Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD
Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical v...
Ausführliche Beschreibung
Gespeichert in:
| Autor*in: |
Aulia Fikri Hidayat [verfasserIn] Toto Winata [verfasserIn] |
|---|
| Format: |
E-Artikel |
|---|---|
| Sprache: |
Englisch ; Indonesisch |
| Erschienen: |
2019 |
|---|
| Schlagwörter: |
|---|
| Übergeordnetes Werk: |
In: Jurnal Fisika - Universitas Negeri Semarang, 2015, 9(2019), 1, Seite 8 |
|---|---|
| Übergeordnetes Werk: |
volume:9 ; year:2019 ; number:1 ; pages:8 |
| Links: |
|---|
| DOI / URN: |
10.15294/jf.v9i1.18811 |
|---|
| Katalog-ID: |
DOAJ061459348 |
|---|
| LEADER | 01000caa a22002652 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | DOAJ061459348 | ||
| 003 | DE-627 | ||
| 005 | 20240413234802.0 | ||
| 007 | cr uuu---uuuuu | ||
| 008 | 230228s2019 xx |||||o 00| ||eng c | ||
| 024 | 7 | |a 10.15294/jf.v9i1.18811 |2 doi | |
| 035 | |a (DE-627)DOAJ061459348 | ||
| 035 | |a (DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088 | ||
| 040 | |a DE-627 |b ger |c DE-627 |e rakwb | ||
| 041 | |a eng |a ind | ||
| 050 | 0 | |a QC1-999 | |
| 100 | 0 | |a Aulia Fikri Hidayat |e verfasserin |4 aut | |
| 245 | 1 | 0 | |a Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD |
| 264 | 1 | |c 2019 | |
| 336 | |a Text |b txt |2 rdacontent | ||
| 337 | |a Computermedien |b c |2 rdamedia | ||
| 338 | |a Online-Ressource |b cr |2 rdacarrier | ||
| 520 | |a Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. | ||
| 650 | 4 | |a daya rf | |
| 650 | 4 | |a morfologi | |
| 650 | 4 | |a nikel | |
| 650 | 4 | |a pecvd | |
| 650 | 4 | |a silicon nanowire | |
| 653 | 0 | |a Physics | |
| 700 | 0 | |a Toto Winata |e verfasserin |4 aut | |
| 773 | 0 | 8 | |i In |t Jurnal Fisika |d Universitas Negeri Semarang, 2015 |g 9(2019), 1, Seite 8 |w (DE-627)1760645184 |x 20881509 |7 nnns |
| 773 | 1 | 8 | |g volume:9 |g year:2019 |g number:1 |g pages:8 |
| 856 | 4 | 0 | |u https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811 |z kostenfrei |
| 856 | 4 | 0 | |u https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088 |z kostenfrei |
| 856 | 4 | 0 | |u https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811 |z kostenfrei |
| 856 | 4 | 2 | |u https://doaj.org/toc/2088-1509 |y Journal toc |z kostenfrei |
| 912 | |a GBV_USEFLAG_A | ||
| 912 | |a SYSFLAG_A | ||
| 912 | |a GBV_DOAJ | ||
| 951 | |a AR | ||
| 952 | |d 9 |j 2019 |e 1 |h 8 | ||
| author_variant |
a f h afh t w tw |
|---|---|
| matchkey_str |
article:20881509:2019----::netgspnaudyrtraamrooiiionnwrpdpnm |
| hierarchy_sort_str |
2019 |
| callnumber-subject-code |
QC |
| publishDate |
2019 |
| allfields |
10.15294/jf.v9i1.18811 doi (DE-627)DOAJ061459348 (DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088 DE-627 ger DE-627 rakwb eng ind QC1-999 Aulia Fikri Hidayat verfasserin aut Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD 2019 Text txt rdacontent Computermedien c rdamedia Online-Ressource cr rdacarrier Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. daya rf morfologi nikel pecvd silicon nanowire Physics Toto Winata verfasserin aut In Jurnal Fisika Universitas Negeri Semarang, 2015 9(2019), 1, Seite 8 (DE-627)1760645184 20881509 nnns volume:9 year:2019 number:1 pages:8 https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811 kostenfrei https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088 kostenfrei https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811 kostenfrei https://doaj.org/toc/2088-1509 Journal toc kostenfrei GBV_USEFLAG_A SYSFLAG_A GBV_DOAJ AR 9 2019 1 8 |
| spelling |
