F mitwirkender ctb Jones, P. L mitwirkender ctb Kaito, C mitwirkender ctb Kalyuzhnaya, G. A mitwirkender ctb Kazakevich, L. A mitwirkender ctb Kazakova, L. P mitwirkender ctb Khvostantsev, L. G mitwirkender ctb Klabes, R mitwirkender ctb Koifman, A. 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D mitwirkender ctb Łukaszewicz, K mitwirkender ctb 9783112494974 Erscheint auch als print 9783112494974 https://doi.org/10.1515/9783112494981 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112494981 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112494981/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 20 01 0084 4077055555 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 4073760831 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 411263935X 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062706709 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062779013 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 10-10-24 370 01 4370 408776205X EBS deGruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 11-03-22 736 01 4736 4493981415 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4051877787 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 07-02-22 2006 01 DE-14 4426963222 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426512263 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438690013 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460367068 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586384352 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. 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HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abdullaev, G. B mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. S mitwirkender ctb Akulovich, N. I mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Ammer, C mitwirkender ctb Arefev, K. P mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Ayroles, R mitwirkender ctb Azizov, T. Kh mitwirkender ctb Bagirzade, E. F mitwirkender ctb Balachandran, U mitwirkender ctb Baźela, W mitwirkender ctb Berezin, A. A mitwirkender ctb Bertrandt-Źytkowiak, M mitwirkender ctb Bewilogua, K mitwirkender ctb Bhan, S mitwirkender ctb Bilbé, R. M mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Birks, E. H mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Bullot, J mitwirkender ctb Campbell, S. J mitwirkender ctb Chalupa, B mitwirkender ctb Chimczak, E mitwirkender ctb Chizhevskaya, S. N mitwirkender ctb Chovet, A mitwirkender ctb Cocks, F. H mitwirkender ctb Czajka, R mitwirkender ctb Derochette, J.-M mitwirkender ctb Didrikhsons, G. 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HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abdullaev, G. B mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. S mitwirkender ctb Akulovich, N. I mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Ammer, C mitwirkender ctb Arefev, K. P mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Ayroles, R mitwirkender ctb Azizov, T. Kh mitwirkender ctb Bagirzade, E. F mitwirkender ctb Balachandran, U mitwirkender ctb Baźela, W mitwirkender ctb Berezin, A. A mitwirkender ctb Bertrandt-Źytkowiak, M mitwirkender ctb Bewilogua, K mitwirkender ctb Bhan, S mitwirkender ctb Bilbé, R. M mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Birks, E. H mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Bullot, J mitwirkender ctb Campbell, S. J mitwirkender ctb Chalupa, B mitwirkender ctb Chimczak, E mitwirkender ctb Chizhevskaya, S. N mitwirkender ctb Chovet, A mitwirkender ctb Cocks, F. H mitwirkender ctb Czajka, R mitwirkender ctb Derochette, J.-M mitwirkender ctb Didrikhsons, G. T mitwirkender ctb Dietrich, D mitwirkender ctb Edgar, A mitwirkender ctb Eror, N. G mitwirkender ctb Fahrner, W. R mitwirkender ctb Fleury, G mitwirkender ctb Freidenfeld, E. Zh mitwirkender ctb Gallais, O mitwirkender ctb Gauthier, M mitwirkender ctb Georgiev, M mitwirkender ctb Glinchuk, K. D mitwirkender ctb Gordon, W. S mitwirkender ctb Gupta, S. K mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Haefner, H mitwirkender ctb Hafiz, M. M mitwirkender ctb Handschuh, M mitwirkender ctb Heidemann, K mitwirkender ctb Herrmann, K .H mitwirkender ctb Holzhüter, G mitwirkender ctb Howes, M. J mitwirkender ctb Hutton, D. R mitwirkender ctb Ibrahim, M. M mitwirkender ctb Ishioka, S mitwirkender ctb Jarzȩbski, Z. M mitwirkender ctb Joachim, F mitwirkender ctb Jones, P. L mitwirkender ctb Kaito, C mitwirkender ctb Kalyuzhnaya, G. A mitwirkender ctb Kazakevich, L. A mitwirkender ctb Kazakova, L. P mitwirkender ctb Khvostantsev, L. G mitwirkender ctb Klabes, R mitwirkender ctb Koifman, A. I mitwirkender ctb Koiwa, M mitwirkender ctb Kozielski, M mitwirkender ctb Kuzminikh, V. A mitwirkender ctb Lalinský, T mitwirkender ctb Lefaucheux, F mitwirkender ctb Lind, J. H mitwirkender ctb Litovchenko, N. M mitwirkender ctb Livage, J mitwirkender ctb Lorenz, W mitwirkender ctb Lugakov, P. F mitwirkender ctb Lukat, K mitwirkender ctb Lunn, B mitwirkender ctb Malosovskii, Yu. M mitwirkender ctb Malyutenko, V. K mitwirkender ctb Mamedov, G. M mitwirkender ctb Matsui, H mitwirkender ctb Matthews, R. J mitwirkender ctb Minonishi, Y mitwirkender ctb Misiak, J. A mitwirkender ctb Morgan, D. V mitwirkender ctb Morozumi, S mitwirkender ctb Muminov, R . A mitwirkender ctb Möllmann, K.