Annealing effects on hydrogen passivation of Zn acceptors in AlGaInP with p-GaAs cap layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Gespeichert in:
Autor*in:

Ishibashi, A. [verfasserIn]

Mannoh, M.

Ohnaka, K.

Format:

Artikel

Erschienen:

1994

Umfang:

6

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1967, 145(1994), 1-4, Seite 414-419

Übergeordnetes Werk:

volume:145 ; year:1994 ; number:1-4 ; pages:414-419 ; extent:6

Katalog-ID:

OLC1715419065

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