10.15294/jf.v9i1.18811 doi (DE-627)DOAJ061459348 (DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088 DE-627 ger DE-627 rakwb eng ind QC1-999 Aulia Fikri Hidayat verfasserin aut Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD 2019 Text txt rdacontent Computermedien c rdamedia Online-Ressource cr rdacarrier Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. daya rf morfologi nikel pecvd silicon nanowire Physics Toto Winata verfasserin aut In Jurnal Fisika Universitas Negeri Semarang, 2015 9(2019), 1, Seite 8 (DE-627)1760645184 20881509 nnns volume:9 year:2019 number:1 pages:8 https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811 kostenfrei https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088 kostenfrei https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811 kostenfrei https://doaj.org/toc/2088-1509 Journal toc kostenfrei GBV_USEFLAG_A SYSFLAG_A GBV_DOAJ AR 9 2019 1 8 |
| allfields_unstemmed |
10.15294/jf.v9i1.18811 doi (DE-627)DOAJ061459348 (DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088 DE-627 ger DE-627 rakwb eng ind QC1-999 Aulia Fikri Hidayat verfasserin aut Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD 2019 Text txt rdacontent Computermedien c rdamedia Online-Ressource cr rdacarrier Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. daya rf morfologi nikel pecvd silicon nanowire Physics Toto Winata verfasserin aut In Jurnal Fisika Universitas Negeri Semarang, 2015 9(2019), 1, Seite 8 (DE-627)1760645184 20881509 nnns volume:9 year:2019 number:1 pages:8 https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811 kostenfrei https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088 kostenfrei https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811 kostenfrei https://doaj.org/toc/2088-1509 Journal toc kostenfrei GBV_USEFLAG_A SYSFLAG_A GBV_DOAJ AR 9 2019 1 8 |
| allfieldsGer |
10.15294/jf.v9i1.18811 doi (DE-627)DOAJ061459348 (DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088 DE-627 ger DE-627 rakwb eng ind QC1-999 Aulia Fikri Hidayat verfasserin aut Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD 2019 Text txt rdacontent Computermedien c rdamedia Online-Ressource cr rdacarrier Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. daya rf morfologi nikel pecvd silicon nanowire Physics Toto Winata verfasserin aut In Jurnal Fisika Universitas Negeri Semarang, 2015 9(2019), 1, Seite 8 (DE-627)1760645184 20881509 nnns volume:9 year:2019 number:1 pages:8 https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811 kostenfrei https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088 kostenfrei https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811 kostenfrei https://doaj.org/toc/2088-1509 Journal toc kostenfrei GBV_USEFLAG_A SYSFLAG_A GBV_DOAJ AR 9 2019 1 8 |
| allfieldsSound |
10.15294/jf.v9i1.18811 doi (DE-627)DOAJ061459348 (DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088 DE-627 ger DE-627 rakwb eng ind QC1-999 Aulia Fikri Hidayat verfasserin aut Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD 2019 Text txt rdacontent Computermedien c rdamedia Online-Ressource cr rdacarrier Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. daya rf morfologi nikel pecvd silicon nanowire Physics Toto Winata verfasserin aut In Jurnal Fisika Universitas Negeri Semarang, 2015 9(2019), 1, Seite 8 (DE-627)1760645184 20881509 nnns volume:9 year:2019 number:1 pages:8 https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811 kostenfrei https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088 kostenfrei https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811 kostenfrei https://doaj.org/toc/2088-1509 Journal toc kostenfrei GBV_USEFLAG_A SYSFLAG_A GBV_DOAJ AR 9 2019 1 8 |
| language |
English Indonesian |
| source |
In Jurnal Fisika 9(2019), 1, Seite 8 volume:9 year:2019 number:1 pages:8 |
| sourceStr |
In Jurnal Fisika 9(2019), 1, Seite 8 volume:9 year:2019 number:1 pages:8 |
| format_phy_str_mv |
Article |
| institution |
findex.gbv.de |
| topic_facet |
daya rf morfologi nikel pecvd silicon nanowire Physics |
| isfreeaccess_bool |
true |
| container_title |
Jurnal Fisika |
| authorswithroles_txt_mv |
Aulia Fikri Hidayat @@aut@@ Toto Winata @@aut@@ |
| publishDateDaySort_date |
2019-01-01T00:00:00Z |
| hierarchy_top_id |
1760645184 |
| id |
DOAJ061459348 |
| language_de |
englisch Sangiang |
| fullrecord |
