Physica status solidi : Volume 89, Number 1: May 16
Frontmatter -- Author Index -- Contents -- Review Article -- The Pulsed MIS Capacitor: A Critical Review -- Original Papers -- Structure -- Neutron Diffraction by a Mosaic Crystal with Large Crystallite -- A Model of Crystallization Processes Controlled by Temperature Pulses in Amorphous Semiconduct...
Ausführliche Beschreibung
Autor*in: |
Abass, A. K [mitwirkender] Abramov, V. N [mitwirkender] Abrikosov, N. Kh [mitwirkender] Ahmed, A. B [mitwirkender] Akeoune, A [mitwirkender] Akshak, K [mitwirkender] Al-Eithan, F. Y. M [mitwirkender] Al-Ismail, S. A. Y [mitwirkender] Albers, H [mitwirkender] Aliev, A. S [mitwirkender] Aliev, F. K [mitwirkender] Alonso, J. A [mitwirkender] Andreev, G. A [mitwirkender] Arkhipov, V. I [mitwirkender] Asbrikk, S [mitwirkender] Atobe, K [mitwirkender] Babanskaja, I [mitwirkender] Backs, D [mitwirkender] Bairamov, A. I [mitwirkender] Bakek, I [mitwirkender] Bakker, H [mitwirkender] Balčaitis, G [mitwirkender] Barland, M [mitwirkender] Baubeegek, A [mitwirkender] Beaudry, B. J [mitwirkender] Beneš, L [mitwirkender] Bibiloni, A. G [mitwirkender] Blythe, H. J [mitwirkender] Bräunig, D [mitwirkender] Casajus, A [mitwirkender] Casalot, A [mitwirkender] Chakrabarty, D. K [mitwirkender] Chandra, S [mitwirkender] Chebotin, V. N [mitwirkender] Chelyadinskii, A. R [mitwirkender] Chikichev, S. I [mitwirkender] Claverie, J [mitwirkender] De Batist, R [mitwirkender] Dzhafarov, T. D [mitwirkender] Fahrner, W. R [mitwirkender] Fariver, Yu. G [mitwirkender] Frauenheim, Th [mitwirkender] Gaktia, R. K [mitwirkender] Gallego, L. J [mitwirkender] Garcia, J. A [mitwirkender] Gaume, F [mitwirkender] Geilek, H. D [mitwirkender] Ghosh, B [mitwirkender] Gierlotka, S [mitwirkender] Glowacki, B [mitwirkender] Golovin, A. L [mitwirkender] Gschneidner, K. A [mitwirkender] Görlich [herausgeberIn] Hamann, C [mitwirkender] Hassib, A. M [mitwirkender] Hehl, K [mitwirkender] Hitzenbekgek, C [mitwirkender] Hlávka, J [mitwirkender] Hogarth, C. A [mitwirkender] Hong, S. H [mitwirkender] Horobiowski, M [mitwirkender] Horák, J [mitwirkender] Ibaev, G. I [mitwirkender] Ibragimov, A. I [mitwirkender] Imamov, R. M [mitwirkender] Iniewski, K [mitwirkender] Ishio, S [mitwirkender] Issa, M. A. A [mitwirkender] Ivanov, A. V [mitwirkender] Ivanova, L. D [mitwirkender] Jakubowski, A [mitwirkender] Januškevičius, Z [mitwirkender] Jenichkn, B [mitwirkender] Kalousová, J [mitwirkender] Kalukhov, V. A [mitwirkender] Kang, J. S [mitwirkender] Karalkevičiutè, V [mitwirkender] Karnthaler, H. P [mitwirkender] Karpechin, A. I [mitwirkender] Keek, H. V [mitwirkender] Khvostantsev, L. G [mitwirkender] Kirscht, F. G [mitwirkender] Kittler, M [mitwirkender] Klikork, J [mitwirkender] Klikorka, J [mitwirkender] Knoll, M [mitwirkender] Kondrashkina, E. A [mitwirkender] Koptelov, E. A [mitwirkender] Korne, A [mitwirkender] Krause, H [mitwirkender] Krishna, N. Goh [mitwirkender] Kristofik, J [mitwirkender] Krivolapchuk, V. V [mitwirkender] Krištofik, J [mitwirkender] Kubĕnka, J [mitwirkender] Kuczkowski, A [mitwirkender] Kwok, C. Y [mitwirkender] Kätzel, W [mitwirkender] Köhler, R [mitwirkender] Lagnel, F [mitwirkender] Lapraz, D [mitwirkender] Laschinski, J. R [mitwirkender] Ling, C. H [mitwirkender] Litvinov, V. L [mitwirkender] Login, V. M [mitwirkender] Lošťak, P [mitwirkender] Lošťák, P [mitwirkender] López-García, A. R [mitwirkender] Lübbes, A [mitwirkender] Malyshev, S. A [mitwirkender] Mares, J. J [mitwirkender] Mareš, J. J [mitwirkender] Marucco, J. F [mitwirkender] Matsumori, T [mitwirkender] Melker, A. I [mitwirkender] Melnikov, S. L [mitwirkender] Mercader, R. C [mitwirkender] Mezrin, V. A [mitwirkender] Miglierini, M [mitwirkender] Misho, R. H [mitwirkender] Miyada-Naborikawa, L. T [mitwirkender] Musmus, A. A. S [mitwirkender] Möhllng, W [mitwirkender] Müller, M [mitwirkender] Müller, O. G [mitwirkender] Nakagawa, M [mitwirkender] Narasimhan, V [mitwirkender] Neidig, A [mitwirkender] Niese, S [mitwirkender] Nietz, V. V [mitwirkender] Nishimoto, N [mitwirkender] Novotný, R [mitwirkender] Nushiro, K [mitwirkender] Oberschmid, R [mitwirkender] Orlov, A. I [mitwirkender] Osinskii, V. I [mitwirkender] Pal, A. K [mitwirkender] Palosz, B [mitwirkender] Pasquevich, A. F [mitwirkender] Piqueras, J [mitwirkender] Poumellec, B [mitwirkender] Pozhidaev, E. D [mitwirkender] Prasad, K [mitwirkender] Przedmojski, J [mitwirkender] Radelaar, S [mitwirkender] Rao, B. Rama [mitwirkender] Reddy, U. K [mitwirkender] Remön, A [mitwirkender] Richter, H [mitwirkender] Rijke, Q. J. A [mitwirkender] Rodionov, A. V [mitwirkender] Rossin, V. V [mitwirkender] Rossina, T. V [mitwirkender] Ruijven, L. J. v [mitwirkender] Ryzhkov, M. P [mitwirkender] Sabharwal, S. C [mitwirkender] Sadigov, M. S [mitwirkender] Saenko, V. S [mitwirkender] Sahu, S. N [mitwirkender] Sakalas, A [mitwirkender] Schmalz, K [mitwirkender] Schroder, D. K [mitwirkender] Schulson, E. M [mitwirkender] Schöneich, J [mitwirkender] Seifert, W [mitwirkender] Semenov, A. A [mitwirkender] Sharma, K. K [mitwirkender] Shaw, D [mitwirkender] Shevchenko, S. Ya [mitwirkender] Shigetomi, S [mitwirkender] Sichkar, V. P [mitwirkender] Sikdar, R [mitwirkender] Sirdeshmukh, D. B [mitwirkender] Sitek, J [mitwirkender] Skivastava, G. P [mitwirkender] Smid, V [mitwirkender] Smienov, B. I [mitwirkender] Sodeika, A [mitwirkender] Somoza, J. A [mitwirkender] Spit, F. H. M [mitwirkender] Stelmakh, V. F [mitwirkender] Stock, D [mitwirkender] Storbeck, F [mitwirkender] Styrkowiec, R [mitwirkender] Sung, Kim Chil [mitwirkender] Suprun-Belevich, Yu. R [mitwirkender] Sveshnikov, Yu. N [mitwirkender] Sánchez, F. H [mitwirkender] Takahashi, M [mitwirkender] Tazaikt, A [mitwirkender] Tkachev, V. D [mitwirkender] Tyutnev, A. P [mitwirkender] Ukhin, N. A [mitwirkender] Vannikov, A. V [mitwirkender] Villeneuve, G [mitwirkender] Votinský, J [mitwirkender] Walz, F [mitwirkender] Weisheit, A. R [mitwirkender] Westerveld, J. P. A [mitwirkender] Wipf, H [mitwirkender] Wolcyez, M [mitwirkender] Zhilyaev, Yu. V [mitwirkender] Šmid, V [mitwirkender] Štourač, L [mitwirkender] |
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Format: |
E-Book |
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Sprache: |
Englisch |
Erschienen: |
Berlin Boston: De Gruyter ; 2022 |
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Ausgabe: |
Reprint 2021 |
Rechteinformationen: |
Restricted Access |
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Schlagwörter: |
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Umfang: |
1 Online-Ressource (556 p) |
---|---|
Beschreibung: |
Mode of access: Internet via World Wide Web. |
Reproduktion: |
[Online-Ausgabe] |
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Reihe: |
Physica status solidi ; A ; Volume 89, Number 1 |
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Links: | |
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ISBN: |
978-3-11-249464-6 |
DOI / URN: |
10.1515/9783112494646 |
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520 | |a Frontmatter -- Author Index -- Contents -- Review Article -- The Pulsed MIS Capacitor: A Critical Review -- Original Papers -- Structure -- Neutron Diffraction by a Mosaic Crystal with Large Crystallite -- A Model of Crystallization Processes Controlled by Temperature Pulses in Amorphous Semiconductors -- Structural and Electrical Properties of the LaCo 1-x MnxO2 and LaCo 1-x FexO3 Systems -- Liquidus Curves of Eutectic Na-K and Na-Cs Systems from Semiempirical Theories of Mixtures -- Double Crystal Topography Compensating for the Strain in Processed Samples -- Determination of Sulphur Coverages on F e ( l l l ) by Means of Quantitative Auger-Electron Spectrometry -- Defects, atomistic aspects -- Fast-Neutron Radiation Damages in Heavily Doped p-Silicon -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Instability Conditions for a Spatially Homogeneous Yoid Distribution in Irradiated Metals -- H and D Diffusion in Y and Nb in the Presence of a Temperature Gradient -- Contrast Analysis of Intrinsic and Extrinsic Stacking Faults in H.C.P. Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles | ||
