A COMPUTATIONAL STUDY OF STRAIN EFFECTS IN THE BAND-TO-BAND-TUNNELING CARBON NANOTUBE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Gespeichert in:
Autor*in:

YOUSEFI, REZA [verfasserIn]

GHOREISHI, SEYYED SALEH

Format:

Artikel

Erschienen:

2012

Systematik:

Umfang:

1

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: International journal of modern physics / B - Singapore [u.a.] : World Scientific Publ., 1987, 26(2012), 29, Seite 1250155-1

Übergeordnetes Werk:

volume:26 ; year:2012 ; number:29 ; pages:1250155-1 ; extent:1

Katalog-ID:

OLC1904223893

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