RAPID COMMUNICATIONS - Semiconductors II: Surfaces, interfaces, microstructures, and related topics - Electronic properties of atomically abrupt tunnel junctions in silicon (4 pages)

Gespeichert in:
Autor*in:

Ruess, F.J. [verfasserIn]

Pok, W.

Goh, K.E.J.

Hamilton, A.R.

Simmons, M.Y.

Format:

Artikel

Erschienen:

2007

Systematik:

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Physical review / B - Ridge, NY : APS, 1970, 75(2007), 12, Seite 121303R

Übergeordnetes Werk:

volume:75 ; year:2007 ; number:12 ; pages:121303R

Katalog-ID:

OLC1768807973

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