-P mitwirkender ctb Nakamura, N mitwirkender ctb Nicholls, J. E mitwirkender ctb Nidaev, E. V mitwirkender ctb Niftiev, G. M mitwirkender ctb Oelgart, G mitwirkender ctb Okada, K mitwirkender ctb Onengut, D mitwirkender ctb Orlov, A. I mitwirkender ctb Osipyan, V. G mitwirkender ctb Padam, G. K mitwirkender ctb Pasemann, M mitwirkender ctb Peretti, P mitwirkender ctb Petrov, V. V mitwirkender ctb Pfeiffer, H mitwirkender ctb Phakey, P. P mitwirkender ctb Pogrebnyak, A. D mitwirkender ctb Polewska, W mitwirkender ctb Popescu, I. M mitwirkender ctb Prokhorovich, A. V mitwirkender ctb Ranson, P mitwirkender ctb Ratishvili, I. G mitwirkender ctb Reulke, R mitwirkender ctb Ribet, M mitwirkender ctb Ritter, G mitwirkender ctb Robert, M. C mitwirkender ctb Rosenzweig, J mitwirkender ctb Roucau, C mitwirkender ctb Rousset, Y mitwirkender ctb Rozhanski, V. N mitwirkender ctb Salnik, Z. A mitwirkender ctb Sanchez Porras, G mitwirkender ctb Sashchuk, A. P mitwirkender ctb Sauvage, M mitwirkender ctb Schaffer, J. P mitwirkender ctb Schryvers, D mitwirkender ctb Schröder, K mitwirkender ctb Schöttle, P mitwirkender ctb Sekimoto, S mitwirkender ctb Shebanov, L. A mitwirkender ctb Shiojiri, M mitwirkender ctb Singh, B mitwirkender ctb Smirnov, L. S mitwirkender ctb Sood, B. 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L mitwirkender ctb Weidner, M mitwirkender ctb Weissmantel, Ch mitwirkender ctb Wendt, M mitwirkender ctb Whittle, G. L mitwirkender ctb Woittennek, H mitwirkender ctb Wood, J mitwirkender ctb Yafasov, A. Ya mitwirkender ctb Zakharov, N. D mitwirkender ctb Łukaszewicz, K mitwirkender ctb 9783112494974 Erscheint auch als print 9783112494974 https://doi.org/10.1515/9783112494981 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112494981 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112494981/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 20 01 0084 4077055555 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 4073760831 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 411263935X 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062706709 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062779013 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 4073629476 OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062754495 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073791311 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Abdullaev, G. 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Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">62</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0028</subfield><subfield code="b">4063020193</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118620995</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062730073</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4073629476</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4073791311</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Physica status solidi Volume 71, Number 1: May 16 A ; ed. by Görlich |
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Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Dr. sc. nat. HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles |
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Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Dr. sc. nat. HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles |
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Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Dr. sc. nat. HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. 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Abdullaev, G. B Abrikosov, N. Kh Ahmed, A. S Akulovich, N. I Amelinckx, S Ammer, C Arefev, K. P Atobe, K Ayroles, R Azizov, T. Kh Bagirzade, E. F Balachandran, U Baźela, W Berezin, A. A Bertrandt-Źytkowiak, M Bewilogua, K Bhan, S Bilbé, R. M Birkholz, U Birks, E. H Breitenstein, O Bullot, J Campbell, S. J Chalupa, B Chimczak, E Chizhevskaya, S. N Chovet, A Cocks, F. H Czajka, R Derochette, J.