Physica status solidi : Volume 91, Number 1: September 16
Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Pressure-Induced Structural Transition in SrS -- Kinetics of Laser-Induced Crystallization of Amorphous Germanium Films -- Mössbauer Studies of Corrosion and Inhibition -- Lattice properties -- Theory of Melting. III. Nature of the Molten Glasses -- Thir...
Ausführliche Beschreibung
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| Autor*in: |
Abass, A. K [mitwirkender] Abdullin, Kh. A [mitwirkender] Adhikari, M [mitwirkender] Albers, H [mitwirkender] Aldzhanov, M. A [mitwirkender] Aleksandrov, L. N [mitwirkender] Aleksandrova, M. M [mitwirkender] Ali, A. R [mitwirkender] Amelinckx, S [mitwirkender] Andreeva, O. B [mitwirkender] Appel, F [mitwirkender] Arbuzov, V. I [mitwirkender] Bachert, H.-J [mitwirkender] Badarinath, K. V. S [mitwirkender] Bagraev, N. T [mitwirkender] Bahadur, H [mitwirkender] Bakker, H [mitwirkender] Balchaitis, G [mitwirkender] Baranskii, P. I [mitwirkender] Barrière, A. S [mitwirkender] Beister, G [mitwirkender] Beji, H [mitwirkender] Berezhkova, G. V [mitwirkender] Berger, H [mitwirkender] Bhattacharya, R. S [mitwirkender] Blank, V. D [mitwirkender] Bohringer, K [mitwirkender] Bolzoni, F [mitwirkender] Borshch, A. A [mitwirkender] Bostanjoglo, O [mitwirkender] Brodin, M. S [mitwirkender] Bryzgalova, N. I [mitwirkender] Bärner, K [mitwirkender] Choudhury, K [mitwirkender] Corbett, J. W [mitwirkender] Corelli, J. C [mitwirkender] Couturier, G [mitwirkender] Das, D [mitwirkender] Dasgupta, B. B [mitwirkender] Datt, S. C [mitwirkender] Dekhtyaruk, N. T [mitwirkender] Delaey, L [mitwirkender] Di Giulio, M [mitwirkender] Elerts, M. A [mitwirkender] Endruschat, E [mitwirkender] Ermakov, A. E [mitwirkender] Flietner, H [mitwirkender] Frantsuzov, A. A [mitwirkender] Fromageau, R [mitwirkender] Gerard, N [mitwirkender] Gevers, G [mitwirkender] Golovanova, N. S [mitwirkender] Goltzene, A [mitwirkender] Govor, G. A [mitwirkender] Grabovskis, V. J [mitwirkender] Gundyrev, V. M [mitwirkender] Görlich [herausgeberIn] Happ, M [mitwirkender] Hemschik, H [mitwirkender] Huang, Huei Li [mitwirkender] Ivanov, A. V [mitwirkender] Jassim, H. A [mitwirkender] Jog, K. N [mitwirkender] Juška, G [mitwirkender] Kadyrov, B. Kh [mitwirkender] Kalbitzer, S [mitwirkender] Kameneckas, J [mitwirkender] Kapinos, V. G [mitwirkender] Kardashev, B. K [mitwirkender] Keller, J. M [mitwirkender] Khodyaeva, M. A [mitwirkender] Kikkawa, S [mitwirkender] Kitao, M [mitwirkender] Kleint, C [mitwirkender] Koizumi, M [mitwirkender] Korneva, N. N [mitwirkender] Kornyushkin, N. A [mitwirkender] Kreislerová, Y [mitwirkender] Krispin, P [mitwirkender] Kryszewski, M [mitwirkender] Kuhrt, Ch [mitwirkender] Kustov, S. B [mitwirkender] Landuyt, J. van [mitwirkender] Larchev, V. I [mitwirkender] Lebedev, A. A [mitwirkender] Lebedev, A. B [mitwirkender] Lebedev, A. I [mitwirkender] Leccabue, F [mitwirkender] Lee, T. C [mitwirkender] Lemke, H [mitwirkender] Ligenza, S [mitwirkender] Lin, Ming Yen [mitwirkender] Liu, X. H [mitwirkender] Lovey, F. C [mitwirkender] Lubbes, A [mitwirkender] Lukyanchikova, N. B [mitwirkender] Maege, J [mitwirkender] Magnouche, A [mitwirkender] Majeid, K. J [mitwirkender] Majumdar, C. K [mitwirkender] Melker, A. I [mitwirkender] Messerschmidt, U [mitwirkender] Meyer, B [mitwirkender] Micocci, G [mitwirkender] Misho, R. H [mitwirkender] Morita, N [mitwirkender] Mostafa, F. M [mitwirkender] Möllmann, K.-P [mitwirkender] Nakano, K [mitwirkender] Nikolaev, J. P [mitwirkender] Panizzieri, R [mitwirkender] Pareti, L [mitwirkender] Parshad, R [mitwirkender] Perstnev, P. P [mitwirkender] Petrauskas, G [mitwirkender] Pflueger, R [mitwirkender] Platonov, P. A [mitwirkender] Popova, S. V [mitwirkender] Ptasiewicz-Bak, H [mitwirkender] Radelaar, S [mitwirkender] Rai, A. K [mitwirkender] Rao, K. R. P. M [mitwirkender] Rashid, M. H [mitwirkender] Razykov, T. M [mitwirkender] Rijke, Q. J. A [mitwirkender] Rogulis, U. T [mitwirkender] Ruijvek, L. J. v [mitwirkender] Sakalas, A [mitwirkender] Sanyal, S. P [mitwirkender] Sato, T [mitwirkender] Savyak, V. V [mitwirkender] Schenk, M [mitwirkender] Schittny, Th [mitwirkender] Schrader, S [mitwirkender] Schwab, C [mitwirkender] Semioshko, V. N [mitwirkender] Serdyuk, V. V [mitwirkender] Shabanova, I. N [mitwirkender] Sharma, K. K [mitwirkender] Shcherbina, L. A [mitwirkender] Shekhar, S [mitwirkender] Shimada, M [mitwirkender] Siciliano, P [mitwirkender] Simonenko, Yu.V [mitwirkender] Singh, R. K [mitwirkender] Skrotskaya, G. G [mitwirkender] Spit, F. H. M [mitwirkender] Srivastava, G. P [mitwirkender] Stoeff, St [mitwirkender] Streltsov, V. A [mitwirkender] Subramanian, K. N [mitwirkender] Surin, B. P [mitwirkender] Suzuki, K [mitwirkender] Syassen, K [mitwirkender] Sánchez, J. L [mitwirkender] Takeuchi, S [mitwirkender] Tananaeva, O. I [mitwirkender] Tendeloo, G. van [mitwirkender] Tepore, A [mitwirkender] Tognato, R [mitwirkender] Tolstoi, M. N [mitwirkender] Uimin, M. A [mitwirkender] Vaidya, S. N [mitwirkender] Vaksman, Yu. F [mitwirkender] Veliev, R. K [mitwirkender] Vitol, I. K [mitwirkender] Vlasenko, L. S [mitwirkender] Westerveld, J. P. A [mitwirkender] Yamada, S [mitwirkender] Yamamoto, T [mitwirkender] Yoshii, K [mitwirkender] Zaumseil, P [mitwirkender] Zemčík, T [mitwirkender] Zlomanov, V. P [mitwirkender] Zotov, M. I [mitwirkender] Čermák, K [mitwirkender] |
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| Format: |
E-Book |
|---|---|
| Sprache: |
Englisch |
| Erschienen: |
Berlin Boston: De Gruyter ; 2022 |
|---|---|
| Ausgabe: |
Reprint 2021 |
| Rechteinformationen: |
Restricted Access |
|---|
| Schlagwörter: |
|---|
| Umfang: |
1 Online-Ressource (416 p) |
|---|---|
| Beschreibung: |
Mode of access: Internet via World Wide Web. |
| Reproduktion: |
[Online-Ausgabe] |
|---|
| Reihe: |
Physica status solidi ; A ; Volume 91, Number 1 |
|---|
| Links: | |
|---|---|
| ISBN: |
978-3-11-249298-7 |
| DOI / URN: |
10.1515/9783112492987 |
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| Katalog-ID: |
1788542428 |
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| 520 | |a Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Pressure-Induced Structural Transition in SrS -- Kinetics of Laser-Induced Crystallization of Amorphous Germanium Films -- Mössbauer Studies of Corrosion and Inhibition -- Lattice properties -- Theory of Melting. III. Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles | ||
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Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abdullin, Kh. A mitwirkender ctb Adhikari, M mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Aleksandrova, M. M mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Andreeva, O. B mitwirkender ctb Appel, F mitwirkender ctb Arbuzov, V. I mitwirkender ctb Bachert, H.-J mitwirkender ctb Badarinath, K. V. S mitwirkender ctb Bagraev, N. T mitwirkender ctb Bahadur, H mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balchaitis, G mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barrière, A. S mitwirkender ctb Beister, G mitwirkender ctb Beji, H mitwirkender ctb Berezhkova, G. V mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bhattacharya, R. S mitwirkender ctb Blank, V. D mitwirkender ctb Bohringer, K mitwirkender ctb Bolzoni, F mitwirkender ctb Borshch, A. A mitwirkender ctb Bostanjoglo, O mitwirkender ctb Brodin, M. S mitwirkender ctb Bryzgalova, N. 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Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abdullin, Kh. A mitwirkender ctb Adhikari, M mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Aleksandrova, M. M mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Andreeva, O. B mitwirkender ctb Appel, F mitwirkender ctb Arbuzov, V. I mitwirkender ctb Bachert, H.-J mitwirkender ctb Badarinath, K. V. S mitwirkender ctb Bagraev, N. T mitwirkender ctb Bahadur, H mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balchaitis, G mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barrière, A. S mitwirkender ctb Beister, G mitwirkender ctb Beji, H mitwirkender ctb Berezhkova, G. V mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bhattacharya, R. S mitwirkender ctb Blank, V. D mitwirkender ctb Bohringer, K mitwirkender ctb Bolzoni, F mitwirkender ctb Borshch, A. A mitwirkender ctb Bostanjoglo, O mitwirkender ctb Brodin, M. S mitwirkender ctb Bryzgalova, N. I mitwirkender ctb Bärner, K mitwirkender ctb Choudhury, K mitwirkender ctb Corbett, J. W mitwirkender ctb Corelli, J. C mitwirkender ctb Couturier, G mitwirkender