Performance improvement of RF-MEMS capacitive switch via asymmetric structure design

Abstract This paper presents a new type of capacitive shunt RF-MEMS switch. In the proposed design, float metal concept has been utilized to make the asymmetric structure on either side of the transmission line to implement the switch. This novel structure is used to inductively tune the isolation i...
Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Autor*in:

Angira, Mahesh [verfasserIn]

Rangra, Kamaljit [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2014

Schlagwörter:

Insertion Loss

Return Loss

Asymmetric Structure

Capacitive Switch

Conventional Switch

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Microsystem technologies - Berlin : Springer, 1994, 21(2014), 7 vom: 27. Mai, Seite 1447-1452

Übergeordnetes Werk:

volume:21 ; year:2014 ; number:7 ; day:27 ; month:05 ; pages:1447-1452

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Volltext

DOI / URN:

10.1007/s00542-014-2222-8

Katalog-ID:

SPR006833993

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