RAPID COMMUNICATIONS - Semiconductors II: Surfaces, interfaces, microstructures, and related topics - Nonpolar InxGa1-xN-GaN(1100) multiple quantum wells grown on g-LiAlO2(100) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy (4 pages)

Gespeichert in:
Autor*in:

Sun, Yue Jun [verfasserIn]

Brandt, Oliver

Cronenberg, Sven

Dhar, Subhabrata

Grahn, Holger T.

Ploog, Klaus H.

Waltereit, Patrick

Speck, James S.

Format:

Artikel

Erschienen:

2003

Systematik:

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Physical review / B - Ridge, NY : APS, 1970, 67(2003), 4, Seite 41306R

Übergeordnetes Werk:

volume:67 ; year:2003 ; number:4 ; pages:41306R

Katalog-ID:

OLC164015664X

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