Ion-Beam-Induced Atomic Mixing in Ge, Si, and SiGe, Studied by Means of Isotope Multilayer Structures

Crystalline and preamorphized isotope multilayers are utilized to investigate the dependence of ion beam mixing in silicon (Si), germanium (Ge), and silicon germanium (SiGe) on the atomic structure of the sample, temperature, ion flux, and electrical doping by the implanted ions. The magnitude of mi...
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Autor*in:

Manuel Radek [verfasserIn]

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Matthias Voelskow [verfasserIn]

Lothar Bischoff [verfasserIn]

John Lundsgaard Hansen [verfasserIn]

Arne Nylandsted Larsen [verfasserIn]

Dominique Bougeard [verfasserIn]

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Slawomir Prucnal [verfasserIn]

Matthias Posselt [verfasserIn]

Hartmut Bracht [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2017

Schlagwörter:

silicon

germanium

ion beam

atomic mixing

thermal spike

radiation enhanced diffusion

amorphization

recrystallization

molecular dynamics

Übergeordnetes Werk:

In: Materials - MDPI AG, 2009, 10(2017), 7, p 813

Übergeordnetes Werk:

volume:10 ; year:2017 ; number:7, p 813

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Journal toc

DOI / URN:

10.3390/ma10070813

Katalog-ID:

DOAJ040296040

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