ctb Das, D mitwirkender ctb Dasgupta, B. B mitwirkender ctb Datt, S. C mitwirkender ctb Dekhtyaruk, N. T mitwirkender ctb Delaey, L mitwirkender ctb Di Giulio, M mitwirkender ctb Elerts, M. A mitwirkender ctb Endruschat, E mitwirkender ctb Ermakov, A. E mitwirkender ctb Flietner, H mitwirkender ctb Frantsuzov, A. A mitwirkender ctb Fromageau, R mitwirkender ctb Gerard, N mitwirkender ctb Gevers, G mitwirkender ctb Golovanova, N. S mitwirkender ctb Goltzene, A mitwirkender ctb Govor, G. A mitwirkender ctb Grabovskis, V. J mitwirkender ctb Gundyrev, V. M mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Happ, M mitwirkender ctb Hemschik, H mitwirkender ctb Huang, Huei Li mitwirkender ctb Ivanov, A. V mitwirkender ctb Jassim, H. A mitwirkender ctb Jog, K. N mitwirkender ctb Juška, G mitwirkender ctb Kadyrov, B. 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BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 4073629840 OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 406275486X OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073791680 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 147 01 3528 4062917882 OLR-EBS-DG Multiuser | freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 264 01 3264 4073733478 OLR-deGruyter-EBS Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 285 01 0517 4590322897 OLR-GRUY-TEST Zugriff zeitlich begrenzt (EBS) Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 10-10-24 370 01 4370 4087762424 EBS deGruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 11-03-22 736 01 4736 4493981784 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4051884856 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 07-02-22 2006 01 DE-14 442696377X 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426512891 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438689279 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460366339 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586384743 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. 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Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abdullin, Kh. A mitwirkender ctb Adhikari, M mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Aleksandrova, M. M mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Andreeva, O. B mitwirkender ctb Appel, F mitwirkender ctb Arbuzov, V. I mitwirkender ctb Bachert, H.-J mitwirkender ctb Badarinath, K. V. S mitwirkender ctb Bagraev, N. T mitwirkender ctb Bahadur, H mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balchaitis, G mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barrière, A. S mitwirkender ctb Beister, G mitwirkender ctb Beji, H mitwirkender ctb Berezhkova, G. V mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bhattacharya, R. S mitwirkender ctb Blank, V. D mitwirkender ctb Bohringer, K mitwirkender ctb Bolzoni, F mitwirkender ctb Borshch, A. A mitwirkender ctb Bostanjoglo, O mitwirkender ctb Brodin, M. S mitwirkender ctb Bryzgalova, N. I mitwirkender ctb Bärner, K mitwirkender ctb Choudhury, K mitwirkender ctb Corbett, J. W mitwirkender ctb Corelli, J. C mitwirkender ctb Couturier, G mitwirkender ctb Das, D mitwirkender ctb Dasgupta, B. B mitwirkender ctb Datt, S. C mitwirkender ctb Dekhtyaruk, N. T mitwirkender ctb Delaey, L mitwirkender ctb Di Giulio, M mitwirkender ctb Elerts, M. A mitwirkender ctb Endruschat, E mitwirkender ctb Ermakov, A. E mitwirkender ctb Flietner, H mitwirkender ctb Frantsuzov, A. A mitwirkender ctb Fromageau, R mitwirkender ctb Gerard, N mitwirkender ctb Gevers, G mitwirkender ctb Golovanova, N. S mitwirkender ctb Goltzene, A mitwirkender ctb Govor, G. A mitwirkender ctb Grabovskis, V. J mitwirkender ctb Gundyrev, V. M mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Happ, M mitwirkender ctb Hemschik, H mitwirkender ctb Huang, Huei Li mitwirkender ctb Ivanov, A. V mitwirkender ctb Jassim, H. A mitwirkender ctb Jog, K. N mitwirkender ctb Juška, G mitwirkender ctb Kadyrov, B. 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B mitwirkender ctb Maege, J mitwirkender ctb Magnouche, A mitwirkender ctb Majeid, K. J mitwirkender ctb Majumdar, C. K mitwirkender ctb Melker, A. I mitwirkender ctb Messerschmidt, U mitwirkender ctb Meyer, B mitwirkender ctb Micocci, G mitwirkender ctb Misho, R. H mitwirkender ctb Morita, N mitwirkender ctb Mostafa, F. M mitwirkender ctb Möllmann, K.