Passivation of 4H–SiC Schottky barrier diodes using aluminum based dielectrics

Gespeichert in:
Autor*in:

Kumta, A. [verfasserIn]

Rusli

Xia, J.H.

Format:

Artikel

Erschienen:

2009

Umfang:

7

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Solid state electronics - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1960, 53(2009), 2, Seite 204-210

Übergeordnetes Werk:

volume:53 ; year:2009 ; number:2 ; pages:204-210 ; extent:7

Katalog-ID:

OLC1808721233

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