Physica status solidi : Volume 77, Number 2: June 16
Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- The Effect of Spatial Variation of a High-Frequency Field on the Instability Occurrence in Inhomogeneous Semiconductors -- Double Injection Current and Field Effect in SOS Diodes -- Conduction Mechanism of Some "Quasi-Amorphous" Semiconductors...
Ausführliche Beschreibung
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| Autor*in: |
Alcala, R [mitwirkender] Aleksandkov, A. S [mitwirkender] Alexandrova, S [mitwirkender] Anagnostopoulos, A. N [mitwirkender] Andreev, G. A [mitwirkender] Angadi, M. A [mitwirkender] Apostol, I [mitwirkender] Arias, A. G [mitwirkender] Ashrit, P. V [mitwirkender] Baal, C. M. van [mitwirkender] Baginskii, I. L [mitwirkender] Bahgat, A. A [mitwirkender] Balčiūnienė, M [mitwirkender] Bbidge, B [mitwirkender] Belyantsev, A. M [mitwirkender] Borkovskaya, O. Yu [mitwirkender] Breitenstein, O [mitwirkender] Brinkman, A. W [mitwirkender] Brun, G [mitwirkender] Brückner, U [mitwirkender] Calderón, E [mitwirkender] Campet, G [mitwirkender] Cervenak, J [mitwirkender] Chadraabal, Sh [mitwirkender] Chandra, M. M [mitwirkender] Chaoui, R [mitwirkender] Chaudhary, R. K [mitwirkender] Chen, Y [mitwirkender] Cherepanova, T. A [mitwirkender] Chertanov, M. I [mitwirkender] Chyi, J. I [mitwirkender] Claverie, J [mitwirkender] Cohen, A. J [mitwirkender] Conte, D [mitwirkender] Coquillat, D [mitwirkender] Cristoloveanu, S [mitwirkender] Demkovicsová, Eva [mitwirkender] Deonarine, S [mitwirkender] Dinescu, M [mitwirkender] Dkagūnas, A [mitwirkender] Dmitruk, N. L [mitwirkender] Dormann, J. L [mitwirkender] Drabik, W [mitwirkender] Drozdov, M. N [mitwirkender] Elesin, V. F [mitwirkender] Eltsev, Yu. F [mitwirkender] Fayek, M. K [mitwirkender] Field, D. W [mitwirkender] Fineberg, V. I [mitwirkender] Foley, C. P [mitwirkender] Gaworzewski, P [mitwirkender] Gierak, Z [mitwirkender] Gladyshchuk, A. A [mitwirkender] Golikova, O. A [mitwirkender] Gribkovskii, V. P [mitwirkender] Görlich [herausgeberIn] Haefner, H [mitwirkender] Hagenmuller, P [mitwirkender] Hari Babu, V [mitwirkender] Hevesi, I [mitwirkender] Hoshikawa, T [mitwirkender] Hrabański, R [mitwirkender] Huang, T [mitwirkender] Iqbal Ahmed, Md [mitwirkender] Janezic, G. G [mitwirkender] Jung, Th [mitwirkender] Jäger, C [mitwirkender] Kalmykova, N. P [mitwirkender] Kaminskii, A. A [mitwirkender] Kang, K. N [mitwirkender] Kaschieva, S. B [mitwirkender] Kawai, Y [mitwirkender] Kazeko, M. P [mitwirkender] Kido, H [mitwirkender] Kiveris, A [mitwirkender] Klabes, R [mitwirkender] Kleinn, W [mitwirkender] Klimov, V. A [mitwirkender] Koizumi, M [mitwirkender] Kolomiets, B. T [mitwirkender] Konakova, R. V [mitwirkender] Konč, M [mitwirkender] Korczak, Z [mitwirkender] Kordos, P [mitwirkender] Kostsov, E. G [mitwirkender] Koziejowska, A. S [mitwirkender] Kramar, G. P [mitwirkender] Kreutz, E. W [mitwirkender] Krishna Rao, A. V [mitwirkender] Kuila, S. P [mitwirkender] Kuramochi, N [mitwirkender] Kushev, D. B [mitwirkender] Le Flem, G [mitwirkender] Lehr, A [mitwirkender] Levitan, M. L [mitwirkender] Lin, M. D [mitwirkender] Lin, M. S [mitwirkender] Linke, E [mitwirkender] Litovskii, R. N [mitwirkender] Lokshin, M. M [mitwirkender] Lou, J. C [mitwirkender] Lysenko, V. S [mitwirkender] Mach, R [mitwirkender] Makariūnas, K [mitwirkender] Manolikas, C [mitwirkender] Maurin, M [mitwirkender] Meerson, E. E [mitwirkender] Men, A. N [mitwirkender] Men, B. A [mitwirkender] Mendiratta, R. G [mitwirkender] Michailovits, L [mitwirkender] Mihailescu, I. N [mitwirkender] Mizubayashi, H [mitwirkender] Moroń, J. W [mitwirkender] Morvič, M [mitwirkender] Mukherjee, R. N [mitwirkender] Müller, G. O [mitwirkender] Müller, M [mitwirkender] Nanai, L [mitwirkender] Narula, G. K [mitwirkender] Nazarov, A. N [mitwirkender] Nebauer, E [mitwirkender] Nedev, N. R [mitwirkender] Neely, D. F [mitwirkender] Nguyen, T. H [mitwirkender] Nogues, M [mitwirkender] Oelgart, G [mitwirkender] Ogawa, T [mitwirkender] Okuda, S [mitwirkender] Orera, V. M [mitwirkender] Ovanesyan, K. L [mitwirkender] Panknin, D [mitwirkender] Papadopoulos, D [mitwirkender] Parashchuk, V. V [mitwirkender] Patel, N. D [mitwirkender] Petrosyan, A. G [mitwirkender] Phan, H. K [mitwirkender] Pillai, P. K. C [mitwirkender] Pipinys, P [mitwirkender] Pistoulet, B [mitwirkender] Plakhty, V. P [mitwirkender] Popov, A. S [mitwirkender] Poulin, F [mitwirkender] Pranevičius, L [mitwirkender] Prasad, M [mitwirkender] Ram Kumar, K [mitwirkender] Rao, K. V [mitwirkender] Ratajczak, H [mitwirkender] Reddy, K. N [mitwirkender] Reulke, R [mitwirkender] Rheinländer, B [mitwirkender] Rimeika, A [mitwirkender] Rodriguez, V. D [mitwirkender] Rudenko, T. E [mitwirkender] Ruoff, A. L [mitwirkender] Sakalas, A [mitwirkender] Samatov, S [mitwirkender] Satyam, M [mitwirkender] Sche, S [mitwirkender] Schmalz, K [mitwirkender] Sen, S. C [mitwirkender] Shakhovtsov, V. I [mitwirkender] Sherbakova, M. F [mitwirkender] Shimada, M [mitwirkender] Shpunt, V. Kh [mitwirkender] Sidorin, A. V [mitwirkender] Slančo, P [mitwirkender] Smirnov, O. P [mitwirkender] Smorgonskaya, E. A [mitwirkender] Sodolski, H [mitwirkender] Srivastwa, D. N. S [mitwirkender] Starikov, M. A [mitwirkender] Stegmann, R [mitwirkender] Subba Rao, U. V [mitwirkender] Subotowicz, M [mitwirkender] Syhre, H [mitwirkender] Szekeres, A [mitwirkender] Taguchi, T [mitwirkender] Tansley, T. L [mitwirkender] Tedenac, J. C [mitwirkender] Thuillier, J. C [mitwirkender] Tima, T [mitwirkender] Tkhorik, Yu. A [mitwirkender] Tomas, A [mitwirkender] Toruń, J [mitwirkender] Tripathi, A. K [mitwirkender] Tuck, B [mitwirkender] Türe, I. E [mitwirkender] Vesnin, Yu. I [mitwirkender] Waters, D. N [mitwirkender] Wieser, E [mitwirkender] Winter, U [mitwirkender] Wollbrandt, J [mitwirkender] Woods, J [mitwirkender] Wosinski, T [mitwirkender] Yablonskii, G. P [mitwirkender] Zaitsevskii, I. L [mitwirkender] Zakovryashin, S. P [mitwirkender] Zaumseil, P [mitwirkender] Zentko, A [mitwirkender] Zhang, J [mitwirkender] Zubauskas, G [mitwirkender] Zubritskii, V. V [mitwirkender] |
|---|
| Format: |
E-Book |
|---|---|
| Sprache: |
Englisch |
| Erschienen: |
Berlin Boston: De Gruyter ; 2022 |
|---|---|
| Ausgabe: |
Reprint 2021 |
| Rechteinformationen: |
Restricted Access |
|---|
| Schlagwörter: |
|---|
| Umfang: |
1 Online-Ressource (512 p) |
|---|---|
| Beschreibung: |
Mode of access: Internet via World Wide Web. |
| Reproduktion: |
[Online-Ausgabe] |
|---|
| Reihe: |
Physica status solidi ; A ; Volume 77, Number 2 |
|---|
| Links: | |
|---|---|
| ISBN: |
978-3-11-249454-7 |
| DOI / URN: |
10.1515/9783112494547 |
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| Katalog-ID: |
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| 520 | |a Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- The Effect of Spatial Variation of a High-Frequency Field on the Instability Occurrence in Inhomogeneous Semiconductors -- Double Injection Current and Field Effect in SOS Diodes -- Conduction Mechanism of Some "Quasi-Amorphous" Semiconductors on the Basis of Boron -- Influence of the Ground State Symmetry on the Qualitative Form of Ordering Phase Diagram -- Correlations of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron Impact Excited Luminescence Devices -- Effect of Some Additives on Nickel-Zinc Ferrite Losses -- Very Short Diffusions of Silver in the III-V Semiconductors -- Pressure-Induced Phase Transitions of HgTe -- The Nature of Stage I-II Structural Phase Transition in the Layer Compound RbVF4 -- Interdiffusion Profiles of AuGe/n-GaAs Ohmic Contacts Studied by AES -- Pre-Printed Titles | ||
| 533 | |a [Online-Ausgabe] | ||
| 538 | |a Mode of access: Internet via World Wide Web. | ||
| 546 | |a In English | ||
| 650 | 4 | |a SCIENCE / General | |
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of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron 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In English SCIENCE / General Alcala, R mitwirkender ctb Aleksandkov, A. S mitwirkender ctb Alexandrova, S mitwirkender ctb Anagnostopoulos, A. N mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Angadi, M. A mitwirkender ctb Apostol, I mitwirkender ctb Arias, A. G mitwirkender ctb Ashrit, P. V mitwirkender ctb Baal, C. M. van mitwirkender ctb Baginskii, I. L mitwirkender ctb Bahgat, A. A mitwirkender ctb Balčiūnienė, M mitwirkender ctb Bbidge, B mitwirkender ctb Belyantsev, A. M mitwirkender ctb Borkovskaya, O. Yu mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Brinkman, A. W mitwirkender ctb Brun, G mitwirkender ctb Brückner, U mitwirkender ctb Calderón, E mitwirkender ctb Campet, G mitwirkender ctb Cervenak, J mitwirkender ctb Chadraabal, Sh mitwirkender ctb Chandra, M. M mitwirkender ctb Chaoui, R mitwirkender ctb Chaudhary, R. K mitwirkender ctb Chen, Y mitwirkender ctb Cherepanova, T. A mitwirkender ctb Chertanov, M. I mitwirkender ctb Chyi, J. