Theoretical study of a high-efficiency GaP–Si heterojunction betavoltaic cell compared with metal–Si Schottky barrier betavoltaic cell

In this work, energy converters, which contain a GaP–Si heterojunction and Si-based Schottky barrier diodes with Al, Ti, Ag, and W, are used to convert 2 μm-thick 63Ni radioactive source energy into electrical energy. First, energy deposition distributions of the 63Ni radioactive source in these con...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Yu Wang [verfasserIn]

Jingbin Lu [verfasserIn]

Renzhou Zheng [verfasserIn]

Xiaoyi Li [verfasserIn]

Yumin Liu [verfasserIn]

Xue Zhang [verfasserIn]

Yuehui Zhang [verfasserIn]

Ziyi Chen [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2021

Übergeordnetes Werk:

In: AIP Advances - AIP Publishing LLC, 2011, 11(2021), 6, Seite 065110-065110-9

Übergeordnetes Werk:

volume:11 ; year:2021 ; number:6 ; pages:065110-065110-9

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DOI / URN:

10.1063/5.0053917

Katalog-ID:

DOAJ056399278

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