Physical model of dynamic Joule heating effect for reset process in conductive-bridge random access memory

Abstract Dynamic Joule heating effect of reset process in conductive-bridge random access memory (CBRAM) was investigated theoretically. By introducing the geometry effect of conductive filament (CF), the temperature and electric field distributions in the transient state in both one-dimen-sional an...
Ausführliche Beschreibung

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Autor*in:

Sun, Pengxiao [verfasserIn]

Li, Ling [verfasserIn]

Lu, Nianduan [verfasserIn]

Li, Yingtao [verfasserIn]

Wang, Ming [verfasserIn]

Xie, Hongwei [verfasserIn]

Liu, Su [verfasserIn]

Liu, Ming [verfasserIn]

Format:

E-Artikel

Sprache:

Englisch

Erschienen:

2014

Schlagwörter:

Transient Joule heating effect

Conductive-bridge random access memory (CBRAM)

Switching process

Übergeordnetes Werk:

Enthalten in: Journal of computational electronics - Dordrecht : Springer Science + Business Media B.V., 2002, 13(2014), 2 vom: 01. Jan., Seite 432-438

Übergeordnetes Werk:

volume:13 ; year:2014 ; number:2 ; day:01 ; month:01 ; pages:432-438

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Volltext

DOI / URN:

10.1007/s10825-013-0552-x

Katalog-ID:

SPR013584871

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