533 | |a [Online-Ausgabe] | ||
538 | |a Mode of access: Internet via World Wide Web. | ||
546 | |a In English | ||
650 | 4 | |a SCIENCE / General | |
700 | 1 | |a Abass, A. K |e mitwirkender |4 ctb | |
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Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. 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In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abramov, V. N mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. B mitwirkender ctb Akeoune, A mitwirkender ctb Akshak, K mitwirkender ctb Al-Eithan, F. Y. M mitwirkender ctb Al-Ismail, S. A. Y mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aliev, A. S mitwirkender ctb Aliev, F. K mitwirkender ctb Alonso, J. A mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Arkhipov, V. I mitwirkender ctb Asbrikk, S mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Babanskaja, I mitwirkender ctb Backs, D mitwirkender ctb Bairamov, A. I mitwirkender ctb Bakek, I mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balčaitis, G mitwirkender ctb Barland, M mitwirkender ctb Baubeegek, A mitwirkender ctb Beaudry, B. J mitwirkender ctb Beneš, L mitwirkender ctb Bibiloni, A. G mitwirkender ctb Blythe, H. J mitwirkender ctb Bräunig, D mitwirkender ctb Casajus, A mitwirkender ctb Casalot, A mitwirkender ctb Chakrabarty, D. 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Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abramov, V. N mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. B mitwirkender ctb Akeoune, A mitwirkender ctb Akshak, K mitwirkender ctb Al-Eithan, F. Y. M mitwirkender ctb Al-Ismail, S. A. Y mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aliev, A. S mitwirkender ctb Aliev, F. K mitwirkender ctb Alonso, J. A mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Arkhipov, V. I mitwirkender ctb Asbrikk, S mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Babanskaja, I mitwirkender ctb Backs, D mitwirkender ctb Bairamov, A. I mitwirkender ctb Bakek, I mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balčaitis, G mitwirkender ctb Barland, M mitwirkender ctb Baubeegek, A mitwirkender ctb Beaudry, B. J mitwirkender ctb Beneš, L mitwirkender ctb Bibiloni, A. G mitwirkender ctb Blythe, H. J mitwirkender ctb Bräunig, D mitwirkender ctb Casajus, A mitwirkender ctb Casalot, A mitwirkender ctb Chakrabarty, D. 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9783112494646 978-3-11-249464-6 10.1515/9783112494646 doi (DE-627)1788542193 (DE-599)KEP074821423 (DE-B1597)598334 (EBP)074821423 DE-627 eng DE-627 rda eng XA-DE SCI000000 bisacsh Physica status solidi Volume 89, Number 1: May 16 A ; ed. by Görlich Reprint 2021 Berlin Boston De Gruyter [2022] 1 Online-Ressource (556 p) Text txt rdacontent Computermedien c rdamedia Online-Ressource cr rdacarrier Physica status solidi Volume 89, Number 1 A Restricted Access Controlled Vocabulary for Access Rights http://purl.org/coar/access_right/c_16ec online access with authorization star Frontmatter -- Author Index -- Contents -- Review Article -- The Pulsed MIS Capacitor: A Critical Review -- Original Papers -- Structure -- Neutron Diffraction by a Mosaic Crystal with Large Crystallite -- A Model of Crystallization Processes Controlled