-P mitwirkender ctb Nakano, K mitwirkender ctb Nikolaev, J. P mitwirkender ctb Panizzieri, R mitwirkender ctb Pareti, L mitwirkender ctb Parshad, R mitwirkender ctb Perstnev, P. P mitwirkender ctb Petrauskas, G mitwirkender ctb Pflueger, R mitwirkender ctb Platonov, P. A mitwirkender ctb Popova, S. V mitwirkender ctb Ptasiewicz-Bak, H mitwirkender ctb Radelaar, S mitwirkender ctb Rai, A. K mitwirkender ctb Rao, K. R. P. M mitwirkender ctb Rashid, M. H mitwirkender ctb Razykov, T. M mitwirkender ctb Rijke, Q. J. A mitwirkender ctb Rogulis, U. T mitwirkender ctb Ruijvek, L. J. v mitwirkender ctb Sakalas, A mitwirkender ctb Sanyal, S. 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I mitwirkender ctb Čermák, K mitwirkender ctb 9783112492970 Erscheint auch als print 9783112492970 https://doi.org/10.1515/9783112492987 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112492987 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112492987/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 20 01 0084 407705592X CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 407376120X ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 4112639724 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062707071 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062779382 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz). z 17-02-22 31 01 0027 4062682419 OLR-DeGruyterEBS Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen. Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 34 01 3551 4080702167 OLR-EBAKALL-EBS Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg z 05-03-22 60 01 0705 4062989360 DeGruyterArchiv Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung z 18-02-22 62 01 0028 4063020568 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 18-02-22 65 01 0003 4118621363 03 --%%-- ebook --%%-- --%%-- OLR-ZDB-23-GPS Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. k3o 18-04-22 69 01 0009 4062730448 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. BF_dG z 17-02-22 72 01 0035 4073629840 OLR-DG-PDA11SSHE Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. z 25-02-22 90 01 3090 406275486X OLR-HILdegruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 110 01 3110 4073791680 OLR-DEGRUYTER-EBS-2018 Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 147 01 3528 4062917882 OLR-EBS-DG Multiuser | freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 264 01 3264 4073733478 OLR-deGruyter-EBS Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 285 01 0517 4590322897 OLR-GRUY-TEST Zugriff zeitlich begrenzt (EBS) Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 10-10-24 370 01 4370 4087762424 EBS deGruyter Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 11-03-22 736 01 4736 4493981784 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4051884856 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 07-02-22 2006 01 DE-14 442696377X 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426512891 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438689279 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460366339 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586384743 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. 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Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abdullin, Kh. A mitwirkender ctb Adhikari, M mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Aleksandrova, M. M mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Andreeva, O. B mitwirkender ctb Appel, F mitwirkender ctb Arbuzov, V. I mitwirkender ctb Bachert, H.-J mitwirkender ctb Badarinath, K. V. S mitwirkender ctb Bagraev, N. T mitwirkender ctb Bahadur, H mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balchaitis, G mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barrière, A. S mitwirkender ctb Beister, G mitwirkender ctb Beji, H mitwirkender ctb Berezhkova, G. V mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bhattacharya, R. S mitwirkender ctb Blank, V. D mitwirkender ctb Bohringer, K mitwirkender ctb Bolzoni, F mitwirkender ctb Borshch, A. A mitwirkender ctb Bostanjoglo, O mitwirkender ctb Brodin, M. S mitwirkender ctb Bryzgalova, N. 