Physica status solidi : Volume 85, Number 1: September 16, 1984

Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- Effect of Dislocation Structure on Creep and Fracture of Metals and Alloys -- Original Papers and Short Notes -- Structure -- The Nature of Some Planar Defects in 2H Martensite of Cu-Al Alloys as Determined by HREM -- Partial Higher-Order Structure Factors in the Long-Wavelength Limit for Molten Cuprous Chloride -- Quantitative Interference Electron Microscopy for Spherical Objects -- Analysis of the Ground State of a Solid Solution with Interactions up to fc-th Coordination Spheres of the Crystal Lattice -- A Dark-Field TEM Method for Crystal Structure Determination of Cu-Rich Phases on Twins in Silicon -- Structural and Chemical Analysis of a Silicon Nitride Film on GraAs by Null Ellipsometry -- Coherence Properties of Radiation Diffracted by an Elastically Bent Crystal -- Defect Structure of ZnSe Crystals Investigated by Electron Microscopy -- Lattice properties -- Monocrystal-Polycrystal Elastic Constants of a Stainless Steel -- Structure and Molar Refraction and Its Wavelength Dependence at Different Alkali and Ammonium Halides -- Defects, atomistic aspects -- Kinetics of Vacancy Mechanism of the Solid-Liquid Transition in F.C.C. Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles Ausführliche Beschreibung

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Autor*in:	Abtyushenko, V. G [mitwirkender] Adegboyega, G. A [mitwirkender] Adolf, M [mitwirkender] Agarwal, S. C [mitwirkender] Alterovitz, S. A [mitwirkender] Alyabiev, V. M [mitwirkender] Amklinckx, S [mitwirkender] Arefiev, K. P [mitwirkender] Atzrodt, V [mitwirkender] Barkow, U [mitwirkender] Bartl, A [mitwirkender] Basson, J. H [mitwirkender] Berger, G [mitwirkender] Berger, H [mitwirkender] Bespalov, V. A [mitwirkender] Birkholz, U [mitwirkender] Booyens, H [mitwirkender] Brunner, W [mitwirkender] Bu-Abbud, G. H [mitwirkender] Bukckhakdt, W [mitwirkender] Bussemer, P [mitwirkender] Chudestov, V. G [mitwirkender] Czerniak, M. R [mitwirkender] Diaconu, I [mitwirkender] Dietrich, U [mitwirkender] Duran, J [mitwirkender] Dvurechenskii, A. V [mitwirkender] Dymont, V. P [mitwirkender] Dzuba, S. A [mitwirkender] Eley, D. D [mitwirkender] Ethiraj, R [mitwirkender] Fbait, Z [mitwirkender] Fitting, H.-J [mitwirkender] Fröhner, J [mitwirkender] Gaber, M [mitwirkender] Gatalskaya, V. I [mitwirkender] Gaworzewski, P [mitwirkender] Gololobov, E. M [mitwirkender] Gopalakrishnan, I. K [mitwirkender] Gotz, G [mitwirkender] Grincheshen, I. N [mitwirkender] Groetzschel, R [mitwirkender] Grover, A. K [mitwirkender] Gusev, A. I [mitwirkender] Görlich [herausgeberIn] Habibabu, V [mitwirkender] Hashimoto, F [mitwirkender] Hild, E [mitwirkender] Hildebrandt, D [mitwirkender] Hoshino, K [mitwirkender] Janáček, Z [mitwirkender] Jung, T [mitwirkender] Jürgens, K [mitwirkender] Kamiura, Y [mitwirkender] Kashnikov, B. P [mitwirkender] Kessler, F. R [mitwirkender] Kirscht, F.