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Aufsätze
1
Theoretical calculation and experimental evidence of the real and apparent bandgap narrowing due to heavy doping in p-type Si and strained Si1-x Gex layers
von: Poortmans, J.
1993, in:
Solid state electronics
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2
Theoretical calculation and experimental evidence of the real and apparent bandgap narrowing due to heavy doping in p-type Si and strained Si"1"-"xGe"x layers
von: Poortmans, J.
1993, in:
Solid State Electronics
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3
Application of open circuit voltage decay to the characterisation of heavy doping parameters in a p^+ emitter of a junction diode
von: Totterdell, D.H.J.
1990, in:
Solid State Electronics
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4
Reverse bias voltage decay and measurement of the dark current in semiconductor radiation detectors
von: Totterdell, D.H.J.
1987, in:
Solid State Electronics
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5
Irradiation-induced compensation of n-type germanium: An optical study of vibrational absorption
von: Brozel, M.R.
1975, in:
Solid State Communications
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6
The combined effects of strain and heavy doping on the indirect band gap of Si and Ge"xSi"1"-"x alloys
von: Jain, S.C.
1991, in:
Solid State Electronics
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7
Non-linearity effects in the response of cadmium telluride nuclear radiation detectors
von: Hodgkinson, J.A.
1979, in:
Nuclear Instruments and Methods
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