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Aufsätze
1
The influence of electron energy quantization in a space-charge region on the accumulation capacitance of InAs metal-oxide-semiconductor capacitors
von: Guzev, A. A
2015, in:
Journal of applied physics
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2
High operating temperature SWIR p
von: Bazovkin, V.M
2016, in:
Infrared physics & technology
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3
Features of current flow in structures based on Au/Ti/n-InAlAs Schottky barriers
von: Chistokhin, I. B.
2017, in:
Technical physics letters
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4
MIS photodiode with an InAs-based tunnel-transparent oxide layer
von: Kesler, V. G.
2014, in:
Optoelectronics, instrumentation and data processing
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5
Composition, morphology and surface recombination rate of HCl–isopropanol treated and vacuum annealed InAs(111)A surfaces
von: Kesler, V.G.
2010, in:
Applied surface science
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6
High operating temperature SWIR p+–n FPA based on MBE-grown HgCdTe/Si(013)
von: Bazovkin, V.M.
2016, in:
274: Low-dose aspirin improves trophoblastic function in early-onset pre-eclampsia
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7
Features of current flow in structures based on Au/Ti/n-InAlAs Schottky barriers
von: Chistokhin, I. B.
2017, in:
Technical physics letters
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8
The reverse current temperature dependences of SWIR CdHgTe “p-on-n” and “n-on-p” junctions
von: Kovchavtsev, A.P
2015, in:
Infrared physics & technology
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9
Electrical properties of InAs-$ SiO_{2} $-$ In_{2} %$ O_{3} $ MIS structures with a modified interface
von: Valisheva, N. A.
2009, in:
Russian microelectronics
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10
Electrical properties of InAs-$ SiO_{2} $-$ In_{2} $$ O_{3} $ MIS structures with a modified interface
von: Valisheva, N. A.
2009, in:
Russian microelectronics
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11
High operating temperature SWIR p+–n FPA based on MBE-grown HgCdTe/Si(013)
von: Bazovkin, V.M
2016, in:
Infrared physics & technology
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12
The reverse current temperature dependences of SWIR CdHgTe “p-on-n” and “n-on-p” junctions
von: Kovchavtsev, A.P.
2015, in:
274: Low-dose aspirin improves trophoblastic function in early-onset pre-eclampsia
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13
X-ray spectral study of a material containing BN nanostructures
von: Lavskaya, Yu. V.
2008, in:
Journal of structural chemistry
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14
CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures
von: Varavin, V. S.
2016, in:
Semiconductors
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