-G [mitwirkender] Kiselev, V. F [mitwirkender] Koche, N. M. L [mitwirkender] Koenienko, L. S [mitwirkender] Kotai, E [mitwirkender] Kukamochi, N [mitwirkender] Kulyupin, Yu. A [mitwirkender] Kumar, A [mitwirkender] Kumar, G. S [mitwirkender] Kurochkin, L. A [mitwirkender] Kuznetsov, M. F [mitwirkender] Ledbetter, H.M [mitwirkender] Levitan, M. L [mitwirkender] Lilley, P [mitwirkender] Lisitskii, I. S [mitwirkender] Liu, D. C [mitwirkender] Lomako, V. M [mitwirkender] Lovey, F. C [mitwirkender] Makovetskii, G. I [mitwirkender] Maksimenko, S. A [mitwirkender] Mastov, Sh. R [mitwirkender] Men, H. A [mitwirkender] Messaoudi, M [mitwirkender] Michel, P [mitwirkender] Misra, D. S [mitwirkender] Mizera, E [mitwirkender] Mizubayashi, H [mitwirkender] Mochizuki, K [mitwirkender] Morais, P. C [mitwirkender] Murthy, V. G. Krishna [mitwirkender] Nepijko, S. A [mitwirkender] Nevřiva, M [mitwirkender] Nicholls, J. E [mitwirkender] Northwood, D. O [mitwirkender] Novák, P [mitwirkender] Novák, R [mitwirkender] Oelgart, G [mitwirkender] Oesterreicher, H [mitwirkender] Oesterreicher, K [mitwirkender] Okuda, S [mitwirkender] Omaiah, K [mitwirkender] Ong, C. K [mitwirkender] Paszti, F [mitwirkender] Pavlov, V. A [mitwirkender] Peréz, R [mitwirkender] Plotnikov, G. S [mitwirkender] Pogrebnyak, A. D [mitwirkender] Pokhil, G. P [mitwirkender] Popov, V. P [mitwirkender] Popovich, N. S [mitwirkender] Protasov, V. I [mitwirkender] Pułtorak, J [mitwirkender] Půst, L [mitwirkender] Rakitin, S. V [mitwirkender] Rosenzweig, J [mitwirkender] Roth, L [mitwirkender] Rybaltovskii, A. O [mitwirkender] Saletski, A. M [mitwirkender] Satow, T [mitwirkender] Schmidt, M [mitwirkender] Sedov, N. N [mitwirkender] Shalaev, V. I [mitwirkender] Sharma, R. V [mitwirkender] Shtanov, A. A [mitwirkender] Sin, E. H [mitwirkender] Skeffneto, K [mitwirkender] Smith, I. O [mitwirkender] Starostin, P. Ya [mitwirkender] Strusny, H [mitwirkender] Sudhakar, S [mitwirkender] Sukiennicki, A [mitwirkender] Sundberg, M [mitwirkender] Suzuki, K [mitwirkender] Tan, H. S [mitwirkender] Thuchien, N. T [mitwirkender] Tognato, R [mitwirkender] Tulinov, A. V [mitwirkender] Turinge, A. A [mitwirkender] Uemura, O [mitwirkender] Uhlmann, K [mitwirkender] Van Tendeloo, G [mitwirkender] Vanderwalker, D. M [mitwirkender] Vecsernye, L [mitwirkender] Vintsents, S. V [mitwirkender] Voitsekhovskii, V. V [mitwirkender] Vorobiev, S. A [mitwirkender] Völkkl, G [mitwirkender] Watanabe, T [mitwirkender] Weber, B [mitwirkender] Weener, U [mitwirkender] Werner, P [mitwirkender] Willis, M. R [mitwirkender] Woollam, J. A [mitwirkender] Yakhmi, J. V [mitwirkender] Zebrowski, J. J [mitwirkender] Čermák, J [mitwirkender] Žďánský, K [mitwirkender]

Format:	E-Book
Sprache:	Englisch

Erschienen:	Berlin Boston: De Gruyter ; 2022
Ausgabe:	Reprint 2021

Rechteinformationen:	Restricted Access

Schlagwörter:	SCIENCE / General

Umfang:	1 Online-Ressource (420 p)
Beschreibung:	Mode of access: Internet via World Wide Web.