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 4073629654 OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062754673 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073791494 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 10-10-24 370 01 4370 4087762238 EBS deGruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 11-03-22 736 01 4736 4493981598 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4051881512 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 07-02-22 2006 01 DE-14 4426963567 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426512697 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438689651 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 446036672X 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586384557 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. 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of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron Impact Excited Luminescence Devices -- Effect of Some Additives on Nickel-Zinc Ferrite Losses -- Very Short Diffusions of Silver in the III-V Semiconductors -- Pressure-Induced Phase Transitions of HgTe -- The Nature of Stage I-II Structural Phase Transition in the Layer Compound RbVF4 -- Interdiffusion Profiles of AuGe/n-GaAs Ohmic Contacts Studied by AES -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Alcala, R mitwirkender ctb Aleksandkov, A. S mitwirkender ctb Alexandrova, S mitwirkender ctb Anagnostopoulos, A. N mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Angadi, M. A mitwirkender ctb Apostol, I mitwirkender ctb Arias, A. G mitwirkender ctb Ashrit, P. V mitwirkender ctb Baal, C. M. van mitwirkender ctb Baginskii, I. L mitwirkender ctb Bahgat, A. A mitwirkender ctb Balčiūnienė, M mitwirkender ctb Bbidge, B mitwirkender ctb Belyantsev, A. M mitwirkender ctb Borkovskaya, O. Yu mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Brinkman, A. W mitwirkender ctb Brun, G mitwirkender ctb Brückner, U mitwirkender ctb Calderón, E mitwirkender ctb Campet, G mitwirkender ctb Cervenak, J mitwirkender ctb Chadraabal, Sh mitwirkender ctb Chandra, M. M mitwirkender ctb Chaoui, R mitwirkender ctb Chaudhary, R. K mitwirkender ctb Chen, Y mitwirkender ctb Cherepanova, T. A mitwirkender ctb Chertanov, M. I mitwirkender ctb Chyi, J. 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of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron Impact Excited Luminescence Devices -- Effect of Some Additives on Nickel-Zinc Ferrite Losses -- Very Short Diffusions of Silver in the III-V Semiconductors -- Pressure-Induced Phase Transitions of HgTe -- The Nature of Stage I-II Structural Phase Transition in the Layer Compound RbVF4 -- Interdiffusion Profiles of AuGe/n-GaAs Ohmic Contacts Studied by AES -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Alcala, R mitwirkender ctb Aleksandkov, A. S mitwirkender ctb Alexandrova, S mitwirkender ctb Anagnostopoulos, A. N mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Angadi, M. A mitwirkender ctb Apostol, I mitwirkender ctb Arias, A. G mitwirkender ctb Ashrit, P. V mitwirkender ctb Baal, C. M. van mitwirkender ctb Baginskii, I. L mitwirkender ctb Bahgat, A. A mitwirkender ctb Balčiūnienė, M mitwirkender ctb Bbidge, B mitwirkender ctb Belyantsev, A. M mitwirkender ctb Borkovskaya, O. Yu mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Brinkman, A. W mitwirkender ctb Brun, G mitwirkender ctb Brückner, U mitwirkender ctb Calderón, E mitwirkender ctb Campet, G mitwirkender ctb Cervenak, J mitwirkender ctb Chadraabal, Sh mitwirkender ctb Chandra, M. M mitwirkender ctb Chaoui, R mitwirkender ctb Chaudhary, R. K mitwirkender ctb Chen, Y mitwirkender ctb Cherepanova, T. A mitwirkender ctb Chertanov, M. I mitwirkender ctb Chyi, J. I mitwirkender ctb Claverie, J mitwirkender ctb Cohen, A. J mitwirkender ctb Conte, D mitwirkender ctb Coquillat, D mitwirkender ctb Cristoloveanu, S mitwirkender ctb Demkovicsová, Eva mitwirkender ctb Deonarine, S mitwirkender ctb Dinescu, M mitwirkender ctb Dkagūnas, A mitwirkender ctb Dmitruk, N. L mitwirkender ctb Dormann, J. L mitwirkender ctb Drabik, W mitwirkender ctb Drozdov, M. N mitwirkender ctb Elesin, V. F mitwirkender ctb Eltsev, Yu. F mitwirkender ctb Fayek, M. K mitwirkender ctb Field, D. W mitwirkender ctb Fineberg, V. I mitwirkender ctb Foley, C. P mitwirkender ctb Gaworzewski, P mitwirkender ctb Gierak, Z mitwirkender ctb Gladyshchuk, A. A mitwirkender ctb Golikova, O. A mitwirkender