by Temperature Pulses in Amorphous Semiconductors -- Structural and Electrical Properties of the LaCo 1-x MnxO2 and LaCo 1-x FexO3 Systems -- Liquidus Curves of Eutectic Na-K and Na-Cs Systems from Semiempirical Theories of Mixtures -- Double Crystal Topography Compensating for the Strain in Processed Samples -- Determination of Sulphur Coverages on F e ( l l l ) by Means of Quantitative Auger-Electron Spectrometry -- Defects, atomistic aspects -- Fast-Neutron Radiation Damages in Heavily Doped p-Silicon -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Instability Conditions for a Spatially Homogeneous Yoid Distribution in Irradiated Metals -- H and D Diffusion in Y and Nb in the Presence of a Temperature Gradient -- Contrast Analysis of Intrinsic and Extrinsic Stacking Faults in H.C.P. Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abramov, V. N mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. B mitwirkender ctb Akeoune, A mitwirkender ctb Akshak, K mitwirkender ctb Al-Eithan, F. Y. M mitwirkender ctb Al-Ismail, S. A. Y mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aliev, A. S mitwirkender ctb Aliev, F. K mitwirkender ctb Alonso, J. A mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Arkhipov, V. I mitwirkender ctb Asbrikk, S mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Babanskaja, I mitwirkender ctb Backs, D mitwirkender ctb Bairamov, A. I mitwirkender ctb Bakek, I mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balčaitis, G mitwirkender ctb Barland, M mitwirkender ctb Baubeegek, A mitwirkender ctb Beaudry, B. J mitwirkender ctb Beneš, L mitwirkender ctb Bibiloni, A. G mitwirkender ctb Blythe, H. J mitwirkender ctb Bräunig, D mitwirkender ctb Casajus, A mitwirkender ctb Casalot, A mitwirkender ctb Chakrabarty, D. K mitwirkender ctb Chandra, S mitwirkender ctb Chebotin, V. N mitwirkender ctb Chelyadinskii, A. R mitwirkender ctb Chikichev, S. I mitwirkender ctb Claverie, J mitwirkender ctb De Batist, R mitwirkender ctb Dzhafarov, T. D mitwirkender ctb Fahrner, W. R mitwirkender ctb Fariver, Yu. G mitwirkender ctb Frauenheim, Th mitwirkender ctb Gaktia, R. K mitwirkender ctb Gallego, L. J mitwirkender ctb Garcia, J. A mitwirkender ctb Gaume, F mitwirkender ctb Geilek, H. D mitwirkender ctb Ghosh, B mitwirkender ctb Gierlotka, S mitwirkender ctb Glowacki, B mitwirkender ctb Golovin, A. L mitwirkender ctb Gschneidner, K. A mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Hamann, C mitwirkender ctb Hassib, A. M mitwirkender ctb Hehl, K mitwirkender ctb Hitzenbekgek, C mitwirkender ctb Hlávka, J mitwirkender ctb Hogarth, C. A mitwirkender ctb Hong, S. H mitwirkender ctb Horobiowski, M mitwirkender ctb Horák, J mitwirkender ctb Ibaev, G. I mitwirkender ctb Ibragimov, A. I mitwirkender ctb Imamov, R. M mitwirkender ctb Iniewski, K mitwirkender ctb Ishio, S mitwirkender ctb Issa, M. A. A mitwirkender ctb Ivanov, A. V mitwirkender ctb Ivanova, L. D mitwirkender ctb Jakubowski, A mitwirkender ctb Januškevičius, Z mitwirkender ctb Jenichkn, B mitwirkender ctb Kalousová, J mitwirkender ctb Kalukhov, V. A mitwirkender ctb Kang, J. S mitwirkender ctb Karalkevičiutè, V mitwirkender ctb Karnthaler, H. P mitwirkender ctb Karpechin, A. I mitwirkender ctb Keek, H. V mitwirkender ctb Khvostantsev, L. G mitwirkender ctb Kirscht, F. G mitwirkender ctb Kittler, M mitwirkender ctb Klikork, J mitwirkender ctb Klikorka, J mitwirkender ctb Knoll, M mitwirkender ctb Kondrashkina, E. A mitwirkender ctb Koptelov, E. A mitwirkender ctb Korne, A mitwirkender ctb Krause, H mitwirkender ctb Krishna, N. Goh mitwirkender ctb Kristofik, J mitwirkender ctb Krivolapchuk, V. V mitwirkender ctb Krištofik, J mitwirkender ctb Kubĕnka, J mitwirkender ctb Kuczkowski, A mitwirkender ctb Kwok, C. 