The Investigation of 4H-SiC/SiO<sub>2</sub> Interfaces by Optical and Electrical Measurements

Gespeichert in:
Autor*in:

Ishida, Yuuki [verfasserIn]

Takahashi, Tetsuo

Okumura, Hajime

Jikimoto, Tamotsu

Tsuchida, Hidekazu

Yoshikawa, Masahito

Tomioka, Yuichi

Midorikawa, M.

Hijikata, Yasuto

Yoshida, Sadafumi

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

s.l. Stafa-Zurich, Switzerland: 2002

Anmerkung:

https://getinfo.de/app/details?id=transtech:doi~10.4028%252Fwww.scientific.net%252FMSF.389-393.1013

Umfang:

Online-Ressource (4 pages)

Reproduktion:

Scientific.Net: Materials Science & Technology / Trans Tech Publications Archiv 1984-2008

Übergeordnetes Werk:

In: Materials science forum - Uetikon : Trans Tech Publ., 1984, Vol. 389-393 (Apr. 2002), p. 1013-1016

Übergeordnetes Werk:

volume:389-393 ; year:2002 ; pages:1013-1016

Links:

Volltext
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DOI / URN:

10.4028/www.scientific.net/MSF.389-393.1013

Katalog-ID:

NLEJ237921642

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