Reproduktion:	[Online-Ausgabe]

Reihe:	Physica status solidi ; A ; Volume 85, Number 1

Links:	Link aufrufen Link aufrufen Link aufrufen Cover
ISBN:	978-3-11-250136-8

DOI / URN:	10.1515/9783112501368

Katalog-ID:	1795189398

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Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abtyushenko, V. G mitwirkender ctb Adegboyega, G. A mitwirkender ctb Adolf, M mitwirkender ctb Agarwal, S. C mitwirkender ctb Alterovitz, S. A mitwirkender ctb Alyabiev, V. M mitwirkender ctb Amklinckx, S mitwirkender ctb Arefiev, K. P mitwirkender ctb Atzrodt, V mitwirkender ctb Barkow, U mitwirkender ctb Bartl, A mitwirkender ctb Basson, J. H mitwirkender ctb Berger, G mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bespalov, V. A mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Booyens, H mitwirkender ctb Brunner, W mitwirkender ctb Bu-Abbud, G. H mitwirkender ctb Bukckhakdt, W mitwirkender ctb Bussemer, P mitwirkender ctb Chudestov, V. G mitwirkender ctb Czerniak, M. R mitwirkender ctb Diaconu, I mitwirkender ctb Dietrich, U mitwirkender ctb Duran, J mitwirkender ctb Dvurechenskii, A. V mitwirkender ctb Dymont, V. P mitwirkender ctb Dzuba, S. A mitwirkender ctb Eley, D. D mitwirkender ctb Ethiraj, R mitwirkender ctb Fbait, Z mitwirkender ctb Fitting, H.-J mitwirkender ctb Fröhner, J mitwirkender ctb Gaber, M mitwirkender ctb Gatalskaya, V. I mitwirkender ctb Gaworzewski, P mitwirkender ctb Gololobov, E. M mitwirkender ctb Gopalakrishnan, I. K mitwirkender ctb Gotz, G mitwirkender ctb Grincheshen, I. N mitwirkender ctb Groetzschel, R mitwirkender ctb Grover, A. K mitwirkender ctb Gusev, A. I mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Habibabu, V mitwirkender ctb Hashimoto, F mitwirkender ctb Hild, E mitwirkender ctb Hildebrandt, D mitwirkender ctb Hoshino, K mitwirkender ctb Janáček, Z mitwirkender ctb Jung, T mitwirkender ctb Jürgens, K mitwirkender ctb Kamiura, Y mitwirkender ctb Kashnikov, B. P mitwirkender ctb Kessler, F. R mitwirkender ctb Kirscht, F.-G mitwirkender ctb Kiselev, V. F mitwirkender ctb Koche, N. M. L mitwirkender ctb Koenienko, L. S mitwirkender ctb Kotai, E mitwirkender ctb Kukamochi, N mitwirkender ctb Kulyupin, Yu. 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Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abtyushenko, V. G mitwirkender ctb Adegboyega, G. A mitwirkender ctb Adolf, M mitwirkender ctb Agarwal, S. C mitwirkender ctb Alterovitz, S. A mitwirkender ctb Alyabiev, V. M mitwirkender ctb Amklinckx, S mitwirkender ctb Arefiev, K. P mitwirkender ctb Atzrodt, V mitwirkender ctb Barkow, U mitwirkender ctb Bartl, A mitwirkender ctb Basson, J. H mitwirkender ctb Berger, G mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bespalov, V. A mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Booyens, H mitwirkender ctb Brunner, W mitwirkender ctb Bu-Abbud, G. H mitwirkender ctb Bukckhakdt, W mitwirkender ctb Bussemer, P mitwirkender ctb Chudestov, V. G mitwirkender ctb Czerniak, M. R mitwirkender ctb Diaconu, I mitwirkender ctb Dietrich, U mitwirkender ctb Duran, J mitwirkender ctb Dvurechenskii, A. V mitwirkender ctb Dymont, V. P mitwirkender ctb Dzuba, S. A mitwirkender ctb Eley, D. 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Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 17-03-22 736 01 4736 4493995718 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4086494841 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 10-03-22 2006 01 DE-14 4426890403 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426447496 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438661714 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460336952 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586353104 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. Bitte beachten Sie die Nutzungshinweise auf unserer Homepage (de Gruyter) l01 02-10-24 2045 01 DE-Mit1 4489575645 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Volltext - Campuslizenz l01 21-02-24 2050 01 DE-Zi4 4438661722 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Zugriff im HSZG-Campusnetz. 