Faradaic junction and isoenergetic charge transfer mechanism on semiconductor/semiconductor interfaces

Energy band alignment theory is used to understand interface charge transfer in semiconductor/semiconductor junctions but many abnormal results cannot be well explained. Here, the authors demonstrate a Faradaic junction theory with isoenergetic charge transfer at semiconductor/semiconductor interfac...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Mingzhi Chen [verfasserIn]

Hongzheng Dong [verfasserIn]

Mengfan Xue [verfasserIn]

Chunsheng Yang [verfasserIn]

Pin Wang [verfasserIn]

Yanliang Yang [verfasserIn]

Heng Zhu [verfasserIn]

Congping Wu [verfasserIn]

Yingfang Yao [verfasserIn]

Wenjun Luo [verfasserIn]

Zhigang Zou [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2021

Übergeordnetes Werk:

In: Nature Communications - Nature Portfolio, 2016, 12(2021), 1, Seite 8

Übergeordnetes Werk:

volume:12 ; year:2021 ; number:1 ; pages:8

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DOI / URN:

10.1038/s41467-021-26661-6

Katalog-ID:

DOAJ075792702

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