A compensated design of the LGAD gain layer

In this contribution, we present an innovative design of the Low-Gain Avalanche Diode (LGAD) gain layer, the p + implant responsible for the local a...
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Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2022

Schlagwörter:

Silicon sensor

LGAD

Compensation

Compensated LGAD

Gain layer

4D tracking

Radiation hardness

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Nuclear instruments & methods in physics research / A - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., 1984, 1040

Übergeordnetes Werk:

volume:1040

DOI / URN:

10.1016/j.nima.2022.167232

Katalog-ID:

ELV008376395

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