-M Didrikhsons, G. T Dietrich, D Edgar, A Eror, N. G Fahrner, W. R Fleury, G Freidenfeld, E. Zh Gallais, O Gauthier, M Georgiev, M Glinchuk, K. D Gordon, W. S Gupta, S. K Görlich Haefner, H Hafiz, M. M Handschuh, M Heidemann, K Herrmann, K .H Holzhüter, G Howes, M. J Hutton, D. R Ibrahim, M. M Ishioka, S Jarzȩbski, Z. M Joachim, F Jones, P. L Kaito, C Kalyuzhnaya, G. A Kazakevich, L. A Kazakova, L. P Khvostantsev, L. G Klabes, R Koifman, A. I Koiwa, M Kozielski, M Kuzminikh, V. A Lalinský, T Lefaucheux, F Lind, J. H Litovchenko, N. M Livage, J Lorenz, W Lugakov, P. F Lukat, K Lunn, B Malosovskii, Yu. M Malyutenko, V. K Mamedov, G. M Matsui, H Matthews, R. J Minonishi, Y Misiak, J. A Morgan, D. V Morozumi, S Muminov, R . A Möllmann, K.-P Nakamura, N Nicholls, J. E Nidaev, E. V Niftiev, G. M Oelgart, G Okada, K Onengut, D Orlov, A. I Osipyan, V. G Padam, G. K Pasemann, M Peretti, P Petrov, V. V Pfeiffer, H Phakey, P. P Pogrebnyak, A. D Polewska, W Popescu, I. M Prokhorovich, A. V Ranson, P Ratishvili, I. G Reulke, R Ribet, M Ritter, G Robert, M. C Rosenzweig, J Roucau, C Rousset, Y Rozhanski, V. N Salnik, Z. A Sanchez Porras, G Sashchuk, A. P Sauvage, M Schaffer, J. P Schryvers, D Schröder, K Schöttle, P Sekimoto, S Shebanov, L. A Shiojiri, M Singh, B Smirnov, L. S Sood, B. R Sootha, G. D Stanciu, G. A Stewart, A. M Stoebe, T. G Stoichița, C. M Suzuki, I Svechnikova, T. E Szott, I Szuba, S Szytuła, A Tagiev, B. G Tagiev, O. B Taguyrdzhanov, M. A Tamaki, M Tendeloo, G. van Teranishi, K Thurzo, I Tomaszewski, P. E Tomlinson, R. D Torrès, J Totterdell, D. H. J Troup, G. J Tóth, L Utenko, V. I Van Landuyt, J Van Tendeloo, G Viger, C Voelskow, M Vrána, M Wasim, S. M Weichman, F. L Weidner, M Weissmantel, Ch Wendt, M Whittle, G. L Woittennek, H Wood, J Yafasov, A. Ya Zakharov, N. D Łukaszewicz, K |
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HORST LANGE -- Contents -- Review Article -- Preparation and Physical Properties of Transparent Conducting Oxide Films -- Original Papers -- Low-Angle Electron Deflection Studies of Domain Wall Structure in Thin NiFe Films -- Thermoelectric Properties and Phase Transitions in Bi2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa and Temperature up to 300 "C -- Cathodoluminescence in CaSO4:Dy -- Investigation of the Effect of Large Doses on the Si(Li) Detector Parameters -- Electrical Properties of Amorphous and Crystalline Phases in Electroluminescent ZnS:Mn, Cu, CI Films -- Thermoluminescence of NaF Harshaw Single Crystals Irradiated to Very Low and High Doses -- Spectral Properties of SnOx-ZnS(A)-CuxS-ZnS(A)-Al Electroluminescent Thin Film Structures -- Structure and Formation Kinetics of Oxygen-Induced Recombination Centres in Heat-Treated Silicon -- Degradation of Green Light-Emitting GaP:N Diodes -- The Effect of Dislocations on the Formation of Radiation Defects in Silicon -- High Resolution Electron Microscopic Studies of the Polymorphic Transformation and Crystal Structures of Low-Temperature Ag2Se Phases -- Results of Ion Implantation into Silicon in the 100 MeV Range -- Dynamical Theory of Photocurrent-Voltage Curves and Photocurrent Efficiency on Semiconductor Electrodes -- LEED Intensity Analysis of Epitaxial Ag/Au Systems -- Positron Profiles and Positron Annihilation in Thin Layers -- Spreading Resistance Profile Correction Scheme for Thin Layers on a Conducting Boundary -- A Capacitance Meter of High Absolute Sensitivity Suitable for Scanning DLTS Application -- Kinetics of Impurity Incorporation during Crystal Growth -- Oxygen Nonstoichiometry of Tantalum-Doped Calcium Titanate -- A New Long Period Superstructure with Ideal Composition Au35Mn13 Derived from the DO22 Structure, Studied by Means of High Resolution Electron Microscopy and Electron Diffraction -- Investigation of the Interactions between Ferroelastie Domain Walls and of the Structural Transition in Lead Phosphate Observed by Electron Microscopy -- A Study of Geometric Magnetoresistance in Transferred Electron Diodes Using a Numerical Solution of the Boltzmann Equation -- Increase of the Sensitivity of Devices Based on Carrier Concentration Effects -- The Low-Temperature Stable States of Some Transition Metal Hydrides -- Photoluminescence of Copper-Compensated p-Type GaAs after Irradiation by 2.2 MeV Electrons -- α-Particle Polarization Effects in Cadmium Telluride Radiation Detectors -- A Mössbauer Study of the Magnetic Hyperfine Field Distribution in the Amorphous Alloy Fe32Ni36Cr14P12B6 -- The Structure of {1121} Twin Boundaries in H.C.P. Crystals -- Conduction and Switching in InxSe1-x -- Cuprous Oxide-Copper Photovoltaic Cells Formed by High-Temperature Reduction -- Observations of Point Defects in Silicon by Means of Dark-Field Lattice Plane Imaging -- Short Notes -- Figures -- Threshold Switching in V2O5 Layers Deposited from Gels -- Synchrotron Radiation Section Topographs in Sr(NO3)2 -- High Resolution