ctb Gribkovskii, V. P mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Haefner, H mitwirkender ctb Hagenmuller, P mitwirkender ctb Hari Babu, V mitwirkender ctb Hevesi, I mitwirkender ctb Hoshikawa, T mitwirkender ctb Hrabański, R mitwirkender ctb Huang, T mitwirkender ctb Iqbal Ahmed, Md mitwirkender ctb Janezic, G. G mitwirkender ctb Jung, Th mitwirkender ctb Jäger, C mitwirkender ctb Kalmykova, N. P mitwirkender ctb Kaminskii, A. A mitwirkender ctb Kang, K. N mitwirkender ctb Kaschieva, S. B mitwirkender ctb Kawai, Y mitwirkender ctb Kazeko, M. P mitwirkender ctb Kido, H mitwirkender ctb Kiveris, A mitwirkender ctb Klabes, R mitwirkender ctb Kleinn, W mitwirkender ctb Klimov, V. A mitwirkender ctb Koizumi, M mitwirkender ctb Kolomiets, B. T mitwirkender ctb Konakova, R. V mitwirkender ctb Konč, M mitwirkender ctb Korczak, Z mitwirkender ctb Kordos, P mitwirkender ctb Kostsov, E. G mitwirkender ctb Koziejowska, A. S mitwirkender ctb Kramar, G. P mitwirkender ctb Kreutz, E. W mitwirkender ctb Krishna Rao, A. 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V mitwirkender ctb 9783112494530 Erscheint auch als print 9783112494530 https://doi.org/10.1515/9783112494547 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112494547 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112494547/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 045F 530.41 20 01 0084 4077055733 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 4073761013 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 4112639538 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062706881 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062779196 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron Impact Excited Luminescence Devices -- Effect of Some Additives on Nickel-Zinc Ferrite Losses -- Very Short Diffusions of Silver in the III-V Semiconductors -- Pressure-Induced Phase Transitions of HgTe -- The Nature of Stage I-II Structural Phase Transition in the Layer Compound RbVF4 -- Interdiffusion Profiles of AuGe/n-GaAs Ohmic Contacts Studied by AES -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Alcala, R mitwirkender ctb Aleksandkov, A. S mitwirkender ctb Alexandrova, S mitwirkender ctb Anagnostopoulos, A. N mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Angadi, M. A mitwirkender ctb Apostol, I mitwirkender ctb Arias, A. G mitwirkender ctb Ashrit, P. V mitwirkender ctb Baal, C. M. van mitwirkender ctb Baginskii, I. L mitwirkender ctb Bahgat, A. A mitwirkender ctb Balčiūnienė, M mitwirkender ctb Bbidge, B mitwirkender ctb Belyantsev, A. M mitwirkender ctb Borkovskaya, O. Yu mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Brinkman, A. W mitwirkender ctb Brun, G mitwirkender ctb Brückner, U mitwirkender ctb Calderón, E mitwirkender ctb Campet, G mitwirkender ctb Cervenak, J mitwirkender ctb Chadraabal, Sh mitwirkender ctb Chandra, M. M mitwirkender ctb Chaoui, R mitwirkender ctb Chaudhary, R. K mitwirkender ctb Chen, Y mitwirkender ctb Cherepanova, T. A mitwirkender ctb Chertanov, M. I mitwirkender ctb Chyi, J. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 4073629654 OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 4062754673 OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073791494 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. Volltextzugriff nur für berechtigte Personen über das Campusnetz z 25-02-22 120 01 0715 4082684255 00 --%%-- --%%-- g --%%-- alma z 08-03-22 122 01 0897 407367028X OLR-deGruyter-EBS Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 130 01 0700 4062803682 OLR-deGruyter-EBA-EBKALL Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 140 01 0839 4073703153 OLR-deGruyter-EBS Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 10-10-24 370 01 4370 4087762238 EBS deGruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 11-03-22 736 01 4736 4493981598 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4051881512 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 07-02-22 2006 01 DE-14 4426963567 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426512697 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438689651 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 446036672X 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586384557 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. 