Observation of current-induced switching in non-collinear antiferromagnetic IrMn3 by differential voltage measurements

Anti-ferromagnetic based memories have a wide range of advantages over their ferromagnetic counterparts, however, their electrical signatures of switching are complicated by spurious signals. Here, Arpaci et al demonstrate an experimental method to distinguish between anti-ferromagnetic switching, a...
Ausführliche Beschreibung

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Autor*in:

Sevdenur Arpaci [verfasserIn]

Victor Lopez-Dominguez [verfasserIn]

Jiacheng Shi [verfasserIn]

Luis Sánchez-Tejerina [verfasserIn]

Francesca Garesci [verfasserIn]

Chulin Wang [verfasserIn]

Xueting Yan [verfasserIn]

Vinod K. Sangwan [verfasserIn]

Matthew A. Grayson [verfasserIn]

Mark C. Hersam [verfasserIn]

Giovanni Finocchio [verfasserIn]

Pedram Khalili Amiri [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2021

Übergeordnetes Werk:

In: Nature Communications - Nature Portfolio, 2016, 12(2021), 1, Seite 10

Übergeordnetes Werk:

volume:12 ; year:2021 ; number:1 ; pages:10

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Journal toc

DOI / URN:

10.1038/s41467-021-24237-y

Katalog-ID:

DOAJ052263746

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