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V mitwirkender ctb Šmid, V mitwirkender ctb Štourač, L mitwirkender ctb 9783112494639 Erscheint auch als print 9783112494639 https://doi.org/10.1515/9783112494646 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112494646 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112494646/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 20 01 0084 4077055709 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 407376098X ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 4112639503 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062706857 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062779161 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 407362962X OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062754649 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 407379146X OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abramov, V. N mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. B mitwirkender ctb Akeoune, A mitwirkender ctb Akshak, K mitwirkender ctb Al-Eithan, F. Y. M mitwirkender ctb Al-Ismail, S. A. Y mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aliev, A. S mitwirkender ctb Aliev, F. K mitwirkender ctb Alonso, J. A mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Arkhipov, V. I mitwirkender ctb Asbrikk, S mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Babanskaja, I mitwirkender ctb Backs, D mitwirkender ctb Bairamov, A. I mitwirkender ctb Bakek, I mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balčaitis, G mitwirkender ctb Barland, M mitwirkender ctb Baubeegek, A mitwirkender ctb Beaudry, B. J mitwirkender ctb Beneš, L mitwirkender ctb Bibiloni, A. G mitwirkender ctb Blythe, H. J mitwirkender ctb Bräunig, D mitwirkender ctb Casajus, A mitwirkender ctb Casalot, A mitwirkender ctb Chakrabarty, D. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 407362962X OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062754649 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 407379146X OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 147 01 3528 4062917319 OLR-EBS-DG Multiuser | freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 264 01 3264 4073733249 OLR-deGruyter-EBS Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 285 01 0517 4590322447 OLR-GRUY-TEST Zugriff zeitlich begrenzt (EBS) Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abramov, V. N mitwirkender ctb Abrikosov, N. Kh mitwirkender ctb Ahmed, A. B mitwirkender ctb Akeoune, A mitwirkender ctb Akshak, K mitwirkender ctb Al-Eithan, F. Y. M mitwirkender ctb Al-Ismail, S. A. Y mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aliev, A. S mitwirkender ctb Aliev, F. K mitwirkender ctb Alonso, J. A mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Arkhipov, V. I mitwirkender ctb Asbrikk, S mitwirkender ctb Atobe, K mitwirkender ctb Babanskaja, I mitwirkender ctb Backs, D mitwirkender ctb Bairamov, A. I mitwirkender ctb Bakek, I mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balčaitis, G mitwirkender ctb Barland, M mitwirkender ctb Baubeegek, A mitwirkender ctb Beaudry, B. J mitwirkender ctb Beneš, L mitwirkender ctb Bibiloni, A. G mitwirkender ctb Blythe, H. J mitwirkender ctb Bräunig, D mitwirkender ctb Casajus, A mitwirkender ctb Casalot, A mitwirkender ctb Chakrabarty, D. 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Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Abass, A. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062730227</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">407362962X</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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Frontmatter -- Author Index -- Contents -- Review Article -- The Pulsed MIS Capacitor: A Critical Review -- Original Papers -- Structure -- Neutron Diffraction by a Mosaic Crystal with Large Crystallite -- A Model of Crystallization Processes Controlled by Temperature Pulses in Amorphous Semiconductors -- Structural and Electrical Properties of the LaCo 1-x MnxO2 and LaCo 1-x FexO3 Systems -- Liquidus Curves of Eutectic Na-K and Na-Cs Systems from Semiempirical Theories of Mixtures -- Double Crystal Topography Compensating for the Strain in Processed Samples -- Determination of Sulphur Coverages on F e ( l l l ) by Means of Quantitative Auger-Electron Spectrometry -- Defects, atomistic aspects -- Fast-Neutron Radiation Damages in Heavily Doped p-Silicon -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Instability Conditions for a Spatially Homogeneous Yoid Distribution in Irradiated Metals -- H and D Diffusion in Y and Nb in the Presence of a Temperature Gradient -- Contrast Analysis of Intrinsic and Extrinsic Stacking Faults in H.C.P. Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles |
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Frontmatter -- Author Index -- Contents -- Review Article -- The Pulsed MIS Capacitor: A Critical Review -- Original Papers -- Structure -- Neutron Diffraction by a Mosaic Crystal with Large Crystallite -- A Model of Crystallization Processes Controlled by Temperature Pulses in Amorphous Semiconductors -- Structural and Electrical Properties of the LaCo 1-x MnxO2 and LaCo 1-x FexO3 Systems -- Liquidus Curves of Eutectic Na-K and Na-Cs Systems from Semiempirical Theories of Mixtures -- Double Crystal Topography Compensating for the Strain in Processed Samples -- Determination of Sulphur Coverages on F e ( l l l ) by Means of Quantitative Auger-Electron Spectrometry -- Defects, atomistic aspects -- Fast-Neutron Radiation Damages in Heavily Doped p-Silicon -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Instability Conditions for a Spatially Homogeneous Yoid Distribution in Irradiated Metals -- H and D Diffusion in Y and Nb in the Presence of a Temperature Gradient -- Contrast Analysis of Intrinsic and Extrinsic Stacking Faults in H.C.P. Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles |
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Frontmatter -- Author Index -- Contents -- Review Article -- The Pulsed MIS Capacitor: A Critical Review -- Original Papers -- Structure -- Neutron Diffraction by a Mosaic Crystal with Large Crystallite -- A Model of Crystallization Processes Controlled by Temperature Pulses in Amorphous Semiconductors -- Structural and Electrical Properties of the LaCo 1-x MnxO2 and LaCo 1-x FexO3 Systems -- Liquidus Curves of Eutectic Na-K and Na-Cs Systems from Semiempirical Theories of Mixtures -- Double Crystal Topography Compensating for the Strain in Processed Samples -- Determination of Sulphur Coverages on F e ( l l l ) by Means of Quantitative Auger-Electron Spectrometry -- Defects, atomistic aspects -- Fast-Neutron Radiation Damages in Heavily Doped p-Silicon -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Instability Conditions for a Spatially Homogeneous Yoid Distribution in Irradiated Metals -- H and D Diffusion in Y and Nb in the Presence of a Temperature Gradient -- Contrast Analysis of Intrinsic and Extrinsic Stacking Faults in H.C.P. 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Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles |
