1 Gbit-s zero-bias operation of 1.3mm InGaAsP n-type modulation doped strained multiquantum well lasers

Gespeichert in:
Autor*in:

Nakahara, K. [verfasserIn]

Uomi, K.

Taniwatari, T.

Haga, T.

Toyonaka, T.

Format:

Artikel

Erschienen:

1998

Umfang:

1

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Electronics letters - Stevenage : IET, 1965, 34(1998), 16, Seite 1584

Übergeordnetes Werk:

volume:34 ; year:1998 ; number:16 ; pages:1584 ; extent:1

Katalog-ID:

OLC1540616312

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