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I mitwirkender ctb Čermák, K mitwirkender ctb 9783112492970 Erscheint auch als print 9783112492970 https://doi.org/10.1515/9783112492987 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112492987 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112492987/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 20 01 0084 407705592X CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 407376120X ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 4112639724 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062707071 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062779382 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz). z 17-02-22 31 01 0027 4062682419 OLR-DeGruyterEBS Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen. Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 34 01 3551 4080702167 OLR-EBAKALL-EBS Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg z 05-03-22 60 01 0705 4062989360 DeGruyterArchiv Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 147 01 3528 4062917882 OLR-EBS-DG Multiuser | freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 17-02-22 264 01 3264 4073733478 OLR-deGruyter-EBS Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt. z 25-02-22 285 01 0517 4590322897 OLR-GRUY-TEST Zugriff zeitlich begrenzt (EBS) Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abass, A. K mitwirkender ctb Abdullin, Kh. A mitwirkender ctb Adhikari, M mitwirkender ctb Albers, H mitwirkender ctb Aldzhanov, M. A mitwirkender ctb Aleksandrov, L. N mitwirkender ctb Aleksandrova, M. M mitwirkender ctb Ali, A. R mitwirkender ctb Amelinckx, S mitwirkender ctb Andreeva, O. B mitwirkender ctb Appel, F mitwirkender ctb Arbuzov, V. I mitwirkender ctb Bachert, H.-J mitwirkender ctb Badarinath, K. V. S mitwirkender ctb Bagraev, N. T mitwirkender ctb Bahadur, H mitwirkender ctb Bakker, H mitwirkender ctb Balchaitis, G mitwirkender ctb Baranskii, P. I mitwirkender ctb Barrière, A. S mitwirkender ctb Beister, G mitwirkender ctb Beji, H mitwirkender ctb Berezhkova, G. V mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bhattacharya, R. S mitwirkender ctb Blank, V. D mitwirkender ctb Bohringer, K mitwirkender ctb Bolzoni, F mitwirkender ctb Borshch, A. A mitwirkender ctb Bostanjoglo, O mitwirkender ctb Brodin, M. S mitwirkender ctb Bryzgalova, N. I mitwirkender ctb Bärner, K mitwirkender ctb Choudhury, K mitwirkender ctb Corbett, J. W mitwirkender ctb Corelli, J. C mitwirkender ctb Couturier, G mitwirkender ctb Das, D mitwirkender ctb Dasgupta, B. B mitwirkender ctb Datt, S. C mitwirkender ctb Dekhtyaruk, N. T mitwirkender ctb Delaey, L mitwirkender ctb Di Giulio, M mitwirkender ctb Elerts, M. A mitwirkender ctb Endruschat, E mitwirkender ctb Ermakov, A. E mitwirkender ctb Flietner, H mitwirkender ctb Frantsuzov, A. A mitwirkender ctb Fromageau, R mitwirkender ctb Gerard, N mitwirkender ctb Gevers, G mitwirkender ctb Golovanova, N. S mitwirkender ctb Goltzene, A mitwirkender ctb Govor, G. A mitwirkender ctb Grabovskis, V. J mitwirkender ctb Gundyrev, V. M mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Happ, M mitwirkender ctb Hemschik, H mitwirkender ctb Huang, Huei Li mitwirkender ctb Ivanov, A. V mitwirkender ctb Jassim, H. A mitwirkender ctb Jog, K. N mitwirkender ctb Juška, G mitwirkender ctb Kadyrov, B. Kh mitwirkender ctb Kalbitzer, S mitwirkender ctb Kameneckas, J mitwirkender ctb Kapinos, V. G mitwirkender ctb Kardashev, B. K mitwirkender ctb Keller, J. M mitwirkender ctb Khodyaeva, M. A mitwirkender ctb Kikkawa, S mitwirkender ctb Kitao, M mitwirkender ctb Kleint, C mitwirkender ctb Koizumi, M mitwirkender ctb Korneva, N. N mitwirkender ctb Kornyushkin, N. A mitwirkender ctb Kreislerová, Y mitwirkender ctb Krispin, P mitwirkender ctb Kryszewski, M mitwirkender ctb Kuhrt, Ch mitwirkender ctb Kustov, S. B mitwirkender ctb Landuyt, J. van mitwirkender ctb Larchev, V. I mitwirkender ctb Lebedev, A. A mitwirkender ctb Lebedev, A. B mitwirkender ctb Lebedev, A. I mitwirkender ctb Leccabue, F mitwirkender ctb Lee, T. C mitwirkender ctb Lemke, H mitwirkender ctb Ligenza, S mitwirkender ctb Lin, Ming Yen mitwirkender ctb Liu, X. H mitwirkender ctb Lovey, F. C mitwirkender ctb Lubbes, A mitwirkender ctb Lukyanchikova, N. B mitwirkender ctb Maege, J mitwirkender ctb Magnouche, A mitwirkender ctb Majeid, K. J mitwirkender ctb Majumdar, C. K mitwirkender ctb Melker, A. I mitwirkender ctb Messerschmidt, U mitwirkender ctb Meyer, B mitwirkender ctb Micocci, G mitwirkender ctb Misho, R. H mitwirkender ctb Morita, N mitwirkender ctb Mostafa, F. M mitwirkender ctb Möllmann, K.