Passivation of 4H–SiC Schottky barrier diodes using aluminum based dielectrics

Gespeichert in:
Autor*in:

Kumta, A. [verfasserIn]

Xia, J.H.

Format:

Artikel

Erschienen:

2009

Umfang:

7

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Solid state electronics - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, 1960, 53(2009), 2 vom: Feb., Seite 204-211

Übergeordnetes Werk:

volume:53 ; year:2009 ; number:2 ; month:02 ; pages:204-211 ; extent:7

Katalog-ID:

OLC1862529868

Nicht das Richtige dabei?

Schreiben Sie uns!