The impact of TiW barrier layer thickness dependent transition from electro-chemical metallization memory to valence change memory in ZrO

The effect of TiW metal barrier layer thickness on voltage-current characteristics of the Cu/TiW/ZrO2/TiN conductive bridge random access memory device was systematically investigated. The change of reset behavior from abrupt decrease to gradual decrease with increasing TiW thickness was observed. E...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Chandrasekaran, Sridhar [verfasserIn]

Simanjuntak, Firman Mangasa [verfasserIn]

Aluguri, Rakesh [verfasserIn]

Tseng, Tseung-Yuen [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2018

Schlagwörter:

Conductive filament

Electro-chemical metallization

Valence change memory

Switching device

Zirconium dioxide

Titanium tungsten alloy

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Thin solid films - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1967, 660, Seite 777-781

Übergeordnetes Werk:

volume:660 ; pages:777-781

DOI / URN:

10.1016/j.tsf.2018.03.065

Katalog-ID:

ELV001376489

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