OPTOELECTRONICS - Improved ESD voltage by inserting floating metal ring in GaN-based light emitting diodes

Gespeichert in:
Autor*in:

Hwang, S. [verfasserIn]

Shim, J.

Format:

Artikel

Erschienen:

2008

Umfang:

1

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Electronics letters - Stevenage : IET, 1965, 44(2008), 9, Seite 590

Übergeordnetes Werk:

volume:44 ; year:2008 ; number:9 ; pages:590 ; extent:1

Katalog-ID:

OLC1793537216

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