Observation of the transition from diffusive regime to ballistic regime of the 2DEG transport property in Al x Ga1−x N-GaN heterostructures

Gespeichert in:
Autor*in:

Han, K. [verfasserIn]

Shen, B.

Tang, N.

Tang, Y.Q.

He, X.W.

Qin, Z.X.

Yang, Z.J.

Zhang, G.Y.

Lin, T.

Zhu, B.

Zhou, W.Z.

Chu, J.H.

Format:

Artikel

Erschienen:

2007

Systematik:

Umfang:

4

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Physics letters / A - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1967, 366(2007), 3, Seite 267-270

Übergeordnetes Werk:

volume:366 ; year:2007 ; number:3 ; pages:267-270 ; extent:4

Katalog-ID:

OLC176915440X

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