The influence of electron-beam irradiation on electrical characteristics of metal–insulator–semiconductor capacitors based on a high-k dielectric stack of HfTiSiO(N) and HfTiO(N) layers

Gespeichert in:
Autor*in:

Thangadurai, P. [verfasserIn]

Kaplan, W.D.

Mikhelashvili, V.

Eisenstein, G.

Format:

Artikel

Erschienen:

2009

Umfang:

5

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Microelectronics reliability - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1964, 49(2009), 7 vom: Juli, Seite 716-721

Übergeordnetes Werk:

volume:49 ; year:2009 ; number:7 ; month:07 ; pages:716-721 ; extent:5

Katalog-ID:

OLC1862053111

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