SEMICONDUCTORS - Thermal stability of 2H-implanted n- and p-type GaN

Gespeichert in:
Autor*in:

Pearton, S.J. [verfasserIn]

Wilson, R.G.

Zavada, J.M.

Han, J.

Shul, R.J.

Format:

Artikel

Erschienen:

1998

Umfang:

3

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Applied physics letters - Melville, NY : AIP, 1962, 73(1998), 13, Seite 1877-1879

Übergeordnetes Werk:

volume:73 ; year:1998 ; number:13 ; pages:1877-1879 ; extent:3

Katalog-ID:

OLC1541493982

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