High detectivity and fast response avalanche photodetector based on GaSe/PtSe

Heterojunction photodetectors based on 2D materials are a promising geometry to acquire broadband photodetection with combination of wide-bandgap and narrow bandgap functional materials. But the interface condition of the heterojunction is difficult to control due to the inevitable introduction of a...
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Autor*in:

Gong, Kaiwen [verfasserIn]

Li, Lianbi [verfasserIn]

Yu, Wenzhi [verfasserIn]

Mu, Haoran [verfasserIn]

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Hao, Ran [verfasserIn]

Liu, Baiquan [verfasserIn]

Mei, Zengxia [verfasserIn]

Mei, Luyao [verfasserIn]

Li, Haozhe [verfasserIn]

Lin, Shenghuang [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2023

Schlagwörter:

2D heterojunction

Avalanche photodetector

CVD

Mechanical exfoliation

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Materials and design - Amsterdam [u.a.] : Elsevier Science, 1980, 228

Übergeordnetes Werk:

volume:228

DOI / URN:

10.1016/j.matdes.2023.111848

Katalog-ID:

ELV065873165

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