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Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abtyushenko, V. G mitwirkender ctb Adegboyega, G. A mitwirkender ctb Adolf, M mitwirkender ctb Agarwal, S. C mitwirkender ctb Alterovitz, S. A mitwirkender ctb Alyabiev, V. M mitwirkender ctb Amklinckx, S mitwirkender ctb Arefiev, K. P mitwirkender ctb Atzrodt, V mitwirkender ctb Barkow, U mitwirkender ctb Bartl, A mitwirkender ctb Basson, J. H mitwirkender ctb Berger, G mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bespalov, V. A mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Booyens, H mitwirkender ctb Brunner, W mitwirkender ctb Bu-Abbud, G. H mitwirkender ctb Bukckhakdt, W mitwirkender ctb Bussemer, P mitwirkender ctb Chudestov, V. G mitwirkender ctb Czerniak, M. R mitwirkender ctb Diaconu, I mitwirkender ctb Dietrich, U mitwirkender ctb Duran, J mitwirkender ctb Dvurechenskii, A. V mitwirkender ctb Dymont, V. P mitwirkender ctb Dzuba, S. A mitwirkender ctb Eley, D. 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J mitwirkender ctb Čermák, J mitwirkender ctb Žďánský, K mitwirkender ctb 9783112501351 Erscheint auch als print 9783112501351 https://doi.org/10.1515/9783112501368 X:GRUY Resolving-System lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/isbn/9783112501368 X:GRUY Verlag lizenzpflichtig https://www.degruyter.com/document/cover/isbn/9783112501368/original X:GRUY Verlag Cover EBA-BACKALL EBA-DGALL EBA-EBACKALL EBA-EBKALL EBA-EEBKALL EBA-ESSHALL EBA-ESTMALL EBA-SSHALL EBA-STMALL GBV-deGruyter-alles ZDB-23-GPS 1990 ZDB-23-GRW 1990 ZDB-23-GBA 1990 GBV_ILN_20 ISIL_DE-84 SYSFLAG_1 GBV_KXP GBV_ILN_21 ISIL_DE-46 GBV_ILN_22 ISIL_DE-18 GBV_ILN_23 ISIL_DE-830 GBV_ILN_24 ISIL_DE-8 GBV_ILN_31 ISIL_DE-27 GBV_ILN_34 ISIL_DE-18-302 GBV_ILN_60 ISIL_DE-705 GBV_ILN_65 ISIL_DE-3 GBV_ILN_69 ISIL_DE-9 GBV_ILN_72 ISIL_DE-35 GBV_ILN_90 ISIL_DE-Hil2 GBV_ILN_110 ISIL_DE-Luen4 GBV_ILN_120 ISIL_DE-715 GBV_ILN_122 ISIL_DE-897 GBV_ILN_130 ISIL_DE-700 GBV_ILN_140 ISIL_DE-839 GBV_ILN_147 ISIL_DE-Fl3 GBV_ILN_264 ISIL_DE-897-1 GBV_ILN_285 ISIL_DE-517 GBV_ILN_370 ISIL_DE-1373 GBV_ILN_736 GBV_ILN_2001 ISIL_DE-21 GBV_ILN_2006 ISIL_DE-14 GBV_ILN_2010 ISIL_DE-15 GBV_ILN_2020 ISIL_DE-Ch1 GBV_ILN_2027 ISIL_DE-105 GBV_ILN_2044 ISIL_DE-751 GBV_ILN_2045 ISIL_DE-Mit1 GBV_ILN_2050 ISIL_DE-Zi4 GBV_ILN_2063 ISIL_DE-951 GBV_ILN_2118 ISIL_DE-Mh35 BO 20 01 0084 4111601812 CATDESC_DGR-EB CATDESC_DGR-EB z 02-04-22 21 01 0046 4101018030 ebook_2023_degruyter_ebs Freie Nutzung im <a href="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:46-campusnetz9" Target="_blank">Campusnetz</a> der Universitaet und der Hochschulen im Lande Bremen zza 25-03-22 22 01 0018 410975254X 00 --%%-- --%%-- s --%%-- SUBedegebs zu 01-04-22 23 01 0830 4091693121 olr-degruyter3 i z 16-03-22 24 01 0008 4094849467 00 --%%-- --%%-- s --%%-- olr-dgebs Vervielfältigungen (z.B. 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Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 17-03-22 736 01 4736 4493995718 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4086494841 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 10-03-22 2006 01 DE-14 4426890403 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426447496 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438661714 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460336952 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586353104 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. Bitte beachten Sie die Nutzungshinweise auf unserer Homepage (de Gruyter) l01 02-10-24 2045 01 DE-Mit1 4489575645 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Volltext - Campuslizenz l01 21-02-24 2050 01 DE-Zi4 4438661722 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Zugriff im HSZG-Campusnetz. 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Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abtyushenko, V. G mitwirkender ctb Adegboyega, G. A mitwirkender ctb Adolf, M mitwirkender ctb Agarwal, S. C mitwirkender ctb Alterovitz, S. A mitwirkender ctb Alyabiev, V. M mitwirkender ctb Amklinckx, S mitwirkender ctb Arefiev, K. P mitwirkender ctb Atzrodt, V mitwirkender ctb Barkow, U mitwirkender ctb Bartl, A mitwirkender ctb Basson, J. H mitwirkender ctb Berger, G mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bespalov, V. A mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Booyens, H mitwirkender ctb Brunner, W mitwirkender ctb Bu-Abbud, G. H mitwirkender ctb Bukckhakdt, W mitwirkender ctb Bussemer, P mitwirkender ctb Chudestov, V. G mitwirkender ctb Czerniak, M. R mitwirkender ctb Diaconu, I mitwirkender ctb Dietrich, U mitwirkender ctb Duran, J mitwirkender ctb Dvurechenskii, A. V mitwirkender ctb Dymont, V. P mitwirkender ctb Dzuba, S. A mitwirkender ctb Eley, D. D mitwirkender ctb Ethiraj, R mitwirkender ctb Fbait, Z mitwirkender ctb Fitting, H.