<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01000caa a22002652 4500</leader><controlfield tag="001">DOAJ061459348</controlfield><controlfield tag="003">DE-627</controlfield><controlfield tag="005">20240413234802.0</controlfield><controlfield tag="007">cr uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">230228s2019 xx |||||o 00| ||eng c</controlfield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">10.15294/jf.v9i1.18811</subfield><subfield code="2">doi</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-627)DOAJ061459348</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-627</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="c">DE-627</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">eng</subfield><subfield code="a">ind</subfield></datafield><datafield tag="050" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">QC1-999</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Aulia Fikri Hidayat</subfield><subfield code="e">verfasserin</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">2019</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Text</subfield><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Computermedien</subfield><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Online-Ressource</subfield><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="520" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">daya rf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">morfologi</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">nikel</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">pecvd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">silicon nanowire</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Physics</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Toto Winata</subfield><subfield code="e">verfasserin</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="773" ind1="0" ind2="8"><subfield code="i">In</subfield><subfield code="t">Jurnal Fisika</subfield><subfield code="d">Universitas Negeri Semarang, 2015</subfield><subfield code="g">9(2019), 1, Seite 8</subfield><subfield code="w">(DE-627)1760645184</subfield><subfield code="x">20881509</subfield><subfield code="7">nnns</subfield></datafield><datafield tag="773" ind1="1" ind2="8"><subfield code="g">volume:9</subfield><subfield code="g">year:2019</subfield><subfield code="g">number:1</subfield><subfield code="g">pages:8</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="u">https://doaj.org/toc/2088-1509</subfield><subfield code="y">Journal toc</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">GBV_USEFLAG_A</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">SYSFLAG_A</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">GBV_DOAJ</subfield></datafield><datafield tag="951" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">AR</subfield></datafield><datafield tag="952" ind1=" " ind2=" "><subfield code="d">9</subfield><subfield code="j">2019</subfield><subfield code="e">1</subfield><subfield code="h">8</subfield></datafield></record></collection>
|
| callnumber-first |
Q - Science |
| author |
Aulia Fikri Hidayat |
| spellingShingle |
Aulia Fikri Hidayat misc QC1-999 misc daya rf misc morfologi misc nikel misc pecvd misc silicon nanowire misc Physics Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD |
| authorStr |
Aulia Fikri Hidayat |
| ppnlink_with_tag_str_mv |
@@773@@(DE-627)1760645184 |
| format |
electronic Article |
| delete_txt_mv |
keep |
| author_role |
aut aut |
| collection |
DOAJ |
| remote_str |
true |
| callnumber-label |
QC1-999 |
| illustrated |
Not Illustrated |
| issn |
20881509 |
| topic_title |
QC1-999 Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD daya rf morfologi nikel pecvd silicon nanowire |
| topic |
misc QC1-999 misc daya rf misc morfologi misc nikel misc pecvd misc silicon nanowire misc Physics |
| topic_unstemmed |
misc QC1-999 misc daya rf misc morfologi misc nikel misc pecvd misc silicon nanowire misc Physics |
| topic_browse |
