Transient Radiation Response of Single- and Multiple-Gate FD SOI Transistors

Gespeichert in:
Autor*in:

Gaillardin, M. [verfasserIn]

Paillet, P.

Ferlet-Cavrois, V.

Baggio, J.

McMorrow, D.

Faynot, O.

Jahan, C.

Tosti, L.

Cristoloveanu, S.

Format:

Artikel

Erschienen:

2007

Umfang:

8

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: IEEE transactions on nuclear science - New York, NY : IEEE, 1963, 54(2007), 6, 1, Seite 2355-2362

Übergeordnetes Werk:

volume:54 ; year:2007 ; number:6 ; supplement:1 ; pages:2355-2362 ; extent:8

Katalog-ID:

OLC1785819550

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