-J mitwirkender ctb Fröhner, J mitwirkender ctb Gaber, M mitwirkender ctb Gatalskaya, V. I mitwirkender ctb Gaworzewski, P mitwirkender ctb Gololobov, E. M mitwirkender ctb Gopalakrishnan, I. K mitwirkender ctb Gotz, G mitwirkender ctb Grincheshen, I. N mitwirkender ctb Groetzschel, R mitwirkender ctb Grover, A. K mitwirkender ctb Gusev, A. I mitwirkender ctb Görlich herausgeberin edt Habibabu, V mitwirkender ctb Hashimoto, F mitwirkender ctb Hild, E mitwirkender ctb Hildebrandt, D mitwirkender ctb Hoshino, K mitwirkender ctb Janáček, Z mitwirkender ctb Jung, T mitwirkender ctb Jürgens, K mitwirkender ctb Kamiura, Y mitwirkender ctb Kashnikov, B. P mitwirkender ctb Kessler, F. R mitwirkender ctb Kirscht, F.-G mitwirkender ctb Kiselev, V. F mitwirkender ctb Koche, N. M. L mitwirkender ctb Koenienko, L. S mitwirkender ctb Kotai, E mitwirkender ctb Kukamochi, N mitwirkender ctb Kulyupin, Yu. 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Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 17-03-22 736 01 4736 4493995718 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4086494841 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 10-03-22 2006 01 DE-14 4426890403 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426447496 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438661714 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460336952 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586353104 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. Bitte beachten Sie die Nutzungshinweise auf unserer Homepage (de Gruyter) l01 02-10-24 2045 01 DE-Mit1 4489575645 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Volltext - Campuslizenz l01 21-02-24 2050 01 DE-Zi4 4438661722 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Zugriff im HSZG-Campusnetz. 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Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles [Online-Ausgabe] Mode of access: Internet via World Wide Web. In English SCIENCE / General Abtyushenko, V. G mitwirkender ctb Adegboyega, G. A mitwirkender ctb Adolf, M mitwirkender ctb Agarwal, S. C mitwirkender ctb Alterovitz, S. A mitwirkender ctb Alyabiev, V. M mitwirkender ctb Amklinckx, S mitwirkender ctb Arefiev, K. P mitwirkender ctb Atzrodt, V mitwirkender ctb Barkow, U mitwirkender ctb Bartl, A mitwirkender ctb Basson, J. H mitwirkender ctb Berger, G mitwirkender ctb Berger, H mitwirkender ctb Bespalov, V. A mitwirkender ctb Birkholz, U mitwirkender ctb Booyens, H mitwirkender ctb Brunner, W mitwirkender ctb Bu-Abbud, G. H mitwirkender ctb Bukckhakdt, W mitwirkender ctb Bussemer, P mitwirkender ctb Chudestov, V. G mitwirkender ctb Czerniak, M. R mitwirkender ctb Diaconu, I mitwirkender ctb Dietrich, U mitwirkender ctb Duran, J mitwirkender ctb Dvurechenskii, A. V mitwirkender ctb Dymont, V. P mitwirkender ctb Dzuba, S. A mitwirkender ctb Eley, D. 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Kein systematisches Downloaden durch Robots. i z 17-03-22 736 01 4736 4493995718 DeGryuterEBS2024 verv zeg 29-02-24 2001 01 DE-21 4086494841 00 --%%-- --%%-- --%%-- kp l01 10-03-22 2006 01 DE-14 4426890403 00 --%%-- --%%-- --%%-- --%%-- l01 05-12-23 2010 01 DE-15 4426447496 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Elektronischer Volltext - Campuslizenz l01 05-12-23 2020 01 DE-Ch1 4438661714 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 15-12-23 2027 01 DE-105 4460336952 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Campuslizenz l01 17-01-24 2044 01 DE-751 4586353104 00 --%%-- eBook de Gruyter --%%-- n Campuslizenz bis 30.09.2025. Bitte beachten Sie die Nutzungshinweise auf unserer Homepage (de Gruyter) l01 02-10-24 2045 01 DE-Mit1 4489575645 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Volltext - Campuslizenz l01 21-02-24 2050 01 DE-Zi4 4438661722 00 --%%-- --%%-- --%%-- n Zugriff im HSZG-Campusnetz. 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Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles</subfield></datafield><datafield tag="533" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">[Online-Ausgabe]</subfield></datafield><datafield tag="538" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Mode of access: Internet via World Wide Web.