Sequential thermal treatments of SiC in NO and O2: Atomic transport and electrical characteristics

Gespeichert in:
Autor*in:

Soares, G.V. [verfasserIn]

Baumvol, I.J.R.

Hold, L.

Kong, F.

Han, J.

Dimitrijev, S.

Radtke, C.

Stedile, F.C.

Format:

Artikel

Erschienen:

2007

Umfang:

1

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Applied physics letters - Melville, NY : AIP, 1962, 91(2007), 4, Seite 41906

Übergeordnetes Werk:

volume:91 ; year:2007 ; number:4 ; pages:41906 ; extent:1

Katalog-ID:

OLC1775550486

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