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Aufsätze
1
From EBIC images to qualitative minority carrier diffusion length maps
von: Marcelot, O.
2018, in:
Ultramicroscopy
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2
Comparison between TCAD simulated and measured carrier lifetimes in CMOS photodiodes using the Open Circuit Voltage Decay method
von: Marcelot, O.
2013, in:
Solid state electronics
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3
Radiation Effects in CCD on CMOS Devices: First Analysis of TID and DDD Effects
von: Marcelot, O
2015, in:
IEEE transactions on nuclear science
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4
Plan View and Cross-Sectional View EBIC Measurements: Effect of e-Beam Injection Conditions on Extracted Minority Carrier Transport Properties
von: Marcelot, O
2014, in:
IEEE transactions on electron devices
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5
Extraction of acceptor concentration map from EBIC experiments
von: Marcelot, O.
2021transfer abstract, in:
Who wrote this paper? The ethical issues of authorship
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6
Effect of voids-controlled vacancy supersaturations on B diffusion
von: Marcelot, O.
2007, in:
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms
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7
Effect of voids-controlled vacancy supersaturations on B diffusion
von: Marcelot, O.
2007, in:
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms
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8
Study of CCD Transport on CMOS Imaging Technology: Comparison Between SCCD and BCCD, and Ramp Effect on the CTI
von: Marcelot, O
2014, in:
IEEE transactions on electron devices
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9
Diffusion and Activation of Ultra Shallow Boron Implants in Silicon in Proximity of Voids
von: Marcelot, O.
2007, in:
Solid state phenomena
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10
A new TCAD simulation method for direct CMOS electron detectors optimization
von: Marcelot, O.
2023transfer abstract, in:
Who wrote this paper? The ethical issues of authorship
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11
Defects evolution and dopant activation anomalies in ion implanted silicon
von: Cristiano, F.
2006, in:
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms
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12
Radiation Effects in Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: Pixel Performance Degradation Due to Total Ionizing Dose
von: Goiffon, V
2012, in:
IEEE transactions on nuclear science
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