Observation of deep levels in undoped GaSb grown by molecular beam epitaxy

Gespeichert in:
Autor*in:

Kuramochi, Eiichi [verfasserIn]

Kondo, Naoto

Takanashi, Yoshifumi

Fujimoto, Masatomo

Format:

Artikel

Erschienen:

1993

Umfang:

3

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Applied physics letters - Melville, NY : AIP, 1962, 63(1993), 19, Seite 2664-2666

Übergeordnetes Werk:

volume:63 ; year:1993 ; number:19 ; pages:2664-2666 ; extent:3

Katalog-ID:

OLC1699000492

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