Effective Normal Field Dependence of Inversion Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs on the (11-20) Face

Gespeichert in:
Autor*in:

Senzaki, Junji [verfasserIn]

Kojima, Kazutoshi

Suzuki, Takaya

Fukuda, Kenji

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

s.l. Stafa-Zurich, Switzerland: 2003

Anmerkung:

https://getinfo.de/app/details?id=transtech:doi~10.4028%252Fwww.scientific.net%252FMSF.433-436.613

Umfang:

Online-Ressource (4 pages)

Reproduktion:

Scientific.Net: Materials Science & Technology / Trans Tech Publications Archiv 1984-2008

Übergeordnetes Werk:

In: Materials science forum - Uetikon : Trans Tech Publ., 1984, Vol. 433-436 (Sept. 2003), p. 613-616

Übergeordnetes Werk:

volume:433-436 ; year:2003 ; pages:613-616

Links:

Volltext
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DOI / URN:

10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.613

Katalog-ID:

NLEJ23794667X

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