-P mitwirkender ctb Nakano, K mitwirkender ctb Nikolaev, J. P mitwirkender ctb Panizzieri, R mitwirkender ctb Pareti, L mitwirkender ctb Parshad, R mitwirkender ctb Perstnev, P. P mitwirkender ctb Petrauskas, G mitwirkender ctb Pflueger, R mitwirkender ctb Platonov, P. A mitwirkender ctb Popova, S. V mitwirkender ctb Ptasiewicz-Bak, H mitwirkender ctb Radelaar, S mitwirkender ctb Rai, A. K mitwirkender ctb Rao, K. R. P. M mitwirkender ctb Rashid, M. H mitwirkender ctb Razykov, T. M mitwirkender ctb Rijke, Q. J. A mitwirkender ctb Rogulis, U. T mitwirkender ctb Ruijvek, L. J. v mitwirkender ctb Sakalas, A mitwirkender ctb Sanyal, S. 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I mitwirkender ctb Čermák, K mitwirkender ctb 9783112492970 Erscheint auch als print 9783112492970 https://doi.org/10.1515/9783112492987 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112492987 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112492987/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_62 ISIL_DE-28 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 20 01 0084 407705592X CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-03-22 21 01 0046 407376120X ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-02-22 22 01 0018 4112639724 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 06-04-22 23 01 0830 4062707071 olr-degruyter3 i z 17-02-22 24 01 0008 4062779382 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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III. Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Abass, A. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">4080702167</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">05-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">4062989360</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">62</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0028</subfield><subfield code="b">4063020568</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118621363</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062730448</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4073629840</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4073791680</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Pressure-Induced Structural Transition in SrS -- Kinetics of Laser-Induced Crystallization of Amorphous Germanium Films -- Mössbauer Studies of Corrosion and Inhibition -- Lattice properties -- Theory of Melting. III. Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles |
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Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Pressure-Induced Structural Transition in SrS -- Kinetics of Laser-Induced Crystallization of Amorphous Germanium Films -- Mössbauer Studies of Corrosion and Inhibition -- Lattice properties -- Theory of Melting. III. Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles |
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Frontmatter -- Contents -- Original Papers -- Pressure-Induced Structural Transition in SrS -- Kinetics of Laser-Induced Crystallization of Amorphous Germanium Films -- Mössbauer Studies of Corrosion and Inhibition -- Lattice properties -- Theory of Melting. III. Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles |
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Abass, A. K Abdullin, Kh. A Adhikari, M Albers, H Aldzhanov, M. A Aleksandrov, L. N Aleksandrova, M. M Ali, A. R Amelinckx, S Andreeva, O. B Appel, F Arbuzov, V. I Bachert, H.