An RF Approach to Modelling Gallium Nitride Power Devices Using Parasitic Extraction

This paper begins with a comprehensive review into the existing GaN device models. Secondly, it identifies the need for a more accurate GaN switching model. A simple practical process based on radio frequency techniques using Vector Network Analyser is introduced in this paper as an original contrib...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Nikita Hari [verfasserIn]

Sridhar Ramasamy [verfasserIn]

Mominul Ahsan [verfasserIn]

Julfikar Haider [verfasserIn]

Eduardo M. G. Rodrigues [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2020

Schlagwörter:

gallium nitride

power electronics

power device

parasitics

device modelling

switching model

Übergeordnetes Werk:

In: Electronics - MDPI AG, 2013, 9(2020), 12, p 2007

Übergeordnetes Werk:

volume:9 ; year:2020 ; number:12, p 2007

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Journal toc

DOI / URN:

10.3390/electronics9122007

Katalog-ID:

DOAJ086721976

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