053702 Electrical and structural properties of AlN-GaN and AlGaN-GaN heterojunctions

Gespeichert in:
Autor*in:

Polyakov, A.Y. [verfasserIn]

Smirnov, N.B.

Govorkov, A.V.

Markov, A.V.

Yugova, T.G.

Dabiran, A.M.

Wowchak, A.M.

Cui, B.

Osinsky, A.V.

Chow, P.P.

Pearton, S.J.

Scherbatchev, K.D.

Bublik, V.T.

Format:

Artikel

Erschienen:

2008

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of applied physics - Melville, NY : AIP, 1937, 104(2008), 5

Übergeordnetes Werk:

volume:104 ; year:2008 ; number:5

Katalog-ID:

OLC1823338224

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