Rückstreuung von Elektronen im Energiebereich von 60 bis 100 keV

Zusammenfassung Die Schichtdickenabhängigkeit der Rückstreuung von Elektronen an13A1,47Ag,50Sn,79Au wird untersucht für Energien von 60, 75 und 100 keV. Die Streuwinkel betragen 115 bis 160° gegen den Primärstrahl, der senkrecht auf die Folien auftrifft. Man findet für die RückdiffusionsdickenD bei...
Ausführliche Beschreibung

Zusammenfassung Die Schichtdickenabhängigkeit der Rückstreuung von Elektronen an13A1,47Ag,50Sn,79Au wird untersucht für Energien von 60, 75 und 100 keV. Die Streuwinkel betragen 115 bis 160° gegen den Primärstrahl, der senkrecht auf die Folien auftrifft. Man findet für die RückdiffusionsdickenD bei Au: für 60 keVD=(3±1) mg/cm2 75 (5±1) 100 (8±1). Gleiche Werte ergeben sich für Al. Durch Integration über den Halbraum erhalten wir aus den Rückdiffusionskoeffizienten pro Raumwinkel die totalen Rückdiffusionskoeffizienten. Unabhängig von der Primärenergie zwischen 60 und 100 keV ergibt sich: für Al:R tot=0,14±0,01 Ag: 0,38±0,02 Sn: 0,42±0,02 Au: 0,48±0,02. Mit einem Halbleiterzähler aufgenommene Spektren der rückgestreuten Elektronen, zeigen eine Vergrößerung des wahrscheinlichsten Energieverlustes bei Vergrößerung des Umlenkwinkels. Bei Au ist der mittlere Energieverlust kleiner als bei Al. Ausführliche Beschreibung