New horizontal boat growth method of undoped semi-insulating GaAs with low dislocation density

Gespeichert in:
Autor*in:

Ishihara, T. [verfasserIn]

Murata, K.

Sato, M.

Kito, N.

Hirano, M.

Format:

Artikel

Erschienen:

1994

Umfang:

6

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1967, 137(1994), 3-4, Seite 375-380

Übergeordnetes Werk:

volume:137 ; year:1994 ; number:3-4 ; pages:375-380 ; extent:6

Katalog-ID:

OLC1715412389

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