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of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron Impact Excited Luminescence Devices -- Effect of Some Additives on Nickel-Zinc Ferrite Losses -- Very Short Diffusions of Silver in the III-V Semiconductors -- Pressure-Induced Phase Transitions of HgTe -- The Nature of Stage I-II Structural Phase Transition in the Layer Compound RbVF4 -- Interdiffusion Profiles of AuGe/n-GaAs Ohmic Contacts Studied by AES -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Alcala, R mitwirkender ctb Aleksandkov, A. S mitwirkender ctb Alexandrova, S mitwirkender ctb Anagnostopoulos, A. N mitwirkender ctb Andreev, G. A mitwirkender ctb Angadi, M. A mitwirkender ctb Apostol, I mitwirkender ctb Arias, A. G mitwirkender ctb Ashrit, P. V mitwirkender ctb Baal, C. M. van mitwirkender ctb Baginskii, I. L mitwirkender ctb Bahgat, A. A mitwirkender ctb Balčiūnienė, M mitwirkender ctb Bbidge, B mitwirkender ctb Belyantsev, A. M mitwirkender ctb Borkovskaya, O. Yu mitwirkender ctb Breitenstein, O mitwirkender ctb Brinkman, A. W mitwirkender ctb Brun, G mitwirkender ctb Brückner, U mitwirkender ctb Calderón, E mitwirkender ctb Campet, G mitwirkender ctb Cervenak, J mitwirkender ctb Chadraabal, Sh mitwirkender ctb Chandra, M. M mitwirkender ctb Chaoui, R mitwirkender ctb Chaudhary, R. K mitwirkender ctb Chen, Y mitwirkender ctb Cherepanova, T. A mitwirkender ctb Chertanov, M. I mitwirkender ctb Chyi, J. I mitwirkender ctb Claverie, J mitwirkender ctb Cohen, A. J mitwirkender ctb Conte, D mitwirkender ctb Coquillat, D mitwirkender ctb Cristoloveanu, S mitwirkender ctb Demkovicsová, Eva mitwirkender ctb Deonarine, S mitwirkender ctb Dinescu, M mitwirkender ctb Dkagūnas, A mitwirkender ctb Dmitruk, N. L mitwirkender ctb Dormann, J. L mitwirkender ctb Drabik, W mitwirkender ctb Drozdov, M. N mitwirkender ctb Elesin, V. F mitwirkender ctb Eltsev, Yu. F mitwirkender ctb Fayek, M. K mitwirkender ctb Field, D. W mitwirkender ctb Fineberg, V. I mitwirkender ctb Foley, C. P mitwirkender ctb Gaworzewski, P mitwirkender ctb Gierak, Z mitwirkender ctb Gladyshchuk, A. A mitwirkender ctb Golikova, O. A mitwirkender ctb Gribkovskii, V. 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Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062730251</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4073629654</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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Physica status solidi Volume 77, Number 2: June 16 |
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Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- The Effect of Spatial Variation of a High-Frequency Field on the Instability Occurrence in Inhomogeneous Semiconductors -- Double Injection Current and Field Effect in SOS Diodes -- Conduction Mechanism of Some "Quasi-Amorphous" Semiconductors on the Basis of Boron -- Influence of the Ground State Symmetry on the Qualitative Form of Ordering Phase Diagram -- Correlations of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron Impact Excited Luminescence Devices -- Effect of Some Additives on Nickel-Zinc Ferrite Losses -- Very Short Diffusions of Silver in the III-V Semiconductors -- Pressure-Induced Phase Transitions of HgTe -- The Nature of Stage I-II Structural Phase Transition in the Layer Compound RbVF4 -- Interdiffusion Profiles of AuGe/n-GaAs Ohmic Contacts Studied by AES -- Pre-Printed Titles |
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Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- The Effect of Spatial Variation of a High-Frequency Field on the Instability Occurrence in Inhomogeneous Semiconductors -- Double Injection Current and Field Effect in SOS Diodes -- Conduction Mechanism of Some "Quasi-Amorphous" Semiconductors on the Basis of Boron -- Influence of the Ground State Symmetry on the Qualitative Form of Ordering Phase Diagram -- Correlations of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of 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Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron Impact Excited Luminescence Devices -- Effect of Some Additives on Nickel-Zinc Ferrite Losses -- Very Short Diffusions of Silver in the III-V Semiconductors -- Pressure-Induced Phase Transitions of HgTe -- The Nature of Stage I-II Structural Phase Transition in the Layer Compound RbVF4 -- Interdiffusion Profiles of AuGe/n-GaAs Ohmic Contacts Studied by AES -- Pre-Printed Titles |
