4H-SiC MOSFETs on C(000-,1) Face with Inversion Channel Mobility of 127cm<sup>2</sup>/Vs

Gespeichert in:
Autor*in:

Fukuda, Kenji [verfasserIn]

Kato, Makoto

Senzaki, Junji

Kojima, Kazutoshi

Suzuki, Takaya

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

s.l. Stafa-Zurich, Switzerland: 2004

Anmerkung:

https://getinfo.de/app/details?id=transtech:doi~10.4028%252Fwww.scientific.net%252FMSF.457-460.1417

Umfang:

Online-Ressource (4 pages)

Reproduktion:

Scientific.Net: Materials Science & Technology / Trans Tech Publications Archiv 1984-2008

Übergeordnetes Werk:

In: Materials science forum - Uetikon : Trans Tech Publ., 1984, Vol. 457-460 (June 2004), p. 1417-1420

Übergeordnetes Werk:

volume:457-460 ; year:2004 ; pages:1417-1420

Links:

Volltext
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DOI / URN:

10.4028/www.scientific.net/MSF.457-460.1417

Katalog-ID:

NLEJ237963515

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