Three-dimensional simulation of scanning tunneling microscopy for semiconductor carrier and impurity profiling

Gespeichert in:
Autor*in:

Fukuda, K. [verfasserIn]

Nishizawa, M.

Tada, T.

Bolotov, L.

Suzuki, K.

Satoh, S.

Arimoto, H.

Kanayama, T.

Format:

Artikel

Erschienen:

2014

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of applied physics - Melville, NY : AIP, 1937, 116(2014), 2 vom: 14. Juli, Seite 23701-23700

Übergeordnetes Werk:

volume:116 ; year:2014 ; number:2 ; day:14 ; month:07 ; pages:23701-23700

Katalog-ID:

OLC1946899283

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