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Abass, A. K Abramov, V. N Abrikosov, N. Kh Ahmed, A. B Akeoune, A Akshak, K Al-Eithan, F. Y. M Al-Ismail, S. A. Y Albers, H Aliev, A. S Aliev, F. K Alonso, J. A Andreev, G. A Arkhipov, V. I Asbrikk, S Atobe, K Babanskaja, I Backs, D Bairamov, A. I Bakek, I Bakker, H Balčaitis, G Barland, M Baubeegek, A Beaudry, B. J Beneš, L Bibiloni, A. G Blythe, H. J Bräunig, D Casajus, A Casalot, A Chakrabarty, D. K Chandra, S Chebotin, V. N Chelyadinskii, A. R Chikichev, S. I Claverie, J De Batist, R Dzhafarov, T. D Fahrner, W. R Fariver, Yu. G Frauenheim, Th Gaktia, R. K Gallego, L. J Garcia, J. A Gaume, F Geilek, H. D Ghosh, B Gierlotka, S Glowacki, B Golovin, A. L Gschneidner, K. A Görlich Hamann, C Hassib, A. M Hehl, K Hitzenbekgek, C Hlávka, J Hogarth, C. A Hong, S. H Horobiowski, M Horák, J Ibaev, G. I Ibragimov, A. I Imamov, R. M Iniewski, K Ishio, S Issa, M. A. A Ivanov, A. V Ivanova, L. D Jakubowski, A Januškevičius, Z Jenichkn, B Kalousová, J Kalukhov, V. A Kang, J. S Karalkevičiutè, V Karnthaler, H. P Karpechin, A. I Keek, H. V Khvostantsev, L. G Kirscht, F. G Kittler, M Klikork, J Klikorka, J Knoll, M Kondrashkina, E. A Koptelov, E. A Korne, A Krause, H Krishna, N. Goh Kristofik, J Krivolapchuk, V. V Krištofik, J Kubĕnka, J Kuczkowski, A Kwok, C. Y Kätzel, W Köhler, R Lagnel, F Lapraz, D Laschinski, J. R Ling, C. H Litvinov, V. L Login, V. M Lošťak, P Lošťák, P López-García, A. R Lübbes, A Malyshev, S. A Mares, J. J Mareš, J. J Marucco, J. F Matsumori, T Melker, A. I Melnikov, S. L Mercader, R. C Mezrin, V. A Miglierini, M Misho, R. H Miyada-Naborikawa, L. T Musmus, A. A. S Möhllng, W Müller, M Müller, O. G Nakagawa, M Narasimhan, V Neidig, A Niese, S Nietz, V. V Nishimoto, N Novotný, R Nushiro, K Oberschmid, R Orlov, A. I Osinskii, V. I Pal, A. K Palosz, B Pasquevich, A. F Piqueras, J Poumellec, B Pozhidaev, E. D Prasad, K Przedmojski, J Radelaar, S Rao, B. Rama Reddy, U. K Remön, A Richter, H Rijke, Q. J. A Rodionov, A. V Rossin, V. V Rossina, T. V Ruijven, L. J. v Ryzhkov, M. P Sabharwal, S. C Sadigov, M. S Saenko, V. S Sahu, S. N Sakalas, A Schmalz, K Schroder, D. K Schulson, E. M Schöneich, J Seifert, W Semenov, A. A Sharma, K. K Shaw, D Shevchenko, S. Ya Shigetomi, S Sichkar, V. P Sikdar, R Sirdeshmukh, D. B Sitek, J Skivastava, G. P Smid, V Smienov, B. I Sodeika, A Somoza, J. A Spit, F. H. M Stelmakh, V. F Stock, D Storbeck, F Styrkowiec, R Sung, Kim Chil Suprun-Belevich, Yu. R Sveshnikov, Yu. N Sánchez, F. H Takahashi, M Tazaikt, A Tkachev, V. D Tyutnev, A. P Ukhin, N. A Vannikov, A. V Villeneuve, G Votinský, J Walz, F Weisheit, A. R Westerveld, J. P. A Wipf, H Wolcyez, M Zhilyaev, Yu. V Šmid, V Štourač, L |
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Cobalt -- Conduction Electron Spin Resonance of Blue Sodalite -- Irradiation-Induced Aggregate Centers in Single Crystal A1203 -- The Effect of Temperature on Dislocation Structures in Ni3Al -- The Chemical Diffusion of In in Hg 0.8 Cd 0.2 Te -- Effect of Plastic Deformation on the Density of Mg-Doped LiF Crystals -- Low-Temperature Internal Friction Peaks in Pure Zirconium Deformed at 300 K -- Ordering of Defects, Thermodynamic and Transport Properties of Solid Oxide Electrolytes with Fluorite Structure -- Magnetism -- The Magnetic Relaxation Spectrum of Plastically Deformed Non-Oriented Iron-Silicon Steel in the Temperature Bange 200 to 800 K -- Extended electronic states and transitions -- Indirect Electronic Transitions in Single Crystals of Triglycine Sulfate By -- Localized electronic states and transitions -- Application of the Fractional Glow Technique in the Analysis of a Complex Thermoluminescence Pattern -- Annealing-Induced Changes in the Photoluminescence of Deformed CaO Single Crystals -- EPR Studies of Dimensionality in Copper Calcium Acetate Hexahydrate -- On the Thermoluminescent Mechanism of a Calcium Fluorapatite Single Crystal Doped with Mn 2+ -- Electrical and Optical Properties of Non-Crystalline As-Se-Cd Thin Films -- Absorption Centers of Bi12GeO20 and Bi12SiO20 Crystals -- Propriétés structurales, magnétiques et électriques des oxyfluorures V 1-x MxO 2-2x F2x (M = Mg, Ni) -- Electric transport -- Photo-Generated Carriers in Structures with Nonlinear Band-Gap Changes -- Effect