Electron Microscopy of Coincidence Patterns in the Ordered Pd3Mn Alloy -- Neutron Diffraction Topography of Fe(Si) Single Crystals -- Evolution of the Photocurrent in a Region with Inversion Layer of the imp Transistor -- Photoferroelectric Behaviour in Pb0.78S0.22Te:In -- The Effect of Radiation Type on Defect Production in Li2O -- 8 mm Wavelength EPR Spectrum of Cr3+in Laser-Quality Alexandrite -- Comments on the Temperature Range of the Double Hysteresis Loop at the First-Order Ferroelectric Transition -- Kinetic Behaviour of Oxygen Radicals in CdS -- Influence of Bipolar Photoconduction on the Thermoelectric Power of CdTe -- Injection and Thermoactivation Currents in EuGa2S4 Single Crystals -- Interference Oscillations in the Temperature Dependence of Photocurrent and Transmission of GaSe, GaTe, and GaSex Te1-x Single Crystals -- Orthorhombic Low-Temperature Phase of LiKSO4 -- Structure of Amorphous Carbon Films -- Ferroelectricity in Bi10Ti3W3O30 -- On the Electrical Activity of Transmutated Phosphorus in Neutron Transmutation Doped Silicon -- Crystal Heating and Non-Radiative Relaxation Processes of Triplet Excitons in 4-4 Dichlorobenzophenone -- Some Electrical Characteristics of Zn and Cd Doped CuInTe2 -- On Phase Diagrams of Binary Systems -- On the Relationship between Charge- and Current-Based DLTS -- Nucleation Characteristics of the Suzuki Phase in LiF (TLD-100) -- Effect of Stress Waves on the Magnetization of Magnesiowüstite with Magnesioferrite Precipitates -- Adsorption of H2 and N2 on Ir(100) Studied by Field Emission -- Spectral Response of Amorphous Se at 233 K -- Reversible Photoinduced Change of Hole Drift Mobility in Amorphous AsSe Thin Films -- Photoconductivity of Ion-Plated Amorphous Hydrogenated Silicon -- Suitability of NaF as a Phaser Material -- Electrical Resistivity of β -U2N3 -- Dopant Redistribution after Flash Lamp Annealing -- Erratum -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Abdullaev, G. 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code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz).</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">31</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0027</subfield><subfield code="b">4062682044</subfield><subfield code="h">OLR-DeGruyterEBS</subfield><subfield code="k">Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen.</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">4080701497</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">05-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">4062988992</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">62</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0028</subfield><subfield code="b">4063020193</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118620995</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062730073</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4073629476</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">90</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3090</subfield><subfield code="b">4062754495</subfield><subfield code="h">OLR-HILdegruyter</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4073791311</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Volltextzugriff nur für berechtigte Personen über das Campusnetz</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">120</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0715</subfield><subfield code="b">4082683534</subfield><subfield code="c">00</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">--%%--</subfield><subfield code="e">g</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">alma</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">08-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">122</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0897</subfield><subfield code="b">4073670107</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">130</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0700</subfield><subfield code="b">406280350X</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBA-EBKALL</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">140</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0839</subfield><subfield code="b">4073702971</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">147</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3528</subfield><subfield code="b">4062916983</subfield><subfield code="h">OLR-EBS-DG</subfield><subfield code="k">Multiuser | freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">264</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3264</subfield><subfield code="b">4073733028</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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