-J Badarinath, K. V. S Bagraev, N. T Bahadur, H Bakker, H Balchaitis, G Baranskii, P. I Barrière, A. S Beister, G Beji, H Berezhkova, G. V Berger, H Bhattacharya, R. S Blank, V. D Bohringer, K Bolzoni, F Borshch, A. A Bostanjoglo, O Brodin, M. S Bryzgalova, N. I Bärner, K Choudhury, K Corbett, J. W Corelli, J. C Couturier, G Das, D Dasgupta, B. B Datt, S. C Dekhtyaruk, N. T Delaey, L Di Giulio, M Elerts, M. A Endruschat, E Ermakov, A. E Flietner, H Frantsuzov, A. A Fromageau, R Gerard, N Gevers, G Golovanova, N. S Goltzene, A Govor, G. A Grabovskis, V. J Gundyrev, V. M Görlich Happ, M Hemschik, H Huang, Huei Li Ivanov, A. V Jassim, H. A Jog, K. N Juška, G Kadyrov, B. Kh Kalbitzer, S Kameneckas, J Kapinos, V. G Kardashev, B. K Keller, J. M Khodyaeva, M. A Kikkawa, S Kitao, M Kleint, C Koizumi, M Korneva, N. N Kornyushkin, N. A Kreislerová, Y Krispin, P Kryszewski, M Kuhrt, Ch Kustov, S. B Landuyt, J. van Larchev, V. I Lebedev, A. A Lebedev, A. B Lebedev, A. I Leccabue, F Lee, T. C Lemke, H Ligenza, S Lin, Ming Yen Liu, X. H Lovey, F. C Lubbes, A Lukyanchikova, N. B Maege, J Magnouche, A Majeid, K. J Majumdar, C. K Melker, A. I Messerschmidt, U Meyer, B Micocci, G Misho, R. H Morita, N Mostafa, F. M Möllmann, K.-P Nakano, K Nikolaev, J. P Panizzieri, R Pareti, L Parshad, R Perstnev, P. P Petrauskas, G Pflueger, R Platonov, P. A Popova, S. V Ptasiewicz-Bak, H Radelaar, S Rai, A. K Rao, K. R. P. M Rashid, M. H Razykov, T. M Rijke, Q. J. A Rogulis, U. T Ruijvek, L. J. v Sakalas, A Sanyal, S. P Sato, T Savyak, V. V Schenk, M Schittny, Th Schrader, S Schwab, C Semioshko, V. N Serdyuk, V. V Shabanova, I. N Sharma, K. K Shcherbina, L. A Shekhar, S Shimada, M Siciliano, P Simonenko, Yu.V Singh, R. K Skrotskaya, G. G Spit, F. H. M Srivastava, G. P Stoeff, St Streltsov, V. A Subramanian, K. N Surin, B. P Suzuki, K Syassen, K Sánchez, J. L Takeuchi, S Tananaeva, O. I Tendeloo, G. van Tepore, A Tognato, R Tolstoi, M. N Uimin, M. A Vaidya, S. N Vaksman, Yu. F Veliev, R. K Vitol, I. K Vlasenko, L. S Westerveld, J. P. A Yamada, S Yamamoto, T Yoshii, K Zaumseil, P Zemčík, T Zlomanov, V. P Zotov, M. I Čermák, K |
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III. Nature of the Molten Glasses -- Third-Order Elastic Constants for Divalent Metal Oxides from Model Potentials -- Defects, atomistic aspects -- On the Behaviour oi Interaction of Copper Atoms with Lattice Defects in Quenched and Cold-Worked Ni-Cu Alloys -- Dynamic Characteristics of Radiation Defects in Silicon -- Deformation Studies on Cu-Ni-Sn Spinodal Alloys -- Dislocations in SmS Single Crystals -- Acoustic and Electron Microscopy Study of the Dislocation Structure in MgO Crystals -- Defects in Crystals under Pressure -- Magnetism -- Neutron Diffraction Study of the Spinel CoAlFeO4 -- Magnetic B-T Phase Diagram of Anion Substituted MnAs. Magnetocaloric Experiments -- Mössbauer, Electrical, and Magnetic Studies of the Sn-Doped Ni3Fe Alloy -- Remanent Magnetization in Randomly Distributed Cubic Particles -- Extended electronic states and transitions -- Optical Parameters of Chemically Deposited Tin Disulphide -- The Anisotropy of Refraction Nonlinearity and Vector Self-Diffraction in the Wide-Gap Semiconductors of CdS Type -- Localized electronic states and transitions -- Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium -- U-Shaped Distributions at Semiconductor Interfaces and the Nature of the Related Defect Centres -- Gold Solid Solution Decay in Silicon. II. Optical Nuclear Polarization Data -- Studies of Long-Wave Luminescence of Zinc Selenide Monocrystals -- On the Analysis of Complex Thermally Stimulated Capacitance Curves -- On the Purple and Violet Light Emissions in Thermoluminescing Quartz -- Degeneracy of Activator Energy Levels with Glassy Matrix Intrinsic States -- Electric transport -- Thermally Stimulated Depolarization Currents in Polypropylene Foils -- Relaxation of Tunnel Injection Limited Current in Case of Low Capture Probability -- Drift Mobility oi Holes in TlSbS2 -- Impurity Photoconductivity and Electrical Properties of Pb 1-x-y GexSnyTe Doped with Indium -- Anomalous Skin Effect in a Cylindrical Conductor -- Multiple Trapping Approach to the TSC Drift Experiment -- Hopping Conduction in NiF2 Thin Films as a Function of Their Crystallization Degree and Composition -- Thermoelectric Power of Glassy AS40Se 60-xTex -- Device-related phenomena -- Noise Investigation of the Impact Ionization in GaAs -- Ion Beam Mixing of Alternate Au-Ge Layer with GaAs -- Physical and Chemical Changes in the Surface Layer of GaAs Induced by Recoil Implantation of Al Atoms -- Errata -- On the Nature of Various Stacking Defects in 18R Martensite in Cu-Al Alloys. A Study by High Resolution Electron Microscopy -- Diffusion