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Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- The Effect of Spatial Variation of a High-Frequency Field on the Instability Occurrence in Inhomogeneous Semiconductors -- Double Injection Current and Field Effect in SOS Diodes -- Conduction Mechanism of Some "Quasi-Amorphous" Semiconductors on the Basis of Boron -- Influence of the Ground State Symmetry on the Qualitative Form of Ordering Phase Diagram -- Correlations of the 119Sn Mossbauer Isomer Shift with Interatomic Distances for Complex Tetrahedral Semiconductors -- Minority Carrier Lifetime in Polycrystalline Semiconductors -- Temperature Dependence of Electroluminescence in CdF2 Thin Films Doped with Rare Earth -- Analysis of the 215 °C Glow Peak in Li-Doped KCl Single Crystals -- Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky 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Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery 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Alcala, R Aleksandkov, A. S Alexandrova, S Anagnostopoulos, A. N Andreev, G. A Angadi, M. A Apostol, I Arias, A. G Ashrit, P. V Baal, C. M. van Baginskii, I. L Bahgat, A. A Balčiūnienė, M Bbidge, B Belyantsev, A. M Borkovskaya, O. Yu Breitenstein, O Brinkman, A. W Brun, G Brückner, U Calderón, E Campet, G Cervenak, J Chadraabal, Sh Chandra, M. M Chaoui, R Chaudhary, R. K Chen, Y Cherepanova, T. A Chertanov, M. I Chyi, J. I Claverie, J Cohen, A. J Conte, D Coquillat, D Cristoloveanu, S Demkovicsová, Eva Deonarine, S Dinescu, M Dkagūnas, A Dmitruk, N. L Dormann, J. L Drabik, W Drozdov, M. N Elesin, V. F Eltsev, Yu. F Fayek, M. K Field, D. W Fineberg, V. I Foley, C. P Gaworzewski, P Gierak, Z Gladyshchuk, A. A Golikova, O. A Gribkovskii, V. P Görlich Haefner, H Hagenmuller, P Hari Babu, V Hevesi, I Hoshikawa, T Hrabański, R Huang, T Iqbal Ahmed, Md Janezic, G. G Jung, Th Jäger, C Kalmykova, N. P Kaminskii, A. A Kang, K. N Kaschieva, S. B Kawai, Y Kazeko, M. P Kido, H Kiveris, A Klabes, R Kleinn, W Klimov, V. A Koizumi, M Kolomiets, B. T Konakova, R. V Konč, M Korczak, Z Kordos, P Kostsov, E. G Koziejowska, A. S Kramar, G. P Kreutz, E. W Krishna Rao, A. V Kuila, S. P Kuramochi, N Kushev, D. B Le Flem, G Lehr, A Levitan, M. L Lin, M. D Lin, M. S Linke, E Litovskii, R. N Lokshin, M. M Lou, J. C Lysenko, V. S Mach, R Makariūnas, K Manolikas, C Maurin, M Meerson, E. E Men, A. N Men, B. A Mendiratta, R. G Michailovits, L Mihailescu, I. N Mizubayashi, H Moroń, J. W Morvič, M Mukherjee, R. N Müller, G. O Müller, M Nanai, L Narula, G. K Nazarov, A. N Nebauer, E Nedev, N. R Neely, D. F Nguyen, T. H Nogues, M Oelgart, G Ogawa, T Okuda, S Orera, V. M Ovanesyan, K. L Panknin, D Papadopoulos, D Parashchuk, V. V Patel, N. D Petrosyan, A. G Phan, H. K Pillai, P. K. C Pipinys, P Pistoulet, B Plakhty, V. P Popov, A. S Poulin, F Pranevičius, L Prasad, M Ram Kumar, K Rao, K. V Ratajczak, H Reddy, K. N Reulke, R Rheinländer, B Rimeika, A Rodriguez, V. D Rudenko, T. E Ruoff, A. L Sakalas, A Samatov, S Satyam, M Sche, S Schmalz, K Sen, S. C Shakhovtsov, V. I Sherbakova, M. F Shimada, M Shpunt, V. Kh Sidorin, A. V Slančo, P Smirnov, O. P Smorgonskaya, E. A Sodolski, H Srivastwa, D. N. S Starikov, M. A Stegmann, R Subba Rao, U. V Subotowicz, M Syhre, H Szekeres, A Taguchi, T Tansley, T. L Tedenac, J. C Thuillier, J. C Tima, T Tkhorik, Yu. A Tomas, A Toruń, J Tripathi, A. K Tuck, B Türe, I. E Vesnin, Yu. I Waters, D. N Wieser, E Winter, U Wollbrandt, J Woods, J Wosinski, T Yablonskii, G. P Zaitsevskii, I. L Zakovryashin, S. P Zaumseil, P Zentko, A Zhang, J Zubauskas, G Zubritskii, V. V |
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Alcala, R Aleksandkov, A. S Alexandrova, S Anagnostopoulos, A. N Andreev, G. A Angadi, M. A Apostol, I Arias, A. G Ashrit, P. V Baal, C. M. van Baginskii, I. L Bahgat, A. A Balčiūnienė, M Bbidge, B Belyantsev, A. M Borkovskaya, O. Yu Breitenstein, O Brinkman, A. W Brun, G Brückner, U Calderón, E Campet, G Cervenak, J Chadraabal, Sh Chandra, M. M Chaoui, R Chaudhary, R. K Chen, Y Cherepanova, T. A Chertanov, M. I Chyi, J. I Claverie, J Cohen, A. J Conte, D Coquillat, D Cristoloveanu, S Demkovicsová, Eva Deonarine, S Dinescu, M Dkagūnas, A Dmitruk, N. L Dormann, J. L Drabik, W Drozdov, M. N Elesin, V. F Eltsev, Yu. F Fayek, M. K Field, D. W Fineberg, V. I Foley, C. P Gaworzewski, P Gierak, Z Gladyshchuk, A. A Golikova, O. A Gribkovskii, V. P Görlich Haefner, H Hagenmuller, P Hari Babu, V Hevesi, I Hoshikawa, T Hrabański, R Huang, T Iqbal Ahmed, Md Janezic, G. G Jung, Th Jäger, C Kalmykova, N. P