</subfield></datafield><datafield tag="546" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">In English</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">SCIENCE / General</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="1" ind2=" "><subfield code="a">Abtyushenko, V. 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code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Zugriff auf den Volltext nur für Universitätsangehörige innerhalb des Netzes der Universität Kiel (Campuslizenz).</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">31</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0027</subfield><subfield code="b">4094718214</subfield><subfield code="h">OLR-DeGruyterEBS</subfield><subfield code="k">Zugang zeitlich begrenzt. Dauerhaften Zugang über Formular für Anschaffungsvorschläge anfragen.</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">34</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3551</subfield><subfield code="b">4094044485</subfield><subfield code="h">OLR-EBAKALL-EBS</subfield><subfield code="k">Zugriff nur im Netz der HAW Hamburg</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">60</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0705</subfield><subfield code="b">409460779X</subfield><subfield code="h">DeGruyterArchiv</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="k">Nur für Angehörige der HSU: Volltextzugang von außerhalb des Campus mit Anmeldung über Shibboleth mit Ihrer Bibliothekskennung</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">65</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0003</subfield><subfield code="b">4094711961</subfield><subfield code="c">03</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">ebook</subfield><subfield code="e">--%%--</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">OLR-ZDB-23-GPS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">k3o</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">69</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0009</subfield><subfield code="b">4094761349</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="u">BF_dG</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">72</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0035</subfield><subfield code="b">4117559478</subfield><subfield code="h">OLR-DG-PDA11SSHE</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Keine Weitergabe an Dritte. Kein systematisches Downloaden durch Robots.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">13-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">90</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3090</subfield><subfield code="b">4094805397</subfield><subfield code="h">OLR-HILdegruyter</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">110</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3110</subfield><subfield code="b">4097717820</subfield><subfield code="h">OLR-DEGRUYTER-EBS-2018</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="k">Volltextzugriff nur für berechtigte Personen über das Campusnetz</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">22-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">120</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0715</subfield><subfield code="b">4112950357</subfield><subfield code="c">00</subfield><subfield code="f">--%%--</subfield><subfield code="d">--%%--</subfield><subfield code="e">g</subfield><subfield code="j">--%%--</subfield><subfield code="h">alma</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">07-04-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">122</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0897</subfield><subfield code="b">4094541101</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">17-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">130</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0700</subfield><subfield code="b">4094893865</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBA-EBKALL</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">140</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">0839</subfield><subfield code="b">4094600787</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">147</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3528</subfield><subfield code="b">409496648X</subfield><subfield code="h">OLR-EBS-DG</subfield><subfield code="k">Multiuser \| freigeschaltet für Europa-Universität Flensburg, Hochschule Flensburg und Zentrale Hochschulbibliothek</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. Die Weitergabe an Dritte sowie systematisches Downloaden sind untersagt.