of Multiple Trapping on Photoreceptor Discharge Characteristics under the Condition of Surface Carrier Generation -- Kinetic Properties and Phase Transitions in Sb2Te3 under Hydrostatic Pressure up to 9 GPa -- Dose Effects in Transient Radiation-Induced Conductivity in Polymers -- Electrodeposited Tungsten Selenide Films II. Optical, Electrical, Electrochemical Characterization and Photoelectrochemical Solar Cell Studies -- The Effect of Pressure on Conductivity and Permittivity of As2Te3-Based Glasses -- Damage Profiles after 50 to 500 MeV Ion Implantation as Deduced from Thyristor Leakage Currents -- Trap Induction and Breakdown Mechanism in SiO2 Films -- Electron Spin Resonance Measurements and Electrical Characteristics, before and after Electroforming, of Thin Films of Si0/Nb205 and Nb2O5 -- Electron Transport in TiO 2-x at Intermediate Temperatures 300 K < T < 1500 K -- Device-related phenomena -- Technical Method of Determination of the Interface Trap Density -- On the Intrinsic lettering in Cu-Contaminated Cz-Si -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2-n/p-Si Devices -- Errata -- X-Ray Bond-Type Diffractometer Investigations on V305 in the Temperature Interval 298 to 480 K Including the Phase Transition Temperature Tt = 428 K -- Short Notes -- Cobaltocene Intercalate of the Layered SnSe2 -- Absolute Measurements of Lattice Spacings in Surface Layers of Crystals -- X-Ray Thermal Investigations of Cadmium Iodide Single Crystals -- Influence of Temperature of Diffusion Growth and Morphology of Nb3Sn Superconducting Layer on the Value of the Pinning Force -- The Influence of Particle Sizes on the Oxidation Kinetics of AgSn Alloys Studied by Mossbauer Spectroscopy -- Space Correlation of Microdefects with Recombination of Excess Carriers inCZ-Si -- Formation of the F.C.C. Phase in Fe-C Alloys by Rapid Quenching -- Mossbauer Spectroscopy on Amorphous FexNi 80-x B20 after Neutron Irradiation -- A New Method for Measurement of Stress in the Neighbourhood of Window Edges in Multiple Layers -- X-Ray Debye Temperature of Ytterbium -- Relative Hydrogen Content in Plasma-Enhanced CVD Silicon Nitride Films: Substrate Temperature Dependence and Effect of Thermal Annealing -- Diffusion of Boron Implanted into Silicon -- Interatomic Bond Rupture in the System of Two Coupled Anharmonic Chains with a Weak Interaction -- Properties of Sb2Te3 Single Crystals Doped with Tl Atoms -- The Investigation of a Transition Layer in Epitaxial GaAs by the Low Temperature Photoluminescence Technique -- The Nature of Acceptor Centres in Zinc and Cadmium Diphosphide -- On the Nature of Energy Levels in ZnGeP2 -- Axial ΔM = ±3 and Cubic Δm = ±1 Forbidden Transitions in the EPR Spectrum of Mn 2+ in ZnS -- Photoluminescence Spectra of Si-Implanted G2As -- Electrical Conductivity of NH4H2PO4 Single Crystal -- Peierls Transition and Fluctuation Conductivity in Thin Lead-Phthalocyanine (PbPc) Films -- The Effect of Substrate on the Electrical Properties of As2S3 Films -- Photoconductivity of Te-Se-Au and Te-Se-Cd Structures -- Short-Pulsed Alloying of Contacts onGaAs -- Photoelectrochemical Solar Cells with Semiconducting Polymers Prepared by Modification of Polyvinylchloride PVC and Polytetrafluoroethylene PTFE2 -- Erratum -- The Influence of Isoelectronic Impurities on Intrinsic Deep Levels in Liquid Phase Epitaxial Gallium Arsenide -- The Interaction between Moving Domain Walls in Rochelle Salt Crystals -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Abass, A. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">4080701837</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">05-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">406298914X</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. 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