Refractive index of GaAs-AlAs superlattice grown by MBE

Abstract Refractive index ¯n of GaAs-AlAs superlattices grown by MBE is measured in the spectral range 1.2–1.8 eV at 300 K. Results show that for superlattices with $ L_{B} $ ≤ 40–50 Å, ¯n is determined by the averaged AlAs mole fraction, but that for superlattices with $ L_{B} $ ≥ 40–50 Å, ¯n is de...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Suzuki, Yoshifumi [verfasserIn]

Okamoto, Hiroshi

Format:

Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

1983

Anmerkung:

© AIME 1983

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of electronic materials - Springer-Verlag, 1972, 12(1983), 2 vom: März, Seite 397-411

Übergeordnetes Werk:

volume:12 ; year:1983 ; number:2 ; month:03 ; pages:397-411

Links:

Volltext

DOI / URN:

10.1007/BF02651139

Katalog-ID:

OLC2042255149

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