misc QC1-999 misc daya rf misc morfologi misc nikel misc pecvd misc silicon nanowire misc Physics |
| format_facet |
Elektronische Aufsätze Aufsätze Elektronische Ressource |
| format_main_str_mv |
Text Zeitschrift/Artikel |
| carriertype_str_mv |
cr |
| hierarchy_parent_title |
Jurnal Fisika |
| hierarchy_parent_id |
1760645184 |
| hierarchy_top_title |
Jurnal Fisika |
| isfreeaccess_txt |
true |
| familylinks_str_mv |
(DE-627)1760645184 |
| title |
Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD |
| ctrlnum |
(DE-627)DOAJ061459348 (DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088 |
| title_full |
Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD |
| author_sort |
Aulia Fikri Hidayat |
| journal |
Jurnal Fisika |
| journalStr |
Jurnal Fisika |
| callnumber-first-code |
Q |
| lang_code |
eng ind |
| isOA_bool |
true |
| recordtype |
marc |
| publishDateSort |
2019 |
| contenttype_str_mv |
txt |
| container_start_page |
8 |
| author_browse |
Aulia Fikri Hidayat Toto Winata |
| container_volume |
9 |
| class |
QC1-999 |
| format_se |
Elektronische Aufsätze |
| author-letter |
Aulia Fikri Hidayat |
| doi_str_mv |
10.15294/jf.v9i1.18811 |
| author2-role |
verfasserin |
| title_sort |
investigasi pengaruh daya rf terhadap morfologi silicon nanowire pada penumbuhan dengan metode pecvd |
| callnumber |
QC1-999 |
| title_auth |
Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD |
| abstract |
Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. |
| abstractGer |
Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. |
| abstract_unstemmed |
Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33. |
| collection_details |
GBV_USEFLAG_A SYSFLAG_A GBV_DOAJ |
| container_issue |
1 |
| title_short |
Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD |
| url |
https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811 https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088 https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811 https://doaj.org/toc/2088-1509 |
| remote_bool |
true |
| author2 |
Toto Winata |
| author2Str |
Toto Winata |
| ppnlink |
1760645184 |
| callnumber-subject |
QC - Physics |
| mediatype_str_mv |
c |
| isOA_txt |
true |
| hochschulschrift_bool |
false |
| doi_str |
10.15294/jf.v9i1.18811 |
| callnumber-a |
QC1-999 |
| up_date |
2024-07-03T20:49:31.291Z |
| _version_ |
1803592423224377344 |
| fullrecord_marcxml |
<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><collection xmlns="http://www.loc.gov/MARC21/slim"><record><leader>01000caa a22002652 4500</leader><controlfield tag="001">DOAJ061459348</controlfield><controlfield tag="003">DE-627</controlfield><controlfield tag="005">20240413234802.0</controlfield><controlfield tag="007">cr uuu---uuuuu</controlfield><controlfield tag="008">230228s2019 xx |||||o 00| ||eng c</controlfield><datafield tag="024" ind1="7" ind2=" "><subfield code="a">10.15294/jf.v9i1.18811</subfield><subfield code="2">doi</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-627)DOAJ061459348</subfield></datafield><datafield tag="035" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">(DE-599)DOAJea79be18b6204d64a2b08170246ae088</subfield></datafield><datafield tag="040" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">DE-627</subfield><subfield code="b">ger</subfield><subfield code="c">DE-627</subfield><subfield code="e">rakwb</subfield></datafield><datafield tag="041" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">eng</subfield><subfield code="a">ind</subfield></datafield><datafield tag="050" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">QC1-999</subfield></datafield><datafield tag="100" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Aulia Fikri Hidayat</subfield><subfield code="e">verfasserin</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="245" ind1="1" ind2="0"><subfield code="a">Investigasi Pengaruh Daya RF terhadap Morfologi Silicon Nanowire pada Penumbuhan dengan Metode PECVD</subfield></datafield><datafield tag="264" ind1=" " ind2="1"><subfield