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Aufsätze
1
Analytical modelling of BJT neutral base region under variable injection conditions
von: Bardés, D.
1997, in:
Solid state electronics
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2
A Compact Charge Ratio Expression for the Emitter Delay of Polysilicon Emitter Bipolar Transistors
von: Castañer, L.M.
1994, in:
IEEE transactions on electron devices
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3
LETTERS - In situ-Doped Amorphous Si0.8C0.2 Emitter Bipolar Transistors
von: Orpella, A.
1999, in:
IEEE electron device letters
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4
PAPERS - Current transport mechanisms in n-type amorphous silicon-carbon on p-type crystalline silicon (a-Si0.8C0.2:H-c-Si) heterojunction diodes
von: Marsal, L.F.
1998, in:
Semiconductor science and technology
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5
Effects of thermal annealing in the properties of PECVD a-SiC layers
von: Marsal, L. F.
1999, in:
MRS online proceedings library
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6
INTERDISCIPLINARY PHYSICS (PACS 81-98) - Analysis of conduction mechanisms in annealed n-Si1-xCx:H-p-crystalline Si heterojunction diodes for different doping concentrations
von: Marsal, L.F.
1999, in:
Journal of applied physics
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7
Fabrication and characterization of in situ-doped a-Si0.8C0.2 emitter bipolar transistors
von: Orpella, A.
2000, in:
Solid state electronics
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8
Electrical properties of PECVD amorphous silicon-carbon alloys from amorphous-crystalline heterojunctions
von: Marsal, L.F.
1997, in:
Diamond and related materials
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9
Annealed Si
1-x
C
x
Emitter Silicon Heterojunction Bipolar Transistors
von: Alcubilla, R.
1998, in:
Materials science forum
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10
Part 1 - Semi-distance Learning vs. Traditional Organisation for a Master's Degree in Electronic Engineering: An Experience at the Technical University of Catalonia (UPC), Spain
von: Prat, L.
2004, in:
The international journal of engineering education
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11
Informe Especial - Los estudios de Ingenieria Electronica de la UPC - Régimen semipresencial
von: Silvestre, S.
2002, in:
Mundo electrónico
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