Kaminskii, A. A Kang, K. N Kaschieva, S. B Kawai, Y Kazeko, M. P Kido, H Kiveris, A Klabes, R Kleinn, W Klimov, V. A Koizumi, M Kolomiets, B. T Konakova, R. V Konč, M Korczak, Z Kordos, P Kostsov, E. G Koziejowska, A. S Kramar, G. P Kreutz, E. W Krishna Rao, A. V Kuila, S. P Kuramochi, N Kushev, D. B Le Flem, G Lehr, A Levitan, M. L Lin, M. D Lin, M. S Linke, E Litovskii, R. N Lokshin, M. M Lou, J. C Lysenko, V. S Mach, R Makariūnas, K Manolikas, C Maurin, M Meerson, E. E Men, A. N Men, B. A Mendiratta, R. G Michailovits, L Mihailescu, I. N Mizubayashi, H Moroń, J. W Morvič, M Mukherjee, R. N Müller, G. O Müller, M Nanai, L Narula, G. K Nazarov, A. N Nebauer, E Nedev, N. R Neely, D. F Nguyen, T. H Nogues, M Oelgart, G Ogawa, T Okuda, S Orera, V. M Ovanesyan, K. L Panknin, D Papadopoulos, D Parashchuk, V. V Patel, N. D Petrosyan, A. G Phan, H. K Pillai, P. K. C Pipinys, P Pistoulet, B Plakhty, V. P Popov, A. S Poulin, F Pranevičius, L Prasad, M Ram Kumar, K Rao, K. V Ratajczak, H Reddy, K. N Reulke, R Rheinländer, B Rimeika, A Rodriguez, V. D Rudenko, T. E Ruoff, A. L Sakalas, A Samatov, S Satyam, M Sche, S Schmalz, K Sen, S. C Shakhovtsov, V. I Sherbakova, M. F Shimada, M Shpunt, V. Kh Sidorin, A. V Slančo, P Smirnov, O. P Smorgonskaya, E. A Sodolski, H Srivastwa, D. N. S Starikov, M. A Stegmann, R Subba Rao, U. V Subotowicz, M Syhre, H Szekeres, A Taguchi, T Tansley, T. L Tedenac, J. C Thuillier, J. C Tima, T Tkhorik, Yu. A Tomas, A Toruń, J Tripathi, A. K Tuck, B Türe, I. E Vesnin, Yu. I Waters, D. N Wieser, E Winter, U Wollbrandt, J Woods, J Wosinski, T Yablonskii, G. P Zaitsevskii, I. L Zakovryashin, S. P Zaumseil, P Zentko, A Zhang, J Zubauskas, G Zubritskii, V. V |
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Resonance and Relaxation of Domain Walls in Polycrystalline Ferrites -- Optical Dispersion in Zinc Oxide -- Structural and Galvanomagnetic Properties of Pb1-x MnxTe Single Crystals Grown by the Bridgman-Stockbarger Method -- On the Role of Intrasublattice Interactions in YIG with Diamagnetically Substituted a-Sublattice -- On the Analytical Methods of Line Defect and Beam Direction Determinations -- The Influence of Texture on the X-Ray Determination of Residual Strains in Ground or Worn Surfaces -- Degradation of Yellow Light-Emitting GaAs0.1P0.9: N Diodes -- Electron Traps and Deep Levels in Cadmium Selenide -- Investigations of Mechanically Induced Excited States on Cleavage Planes of Ionic Crystals -- Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing oi Arsenic-Implanted Silicon -- Sublattice Models of the Binary Crystal Growth -- Oxygen-Related Donors Formed at 600 °C in Silicon in Dependence on Oxygen and Carbon Content -- Size Effect on the Magnetoresistance of p-InSb -- Comparison of the Structure and the Electric Properties of ZnIn2S4(III)- and CdInGaS4-Layered Crystals -- Influence of Covalent Bonding on the Photoelectrochemical Properties of Some Perovskite-Type Related Compounds -- Cation Ordering in LiFe5O8 Studied by Mössbauer Spectroscopy and X-Ray Crystallography -- Relationships among Trapped Hole and Trapped Electron Centers in Oxidized Soda-Silica Glasses of High Purity -- Thermoluminescence of X-Irradiated CaO and CaO:Li Single Crystals -- Dislocation Breakaway at Low Temperatures in Nb -- Thermoluminescence and Optical Absorption Studies of Z1-Centres in NaCl Crystals Doped with Terbium -- The Effect of Annealing Temperature on the Electron Concentration of Hg0.3Cd0.7Te -- On the Elastic Constants and Structure of the Pure Inorganic Oxide Glasses -- Hole Effective Mass and Impurity Levels in Undoped AgTlTe -- Damage of V2O5 Single Crystals by Powerful Pulsed CO2 Laser Irradiation -- The Effect of Deposition Parameters on the Electrical Properties of Thin Ytterbium Films -- A Study of Absorption Currents in Polycarbonate :Polypropylene Blend -- The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures -- Photoconductivity in n-Type InP:Fe -- Schottky Barrier Characteristics at Low Temperatures -- RF Annealing of Defects Induced in SiO2 by Oxygen Plasma -- The Influence of Defects on Low-Temperature Resistivity of Intermetallic Compounds with A-15 Structure -- A Reexamination of Diffraction Data on Zinc to Determine Anharmonic Components in the One-Particle-Potential Model -- Electrical and Optical Characteristics of GaAs0.6 P0.4 LEDs Fabricated by Zn Semi-Closed Diffusion Method -- DC Conductivity and Electric Relaxation Currents in a Polyester