</subfield><subfield code="y">z</subfield><subfield code="z">18-03-22</subfield></datafield><datafield tag="980" ind1=" " ind2=" "><subfield code="2">264</subfield><subfield code="1">01</subfield><subfield code="x">3264</subfield><subfield code="b">4094656987</subfield><subfield code="h">OLR-deGruyter-EBS</subfield><subfield code="k">Vervielfältigungen (z.B. Kopien, Downloads) sind nur von einzelnen Kapiteln oder Seiten und nur zum eigenen wissenschaftlichen Gebrauch erlaubt. 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abstract	Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- Effect of Dislocation Structure on Creep and Fracture of Metals and Alloys -- Original Papers and Short Notes -- Structure -- The Nature of Some Planar Defects in 2H Martensite of Cu-Al Alloys as Determined by HREM -- Partial Higher-Order Structure Factors in the Long-Wavelength Limit for Molten Cuprous Chloride -- Quantitative Interference Electron Microscopy for Spherical Objects -- Analysis of the Ground State of a Solid Solution with Interactions up to fc-th Coordination Spheres of the Crystal Lattice -- A Dark-Field TEM Method for Crystal Structure Determination of Cu-Rich Phases on Twins in Silicon -- Structural and Chemical Analysis of a Silicon Nitride Film on GraAs by Null Ellipsometry -- Coherence Properties of Radiation Diffracted by an Elastically Bent Crystal -- Defect Structure of ZnSe Crystals Investigated by Electron Microscopy -- Lattice properties -- Monocrystal-Polycrystal Elastic Constants of a Stainless Steel -- Structure and Molar Refraction and Its Wavelength Dependence at Different Alkali and Ammonium Halides -- Defects, atomistic aspects -- Kinetics of Vacancy Mechanism of the Solid-Liquid Transition in F.C.C. Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles
abstractGer	Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- Effect of Dislocation Structure on Creep and Fracture of Metals and Alloys -- Original Papers and Short Notes -- Structure -- The Nature of Some Planar Defects in 2H Martensite of Cu-Al Alloys as Determined by HREM -- Partial Higher-Order Structure Factors in the Long-Wavelength Limit for Molten Cuprous Chloride -- Quantitative Interference Electron Microscopy for Spherical Objects -- Analysis of the Ground State of a Solid Solution with Interactions up to fc-th Coordination Spheres of the Crystal Lattice -- A Dark-Field TEM Method for Crystal Structure Determination of Cu-Rich Phases on Twins in Silicon -- Structural and Chemical Analysis of a Silicon Nitride Film on GraAs by Null Ellipsometry -- Coherence Properties of Radiation Diffracted by an Elastically Bent Crystal -- Defect Structure of ZnSe Crystals Investigated by Electron Microscopy -- Lattice properties -- Monocrystal-Polycrystal Elastic Constants of a Stainless Steel -- Structure and Molar Refraction and Its Wavelength Dependence at Different Alkali and Ammonium Halides -- Defects, atomistic aspects -- Kinetics of Vacancy Mechanism of the Solid-Liquid Transition in F.C.C. Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles
abstract_unstemmed	Frontmatter -- Classification Scheme -- Author Index -- Contents -- Review Article -- Effect of Dislocation Structure on Creep and Fracture of Metals and Alloys -- Original Papers and Short Notes -- Structure -- The Nature of Some Planar Defects in 2H Martensite of Cu-Al Alloys as Determined by HREM -- Partial Higher-Order Structure Factors in the Long-Wavelength Limit for Molten Cuprous Chloride -- Quantitative Interference Electron Microscopy for Spherical Objects -- Analysis of the Ground State of a Solid Solution with Interactions up to fc-th Coordination Spheres of the Crystal Lattice -- A Dark-Field TEM Method for Crystal Structure Determination of Cu-Rich Phases on Twins in Silicon -- Structural and Chemical Analysis of a Silicon Nitride Film on GraAs by Null Ellipsometry -- Coherence Properties of Radiation Diffracted by an Elastically Bent Crystal -- Defect Structure