Semiconductor Devices, Materials, and Processing - Evolution of Surface Topography of as-Grown Si Film near Amorphous-to-Polycrystalline Transition

Gespeichert in:
Autor*in:

Edrei, R. [verfasserIn]

Shima, R.

Gridin, V.V.

Roizin, Y.

Kaplan, W.D.

Hoffman, A.

Format:

Artikel

Erschienen:

2004

Systematik:

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of the Electrochemical Society - Pennington, NJ : Electrochemical Society, 1948, 151(2004), 12, Seite G904

Übergeordnetes Werk:

volume:151 ; year:2004 ; number:12 ; pages:G904

Katalog-ID:

OLC1734011513

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