Polymer -- Superconductivity and Decay Phenomena of Nb3Al-Nb3Ge Solid Solutions -- Streamer Discharges in Semiconductors -- Recovery of Structural Defects in Molybdenum -- Electrical Resistivity and Hall Effect in Thin Amorphous UFe Films -- Preferential Precipitation on Extended Edge Dislocations in NaCl Crystals -- Ultraviolet Absorption of T1+ Ion in K2O-KBr-B2O3 and Na2O-NaBr-B2O3 Glasses -- On the Influence of the Non-Homogeneous Structure on the Current-Voltage Behaviour of Chalcogenide Vitreous Semiconductors -- Erratum -- Short Notes -- Figures -- Pulse Technique for Flat-Band Voltage Measurements in MIS Structures -- Domain Wall Motions Due to External Stresses in a Mn-Zn Ferrite Single Crystal -- Scanning-DLTS Investigation of the EL 2 Level in Plastically Deformed GaAs -- Diffusion-Limited Carrier Lifetime in GaP:N LED -- Crystal Growth and Neutral-Acceptor Bound-Exciton Emission of ZnCdTe by THM with Te Solvent -- Synthesis and Magnetic Properties of RCuSi (R = Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Ho) -- The Influence of Stress on the Fine Structure of Schottky Diode I-U Characteristics in the Breakdown Region -- Radiation Effects on the Metal-GaP Interface -- Measurement of the Electrothermal Nonlinearity and Thermal Relaxation Times of Thin Metal Films -- Detection of Surface Imperfections at Polished Silicon Wafers by TCD Measurements -- EPR of Mn2+ in [Mg(H2O6)] SnCl6 Single Crystals -- Determination of Residual Resistivity and Observation of Resistance Recovery from Current-Voltage Curves of Short Epitaxial Gold Thin Films -- On the Role of Exact Boundary Conditions in Phototransport Phenomena; Case of SI-GaAs -- Dielectric Properties of Sm or Gd Doped CaF2 Single Crystals -- Crystallization in a Fluorozirconate Glass: Determination of the 19F Chemical Shift in β-BaZrF6 -- Ion Beam Induced Mixing in Bubble Garnet Films -- Stimulated Emission of Pr3+ Ions in YAlO3 Crystals -- On the Mechanism of Electron Impact Excited Luminescence Devices -- Effect of Some Additives on Nickel-Zinc Ferrite Losses -- Very Short Diffusions of Silver in the III-V Semiconductors -- Pressure-Induced Phase Transitions of HgTe -- The Nature of Stage I-II Structural Phase Transition in the Layer Compound RbVF4 -- Interdiffusion Profiles of AuGe/n-GaAs Ohmic Contacts Studied by AES -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Alcala, R</subfield><subfield code="e">mitwirkender</subfield><subfield code="4">ctb</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Aleksandkov, A. 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Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz).</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">31</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0027</subfield><subfield code="b">4062682222</subfield><subfield code="h">OLR-DeGruyterEBS</subfield><subfield code="k">Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen.</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">408070190X</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">05-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">4062989174</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">62</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0028</subfield><subfield code="b">4063020371</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118621177</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062730251</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4073629654</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">90</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3090</subfield><subfield code="b">4062754673</subfield><subfield code="h">OLR-HILdegruyter</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Volltextzugriff nur für berechtigte Personen über das Campusnetz</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">120</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0715</subfield><subfield code="b">4082684255</subfield><subfield code="c">00</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">--%%--</subfield><subfield code="e">g</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">alma</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">08-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">122</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0897</subfield><subfield code="b">407367028X</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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