code="c">2019</subfield></datafield><datafield tag="336" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Text</subfield><subfield code="b">txt</subfield><subfield code="2">rdacontent</subfield></datafield><datafield tag="337" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Computermedien</subfield><subfield code="b">c</subfield><subfield code="2">rdamedia</subfield></datafield><datafield tag="338" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Online-Ressource</subfield><subfield code="b">cr</subfield><subfield code="2">rdacarrier</subfield></datafield><datafield tag="520" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">Silicon nanowire (SiNW) merupakan material berstruktur nano yang pemanfaatannya cukup luas, diantaranya yaitu sebagai material divais elektronik, sebagai material biosensor, dan sebagai sistem pembawa obat. Penumbuhan SiNW salah satunya dapat dilakukan dengan metode PECVD (plasma-enhanced chemical vapor deposition). Nikel digunakan sebagai katalis dalam penumbuhan SiNW pada penelitian ini. Lapisan tipis nikel diberi perlakuan annealing pada suhu 600°C selama 6 jam untuk memperoleh butiran nikel sebagai pemandu tumbuhnya nanowire. Penumbuhan SiNW dilakukan dengan metode PECVD dengan memvariasikan daya frekuensi radio (RF) reaktor sebesar 8 watt, 10 watt, dan 20 watt. Diameter rata-rata untuk daya 8 watt, 10 watt, dan 20 watt berturut-turut adalah 1143,17 nm; 1490,27 nm; dan 2605,26 nm. Morfologi permukaan dilihat dengan pencitraan scanning electron microscope (SEM). Rasio aspek wire dengan daya RF penumbuhan 8 watt, 10 watt, dan 20 watt diinvestigasi dengan pencitraan SEM penampang lintang dengan hasil berturut-turut sebesar 23,3; 3,13; dan 0,33.</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">daya rf</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">morfologi</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">nikel</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">pecvd</subfield></datafield><datafield tag="650" ind1=" " ind2="4"><subfield code="a">silicon nanowire</subfield></datafield><datafield tag="653" ind1=" " ind2="0"><subfield code="a">Physics</subfield></datafield><datafield tag="700" ind1="0" ind2=" "><subfield code="a">Toto Winata</subfield><subfield code="e">verfasserin</subfield><subfield code="4">aut</subfield></datafield><datafield tag="773" ind1="0" ind2="8"><subfield code="i">In</subfield><subfield code="t">Jurnal Fisika</subfield><subfield code="d">Universitas Negeri Semarang, 2015</subfield><subfield code="g">9(2019), 1, Seite 8</subfield><subfield code="w">(DE-627)1760645184</subfield><subfield code="x">20881509</subfield><subfield code="7">nnns</subfield></datafield><datafield tag="773" ind1="1" ind2="8"><subfield code="g">volume:9</subfield><subfield code="g">year:2019</subfield><subfield code="g">number:1</subfield><subfield code="g">pages:8</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doi.org/10.15294/jf.v9i1.18811</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://doaj.org/article/ea79be18b6204d64a2b08170246ae088</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="0"><subfield code="u">https://journal.unnes.ac.id/nju/jf/article/view/18811</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield></datafield><datafield tag="856" ind1="4" ind2="2"><subfield code="u">https://doaj.org/toc/2088-1509</subfield><subfield code="y">Journal toc</subfield><subfield code="z">kostenfrei</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">GBV_USEFLAG_A</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">SYSFLAG_A</subfield></datafield><datafield tag="912" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">GBV_DOAJ</subfield></datafield><datafield tag="951" ind1=" " ind2=" "><subfield code="a">AR</subfield></datafield><datafield tag="952" ind1=" " ind2=" "><subfield code="d">9</subfield><subfield code="j">2019</subfield><subfield code="e">1</subfield><subfield code="h">8</subfield></datafield></record></collection>
|
| score |
7.399974 |