Transverse instability of a plane front of fast impact ionization waves

Abstract The transverse instability of a plane front of fast impact ionization waves in p+-n-n+ semiconductor structures with a finite concentration of donors N in the n layer has been theoretically analyzed. It is assumed that the high velocity u of impact ionization waves is ensured owing to the a...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Kyuregyan, A. S. [verfasserIn]

Format:

Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2012

Schlagwörter:

Plane Front

Space Charge Region

Continuum Approximation

Space Charge Density

Soft Matter Phys

Anmerkung:

© Pleiades Publishing, Ltd. 2012

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of experimental and theoretical physics - SP MAIK Nauka/Interperiodica, 1993, 114(2012), 5 vom: Mai, Seite 857-866

Übergeordnetes Werk:

volume:114 ; year:2012 ; number:5 ; month:05 ; pages:857-866

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Volltext

DOI / URN:

10.1134/S1063776112030168

Katalog-ID:

OLC2043164503

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