Electron ratchet effect in semiconductor devices and artificial materials with broken centrosymmetry

Abstract. Studies on nonlinear electron transport in nanometer-sized semiconductor devices with broken centrosymmetry are reviewed. In these devices, an applied alternating (rocking) electric field induces a net flow of electrons in the direction perpendicular to that of the applied field. Such an e...
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Gespeichert in:
Autor*in:

Song, A.M. [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2002

Anmerkung:

© Springer-Verlag 2002

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Applied physics - Berlin : Springer, 1973, 75(2002), 2 vom: Aug., Seite 229-235

Übergeordnetes Werk:

volume:75 ; year:2002 ; number:2 ; month:08 ; pages:229-235

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Volltext

DOI / URN:

10.1007/s003390201334

Katalog-ID:

SPR004074114

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