of Antimony (125Sb) in Polycrystalline Silicon -- Barrier Height and Its Instability in Al-Ultrathin SiO2 -n/p-Si Devices -- Short Notes -- On the Total Free Energy Differences, at Temperatures near the Melting Point, between Liquid Clusters and Liquid Flat Mono-Layers, Containing the Same Number of Atoms and Both Embedded in a F.C.C. Crystal Matrix -- Transition Temperature and Heat of Crystallization of Amorphous Bulk Gallium Antimonide Obtained by Rapid Quenching from the Melt at High Pressure -- Simulation of Recrystallization of the Depleted Zone at the Thermal Spike -- Chemical Bond Peculiarities of Elements in Amorphous Alloy Surface Layers on the Basis of Fe -- The Far Infrared Spectra of MgAl2-xFexO4 Spinel -- Low-Temperature Heat Capacity of ZnGa2S4, ZnGa2Se4, and ZnGa2Te4 Thiogallates -- Effect of High-Temperature Annealing on Phonon-Phonon Relaxation in Transmutationally-Doped Silicon Crystals -- On the Increased Sensitivity of X-Ray Rocking Curve Measurements by Triple-Crystal Diffractometry -- The Influence of Bi on Lattice Parameter and Carrier Concentration of PbTe -- Fracture Model for a Strained Anharmonic Chain Having Atoms with Two Degrees of Freedom -- EPR Monitoring of Annealing Effects in F-Implanted Amorphous Silicon -- Radiation-Enhanced Oxygen-Related Thermal Donor Formation in Neutron-Transmutation-Doped Floating-Zone Silicon -- ε`→ε Transformation in MnAl-C Alloys -- Magnetic Properties of MnAs Single Crystals -- Curie Temperatures of Some Substituted Nd2Fe14B Tetragonal Alloys -- The Effect of Dispersed PLZT Particles on the Electrical Conductivity of Lithium Iodide -- Impurity Photoconductivity of Indium Doped Lead Tin Telluride -- The Resistivity of Dissolved Hydrogen in Palladium and Amorphous Pd80Si20 -- Synthesis and Electrical Properties of LixMg1-xM2O4 (M = Ti, V) (0≤x≤1.0) -- Energy Band Models of n-ZnxCd1-x S—p-CdTe and n-ZnxCd1-x S — p-Si (0≤x≤1) Heterojunctions -- Emission from a Semi-Insulating Layer in AlGaAs-GaAs Double Heterostructures -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Abass, A. 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code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz).</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">31</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0027</subfield><subfield code="b">4062682419</subfield><subfield code="h">OLR-DeGruyterEBS</subfield><subfield code="k">Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen.</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">4080702167</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">05-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">4062989360</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">62</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0028</subfield><subfield code="b">4063020568</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4118621363</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4062730448</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4073629840</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">90</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3090</subfield><subfield code="b">406275486X</subfield><subfield code="h">OLR-HILdegruyter</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Volltextzugriff nur für berechtigte Personen über das Campusnetz</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">120</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0715</subfield><subfield code="b">4082683194</subfield><subfield code="c">00</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">--%%--</subfield><subfield code="e">g</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">alma</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">08-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">122</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0897</subfield><subfield code="b">4073670476</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">25-02-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">130</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0700</subfield><subfield code="b">4062803879</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBA-EBKALL</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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