of ZnSe Crystals Investigated by Electron Microscopy -- Lattice properties -- Monocrystal-Polycrystal Elastic Constants of a Stainless Steel -- Structure and Molar Refraction and Its Wavelength Dependence at Different Alkali and Ammonium Halides -- Defects, atomistic aspects -- Kinetics of Vacancy Mechanism of the Solid-Liquid Transition in F.C.C. Metals -- On the Identification of the Nature of Stacking Faults in H.C.P. Materials -- Dislocation Pinning at Low Temperatures in Nb -- Infrared Spectroscopical and TEM Investigations of Oxygen Precipitation in Silicon Crystals with Medium and High Oxygen Concentrations -- Steady-State Creep and Strain Transients for Stress-Dip Tests in Polycrystalline Magnesium at 300 °C -- Structural Vacancies in Nonstoichiometric Compounds at High Pressure -- Effect of Ionizing Radiation on Optical Properties of Thallium Halides in the 0.36 to 15 μm Range -- Magnetism -- Yttrium Iron Garnet Films Substituted by Gd and Mn -- Method for Measurement of Magnetostriction Constants in (001) Thin Films Using FMR -- On the Inhibition of Dynamic Conversion in Bubble Garnet Domains by a Thin Midplane Layer -- Extended electronic states and transitions -- Energy-Depth Relation of Electrons in Bulk Targets by Monte-Carlo Calculations -- Temperature Dependence of Interband Optical Absorption of Silicon at 1152, 1064, 750, and 694 nm -- Kilovolt Electron Energy Loss Distribution in GaAsP -- Localized electronic states and transitions -- Electrical Measurements on Silver-Diffused GaAs -- Analysis of DLTS Curves of Aggregated Deep Level Impurities -- Origin of a Shallow Acceptor in Quenched Germanium -- Photoluminescence and Electrical Properties of Yapour Phase Epitaxial ZnSe Grown on GaAs -- Piezoelectrically Induced Charge Distributions around Dislocations in CdTe and HgCdTe -- Effect of the Stoichiometry Control on the Photoelectrical Properties of ZnSxSe 1-x -- Time-Resolved EPR on Polyacetylene -- Two Types of F-Centres and Thermoluminescence in BaFCl Crystals -- Energy Transfer between Excited Adsorbed Dye Molecules and Charged Defects in Insulator-Semiconductor Structures -- Electric transport -- AC Conductivity in Single Crystals and Compactions of TCNQ Complex Salts -- Conductivity in One-Dimensional Disordered Cs2TCNQ3 Salts -- Intensity and Temperature Dependence of Steady-State Photoconductivity Down to 8 K and DOS Distribution Obtained from These Measurements in a-Si:H -- Short Notes -- Formation of Pt Silicides by a Millisecond Laser Pulse -- The Neutron Diffraction of Molten TlCl, TIBr, and Tll -- In Vitro Characterization of Bioactivity of Glassy or Glass-Crystalline Implant Materials Using Auger Electron Spectroscopy -- DC Plasma Nitridation of Thin Aluminium Films -- Influence of Work Function Change Due to Oxygen Chemisorption on the Secondary-Ion Emission Probability -- On X-Ray Surface Diffraction -- Strain-Optical Constant ( p ^ ) of Mixed Crystals of KCl-KBr of Equimolar Concentration -- Qbservation of RF Pulses from Solids during Laser Irradiation -- Damage and Trapping Behaviour of Crystalline Silicon at Low Energy Deuterium Implantation -- Defect Structure Study with Planar Channeling in Pulse-Annealed Ion-Implanted Silicon -- Influence of Dislocation Core Density on Overheating Absence -- Relaxation Time and Electron Scattering Cross Section in Irradiated p-Silicon at Temperatures of Liquid Helium from Cyclotron Resonance Data -- Temperature Dependence of the Charge-Carrier'Removal Rate in n-GaAs Containing Defect Clusters -- Structure and Magnetic Properties of Nd2Fe14BH 2.7 -- The Usefulness of the Photoacoustic Cell for Magnetic Measurements -- Crystallographic, Magnetic, and Electrical Properties of Nickel-Substituted Chromium Telluride -- Fluorescence Decay of Adsorbed Dye Molecules on Solid Surfaces -- Cathodoluminescence of InGaAsP -- Bipolar Photoconductivity and Hall Effect of the Acoustoelectric Current in CdTe -- Relaxation Peculiarities in TlSbSe2 Crystals -- Electrical Resistivity Studies on the Heusler Alloys Co2T 1-x Al 1+x(T = Ti or Zr) -- Current-Voltage Characteristic of the p-n Junction with an Exponential Impurity Distribution at Its Base Contact -- Pre-Printed Titles
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Physica status solidi : Volume 85, Number 1: September 16, 1984

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