Modeling the extended defect evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN: Subgrain stability

Gespeichert in:
Autor*in:

Romanov, A.E. [verfasserIn]

Fini, P.

Speck, J.S.

Format:

Artikel

Erschienen:

2003

Umfang:

9

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of applied physics - Melville, NY : AIP, 1937, 93(2003), 1, Seite 106-114

Übergeordnetes Werk:

volume:93 ; year:2003 ; number:1 ; pages:106-114 ; extent:9

Katalog-ID:

OLC1636214401

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