Impact of amorphous titanium oxide film on the device stability of Al/$ TiO_{2} $/Al resistive memory

Abstract We have investigated the role of amorphous titanium oxide film in the reliable bipolar resistive switching of Al/$ TiO_{2} $/Al resistive random access memory devices. As $ TiO_{2} $ deposition temperature decreased, a more stable endurance characteristic was obtained. We proposed that the...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Jeong, Hu Young [verfasserIn]

Kim, Sung Kyu

Lee, Jeong Yong

Choi, Sung-Yool

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2011

Schlagwörter:

Resistive Switching

High Resistance State

Resistive Random Access Memory

Resistive Random Access Memory Device

Bipolar Resistive Switching

Anmerkung:

© Springer-Verlag 2011

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Applied physics - Berlin : Springer, 1973, 102(2011), 4 vom: 21. Jan., Seite 967-972

Übergeordnetes Werk:

volume:102 ; year:2011 ; number:4 ; day:21 ; month:01 ; pages:967-972

Links:

Volltext

DOI / URN:

10.1007/s00339-011-6278-3

Katalog-ID:

SPR004117433

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